一种半导体器件的制备方法及半导体器件技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，所述方法包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆包括正面和背面；在所述正面进行正面工艺，所述正面工艺包括在所述晶圆中形成对准标记；以及对所述晶圆背面进行局部减薄，所述局部减薄包括在所述晶圆背面与所述对准标记在竖直方向上相对应的位置进行减薄处理以在所述晶圆背面形成槽，所述槽未将所述对准标记露出。上述方法不用将晶圆整体进行减薄处理，避免了成本升高和晶圆强度下降等问题；另一方面，不用采用价格昂贵的双面对准光刻机，进一步降低了双面光刻技术的成本。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制备方法及半导体器件
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种用于在半导体光刻工艺中的半导体器件制备方法及由此形成的半导体器件。
技术介绍
传统的集成电路技术是典型的薄膜工艺，属于二维技术，器件图形的复制在同一平面内进行，图形间的对准利用可见光通过光刻版上的对准符号与硅片上已有图形对准来实现。而在微电子机械系统(MEMS)或3D集成电路工艺中，通常需要对衬底的背面进行图形化，这就涉及到背面与正面的对准精度问题。而传统的同平面光刻技术已无法满足这一需求。为解决这一问题，发展了双面光刻技术。其基本概念是，如果硅片的一面(A面或正面)已经留有光刻图形或痕迹，计划在另一面(B面或背面)制备与A面已有图形相对准的图形，这一过程称为双面光刻。但是，对于使用可见光(400-700nm)作为对准光源的情况来说，可见光仅能穿透小于20μm的硅片厚度，而晶圆的厚度通常比20μm大很多，故而难以穿透。为了解决上述问题，一方面通过对晶圆整体进行减薄以促进背面对准的实现，另一方面改进工具，将对准光源从可见光替换为红外光，利用红外光可以穿透硅片、但被空气本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：/n提供一晶圆，所述晶圆包括正面和背面；/n在所述正面进行正面工艺，所述正面工艺包括在所述晶圆中形成对准标记；以及/n对所述晶圆背面进行局部减薄，所述局部减薄包括在所述晶圆背面与所述对准标记在竖直方向上相对应的位置进行减薄处理以在所述晶圆背面形成槽，所述槽未将所述对准标记露出。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
提供一晶圆，所述晶圆包括正面和背面；
在所述正面进行正面工艺，所述正面工艺包括在所述晶圆中形成对准标记；以及
对所述晶圆背面进行局部减薄，所述局部减薄包括在所述晶圆背面与所述对准标记在竖直方向上相对应的位置进行减薄处理以在所述晶圆背面形成槽，所述槽未将所述对准标记露出。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述槽的底壁表面与所述对准标记接近所述槽底壁一侧的表面之间的距离小于20μm。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述槽的方法包括深硅刻蚀。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述槽的个数不小于5个。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述槽的截面形状包括方形、圆形或矩形。


6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括如下步骤：提供对准光，所述对准光经过所述槽并穿透所述槽的底壁到达所述对准标记，从而实现对所述对准标记的探测。


7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述对准光包括可见光。


8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述对准光包括可见红光或可见绿光。


9.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，在所述晶圆中形成对准标记包括在所述晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏得阳，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37