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该发明涉及一种半导体器件及其制备方法，用于制备存储器器件，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底表面挖设标记槽，所述标记槽深入至所述衬底内部；在所述标记槽内形成填充材料层，从而形成零层标记，且进行化学机械研磨时使用的研磨液对所述填充材料层的刻蚀...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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