一种重新布线的晶圆级封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种重新布线的晶圆级封装结构，包括衬底、依次位于衬底表面的钝化层、第一重新布线金属层、第一有机绝缘层和第二重新布线金属层，衬底表面具有多个引出电极，引出电极与衬底内对应的待封装的芯片电连接，钝化层覆盖引出电极的部分具有暴露出引出电极的第一开口，第一重新布线金属层通过第一开口与引出电极电连接，第一有机绝缘层具有暴露出第一重新布线金属层的第二开口，第二重新布线金属层通过第二开口与第一重新布线金属层电连接。由于钝化层的表面为采用CMP工艺处理过的表面，因此，可以直接在钝化层表面形成第一重新布线金属层，从而可以取消钝化层表面的有机绝缘层，进而可以节省材料，降低封装成本。

【技术实现步骤摘要】
一种重新布线的晶圆级封装结构
本技术涉及半导体制造
，更具体地说，涉及一种重新布线的晶圆级封装结构。
技术介绍
随着半导体技术的发展以及消费电子市场的驱动，封装技术正在向更轻、更薄、体积更小、电热性能更优良的方向发展。芯片封装工艺也由逐个芯片封装向晶圆片级规模封装转变，而晶圆片级规模封装简称晶圆级芯片封装(WaferLevelChipScalePackaging，WLCSP)因具有高密度、体积小、可靠性高和电热性能优良等优点且满足封装工艺的发展要求，而逐渐成为目前最先进也是最重要的封装形式之一。为了使得芯片适用于不同的封装形式，现有的晶圆级封装结构都是采用重新布线技术对芯片线路的接点位置进行了改变。目前，晶圆级封装结构的重新布线层主要为2P2M结构，如图1所示，该重新布线的晶圆级封装结构包括衬底11、位于衬底11上的金属互连层12、钝化层13、第一有机绝缘层14、第一重新布线金属层15、第二有机绝缘层16、第二重新布线金属层17和锡球18，其中，金属互联层12包括依次位于衬底11上的次顶层金属互连层和顶层金属互连层。但是，由于该重新布线的晶圆级封装结构采用了两层金属和两层有机绝缘层来进行重新布线，一方面会影响适用范围，另一方面会导致封装结构的封装成本较高。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供了一种重新布线的晶圆级封装结构，以降低现有的重新布线的晶圆级封装结构的封装成本。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种重新布线的晶圆级封装结构，包括：衬底，所述衬底内集成有多个待封装的芯片，所述衬底表面具有多个引出电极，所述引出电极与对应的待封装的芯片电连接；位于所述衬底表面的钝化层，所述钝化层覆盖所述引出电极的部分具有第一开口，所述第一开口暴露出所述引出电极，所述钝化层的表面为采用CMP工艺处理过的表面；位于所述钝化层表面的第一重新布线金属层，所述第一重新布线金属层通过所述第一开口与所述引出电极电连接；位于所述第一重新布线金属层表面的第一有机绝缘层，所述第一有机绝缘层具有第二开口，所述第二开口暴露出所述第一重新布线金属层；位于所述第一有机绝缘层表面的第二重新布线金属层，所述第二重新布线金属层通过所述第二开口与所述第一重新布线金属层电连接。可选地，还包括锡球，所述锡球固定在所述第二重新布线金属层表面，且与所述第二重新布线金属层电连接。可选地，所述钝化层覆盖所述引出电极的部分具有多个第一开口，所述多个第一开口均匀排布。可选地，所述第一开口在所述衬底上的投影的形状为方形；所述方形的最短边长为2um～3um。可选地，所述第一重新布线金属层的材料的电阻率小于铝材料的电阻率。可选地，所述第一重新布线金属层的材料为铜；所述第二重新布线金属层的材料为铜。可选地，所述引出电极包括一层或多层次顶层金属互联层。可选地，所述次顶层金属互连层的材料为铝。与现有技术相比，本技术所提供的技术方案具有以下优点：本技术所提供的重新布线的晶圆级封装结构，由于钝化层的表面为采用CMP工艺处理过的表面，因此，可以直接在钝化层表面形成第一重新布线金属层，从而可以取消钝化层表面的有机绝缘层，进而可以节省材料，降低封装成本。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为现有的一种重新布线的晶圆级封装结构中一个芯片的剖面结构示意图；图2为本技术一个实施例提供的重新布线的晶圆级封装结构中一个待封装的芯片的剖面结构示意图。具体实施方式以上是本技术的核心思想，为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术实施例提供了一种重新布线的晶圆级封装结构，如图2所示，包括：衬底21，衬底21内集成有多个待封装的芯片，衬底21表面具有多个引出电极22，引出电极22与对应的待封装的芯片电连接，用于实现待封装的芯片与外部电路的电连接。