包括厚金属层的半导体器件制造技术

提供了一种半导体器件,所述半导体器件包括设置在层间绝缘层中并且设置在基底上的多个中间互连件和多个中间插塞。上绝缘层设置在层间绝缘层上。第一上插塞、第一上互连件、第二上插塞和第二上互连件设置在上绝缘层中。所述多个中间互连件中的每个具有第一厚度。第一上互连件具有大于第一厚度的第二厚度。第二上互连件具有大于第一厚度的第三厚度。第三厚度是第一厚度的2倍至100倍。第二上互连件包括与第二上插塞的材料不同的材料。

【技术实现步骤摘要】
包括厚金属层的半导体器件本申请要求于2019年10月2日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2019-0122357号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
与示例实施例一致的器件和方法涉及具有厚金属层的半导体器件和形成该半导体器件的方法。
技术介绍
半导体器件具有各种互连件。当减小互连件的截面积以增大集成密度时，引起诸如互连电阻增加和信号传输速率降低的问题。用于互连件的材料和形成互连件的方法显著地影响半导体器件的批量生产效率和可靠性。
技术实现思路
专利技术构思的示例实施例旨在提供具有改善的电流驱动能力和高信号传输速率的半导体器件以及形成该半导体器件的方法。根据示例实施例，公开涉及一种半导体器件，所述半导体器件包括：层间绝缘层，设置在基底上；多个中间互连件，设置在层间绝缘层中；多个中间插塞，设置在层间绝缘层中并且设置在所述多个中间互连件之间；上绝缘层，设置在层间绝缘层上；第一上插塞，设置在上绝缘层中并且连接到多个中间互连件中的一个中间互连件，所述一个中间互连件具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：/n层间绝缘层，设置在基底上；/n多个中间互连件，设置在层间绝缘层中；/n多个中间插塞，设置在层间绝缘层中并且设置在所述多个中间互连件之间；/n上绝缘层，设置在层间绝缘层上；/n第一上插塞，设置在上绝缘层中并且连接到所述多个中间互连件中的一个中间互连件，所述一个中间互连件具有第一厚度；/n第一上互连件，在第一上插塞上设置在上绝缘层中并且具有第二厚度，其中，第二厚度大于第一厚度；/n第二上插塞，在第一上互连件上设置在上绝缘层中；/n第二上互连件，在第二上插塞上设置在上绝缘层中并且具有第三厚度，其中，第三厚度大于第一厚度；以及/n开口，被构造为穿过上绝缘层以...

【技术特征摘要】
20191002 KR 10-2019-01223571.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
层间绝缘层，设置在基底上；
多个中间互连件，设置在层间绝缘层中；
多个中间插塞，设置在层间绝缘层中并且设置在所述多个中间互连件之间；
上绝缘层，设置在层间绝缘层上；
第一上插塞，设置在上绝缘层中并且连接到所述多个中间互连件中的一个中间互连件，所述一个中间互连件具有第一厚度；
第一上互连件，在第一上插塞上设置在上绝缘层中并且具有第二厚度，其中，第二厚度大于第一厚度；
第二上插塞，在第一上互连件上设置在上绝缘层中；
第二上互连件，在第二上插塞上设置在上绝缘层中并且具有第三厚度，其中，第三厚度大于第一厚度；以及
开口，被构造为穿过上绝缘层以使第二上互连件的部分暴露，
其中，第三厚度在第一厚度的2倍至100倍的范围内，并且
其中，第二上互连件包括与第二上插塞的材料不同的材料。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第三厚度大于或等于第二厚度。


3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第三厚度在2μm至10μm的范围内。


4.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中，所述多个中间插塞中的每个具有第一高度，
其中，第一上插塞具有大于第一高度的第二高度，并且
其中，第二上插塞具有大于第一高度的第三高度。


5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，第三高度大于或等于第二高度。


6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一上互连件和第二上互连件中的每个包括与所述多个中间互连件的材料层不同的材料层。


7.根据权利要求6所述的半导体器件，
其中，所述多个中间互连件包括铜层，并且
其中，第二上互连件包括铝层。


8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，第一上互连件包括铝层。


9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，第二上插塞包括钨层。


10.根据权利要求1至9中的任一项所述的半导体器件，其中，上绝缘层包括：
第一上绝缘层；
第二上绝缘层，设置在第一上绝缘层上并且包括与第一上绝缘层的材料不同的材料；以及
第三上绝缘层，设置在第二上绝缘层上并且包括与第二上绝缘层的材料不同的材料，
其中，第一上绝缘层、第二上绝缘层和第三上绝缘层设置在第一上互连件与第二上互连件之间，并且
其中，第二上插塞穿过第一上绝缘层、第二上绝缘层和第三上绝缘层并且接触第一上互连件和第二上互连件。


11.根据权利要求10所述的半导体器件，
其中，第一上绝缘层包括氧化物层，
其中，第二上绝缘层包括氮化物层，并且
其中，第三上绝缘层包括氧化物层。


12.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括贯穿电极，贯穿电极延伸到基底中并且连接到所述多个中间互连件。


13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，贯穿电极具有1μm至20μm的直径。


14.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
下绝缘层，设置在基底与层间绝缘层之间；以及<...

【专利技术属性】
技术研发人员：李周益，慎重垣，张志熏，韩正勋，李俊雨，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR