【技术实现步骤摘要】
具有叠层封装(PoP)结构的半导体封装件相关申请的交叉引用本申请要求于2019年10月4日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0122969的优先权的权益,该申请的全部内容以引用方式并入本文中。
示例实施例涉及一种半导体封装件。更具体地,示例实施例涉及一种具有叠层封装(PoP)结构的半导体封装件。
技术介绍
在具有PoP结构的半导体封装件的情况下,可以增加信号连接器的数量以增加PoP结构的上半导体封装件与下半导体封装件之间的数据传输的带宽。在常规的具有PoP结构的半导体封装件中,电力连接器和信号连接器一起设置在上半导体封装件与下半导体封装件之间的有限空间中。为了增加数据传输的带宽,可以减小单个端子的尺寸,并且可以减小端子之间的节距。然而,减小单个端子的尺寸和减小端子之间的节距会导致端子彼此断开的不润湿(non-wetting)问题。因此,需要开发不仅能够增大数据传输的带宽而且能够防止不良的接触的半导体封装件结构。
技术实现思路
因此,已经鉴于以上的问题做出了本公开,并且 ...
【技术保护点】
1.一种半导体封装件,包括:/n下半导体封装件;以及/n上半导体封装件,其位于所述下半导体封装件上,/n其中,所述上半导体封装件包括:/n上封装衬底;/n存储器芯片,其位于所述上封装衬底上;/n导线,其将所述存储器芯片电连接到所述上封装衬底;/n电力连接器,其位于所述上半导体封装件上;/n信号连接器,其位于所述上封装衬底的底表面上;以及/n上封装模塑材料。/n
【技术特征摘要】
20191004 KR 10-2019-01229691.一种半导体封装件,包括:
下半导体封装件;以及
上半导体封装件,其位于所述下半导体封装件上,
其中,所述上半导体封装件包括:
上封装衬底;
存储器芯片,其位于所述上封装衬底上;
导线,其将所述存储器芯片电连接到所述上封装衬底;
电力连接器,其位于所述上半导体封装件上;
信号连接器,其位于所述上封装衬底的底表面上;以及
上封装模塑材料。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述下半导体封装件包括:
下封装衬底;
应用处理器芯片,其位于所述下封装衬底上;
下封装模塑材料,其位于所述下封装衬底上以及所述应用处理器芯片上;以及
模塑穿通件,其位于所述下封装模塑材料中,并且
其中,所述下封装衬底包括内部信号布线、外部信号布线和下封装电力布线。
3.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,所述外部信号布线和/或所述下封装电力布线将所述应用处理器芯片电连接到所述下封装衬底的底表面上的焊料。
4.根据权利要求2所述的半导体封装件,还包括位于所述下半导体封装件与所述信号连接器之间的插件,
其中,所述插件包括插件凸块,并且
其中,所述模塑穿通件的上端与所述插件凸块接触。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述存储器芯片包括下存储器芯片和位于所述下存储器芯片上的上存储器芯片,
其中,所述导线包括信号导线和电力导线,
其中,所述上封装衬底包括上芯片信号布线、下芯片信号布线和存储器芯片电力布线,
其中,所述信号导线电连接到所述上存储器芯片,并且
其中,所述上芯片信号布线将所述信号导线电连接到所述信号连接器。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述存储器芯片包括下存储器芯片和位于所述下存储器芯片上的上存储器芯片,
其中,所述导线包括信号导线和电力导线,
其中,所述上封装衬底包括上芯片信号布线、下芯片信号布线和存储器芯片电力布线,
其中,所述信号导线电连接到所述下存储器芯片,并且
其中,所述下芯片信号布线将所述信号导线电连接到所述信号连接器。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述存储器芯片包括下存储器芯片和位于所述下存储器芯片上的上存储器芯片,
其中,所述导线包括信号导线和电力导线,
其中,所述上封装衬底包括上芯片信号布线、下芯片信号布线和存储器芯片电力布线,
其中,所述电力导线包括电连接到所述上存储器芯片的第一电力导线和电连接到所述下存储器芯片的第二电力导线,并且
其中,所述存储器芯片电力布线将所述第一电力导线电连接到所述第二电力导线。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述存储器芯片包括下存储器芯片和位于所述下存储器芯片上的上存储器芯片,
其中,所述导线包括信号导线和电力导线,
其中,所述上封装衬底包括信号布线和存储器芯片电力布线,
其中,所述信号布线将所述信号导线电连接到所述信号连接器,并且
其中,所述存储器芯片电力布线将所述电力导线电连接到所述电力连接器。
9.一种半导体系统,包括:
下板;
上板;
下半导体封装件,其位于所述下板上;以及
上半导体封装件,其位于所述下半导体封装件上,
其中,所述下半导体封装件包括:
下封装衬底;
应用处理器芯片,其位于所述下封装衬底上;
下封装模塑材料,其位于所述下封装衬底上以及所述应用处理器芯片上;以及
模塑穿通件,其位于所述下封装模塑材料中,
其中,所述上半导体封装件包括:
上封装衬底;
存储器芯片,其位于所述上封装衬底上;
导线,其将所述存储器芯片电连接到所述上封装衬底;
电力连接器,其位于所述上半导体封装件的顶表面上;
电力凸...
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