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提供了一种半导体器件,所述半导体器件包括设置在层间绝缘层中并且设置在基底上的多个中间互连件和多个中间插塞。上绝缘层设置在层间绝缘层上。第一上插塞、第一上互连件、第二上插塞和第二上互连件设置在上绝缘层中。所述多个中间互连件中的每个具有第一厚度...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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