需要说明的是，图2中仅以一个待封装的芯片为例进行说明，即图2所示为一个待封装芯片的剖面结构示意，其他待封装的芯片的结构与此相同或类似，在此不再赘述。可选地，衬底21为硅晶圆。位于衬底21表面的钝化层23，钝化层23覆盖引出电极22的部分具有多个第一开口230，第一开口230暴露出引出电极22。也就是说，钝化层23覆盖衬底21以及衬底21表面的引出电极22，且覆盖引出电极22的钝化层23具有多个第一开口230，以通过第一开口230暴露出钝化层23覆盖的引出电极22。并且，钝化层23的表面为采用CMP(ChemicalMechanicalPolishing，化学机械抛光)工艺处理过的平整的表面。位于钝化层23表面的第一重新布线金属层24，第一重新布线金属层24通过第一开口230与引出电极22电连接。即，第一重新布线金属层24形成在钝化层23表面，并且，第一重新布线金属层24的材料填满钝化层23上的第一开口230，基于此，第一重新布线金属层24可以通过第一开口230与引出电极22电连接。位于第一重新布线金属层24表面的第一有机绝缘层25，一些实施例中，第一有机绝缘层25覆盖第一重新布线金属层24的表面和四周侧面，当然，本技术并不仅限于此，在另一些实施例中，第一有机绝缘层25可以仅覆盖第一重新布线金属层24的表面。此外，第一有机绝缘层25具有第二开口250，第二开口250暴露出第一有机绝缘层25底部的第一重新布线金属层24。位于第一有机绝缘层25表面的第二重新布线金属层26，第二重新布线金属层26通过第二开口250与第一重新布线金属层24电连接。本技术一些实施例中，第二重新布线金属层26仅位于第二开口250内，但是，本技术并不仅限于此，在另一些实施例中，第二重新布线金属层26形成在第一有机绝缘层25的表面，并且，第二重新布线金属层26的材料填满第一有机绝缘层25上的第二开口250，以使第二重新布线金属层26通过第二开口250与第一重新布线金属层24电连接。可选地，第二开口250在衬底21上的投影与第一开口230在衬底21上的投影不重叠，当然，本技术并不仅限于此，在其他实施例中，第二开口250在衬底21上的投影与第一开口230在衬底21上的投影可以部分重叠。与图1所示的结构相比，本技术实施例中的钝化层23不仅覆盖衬底21的表面，如图2所示，钝本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种重新布线的晶圆级封装结构，其特征在于，包括：/n衬底，所述衬底内集成有多个待封装的芯片，所述衬底表面具有多个引出电极，所述引出电极与对应的待封装的芯片电连接；/n位于所述衬底表面的钝化层，所述钝化层覆盖所述引出电极的部分具有第一开口，所述第一开口暴露出所述引出电极，所述钝化层的表面为采用CMP工艺处理过的表面；/n位于所述钝化层表面的第一重新布线金属层，所述第一重新布线金属层通过所述第一开口与所述引出电极电连接；/n位于所述第一重新布线金属层表面的第一有机绝缘层，所述第一有机绝缘层具有第二开口，所述第二开口暴露出所述第一重新布线金属层；/n位于所述第一有机绝缘层表面的第二重新布线金属层，所述第二重新布线金属层通过所述第二开口与所述第一重新布线金属层电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种重新布线的晶圆级封装结构，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底内集成有多个待封装的芯片，所述衬底表面具有多个引出电极，所述引出电极与对应的待封装的芯片电连接；
位于所述衬底表面的钝化层，所述钝化层覆盖所述引出电极的部分具有第一开口，所述第一开口暴露出所述引出电极，所述钝化层的表面为采用CMP工艺处理过的表面；
位于所述钝化层表面的第一重新布线金属层，所述第一重新布线金属层通过所述第一开口与所述引出电极电连接；
位于所述第一重新布线金属层表面的第一有机绝缘层，所述第一有机绝缘层具有第二开口，所述第二开口暴露出所述第一重新布线金属层；
位于所述第一有机绝缘层表面的第二重新布线金属层，所述第二重新布线金属层通过所述第二开口与所述第一重新布线金属层电连接。


2.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，还包括锡球，所述锡球固定在所述第二重新布线金属层表面，且与所述第二重新布线...

【专利技术属性】
技术研发人员：于龙杰，殷昌荣，
申请(专利权)人：上海艾为电子技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31