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本实用新型提供了一种重新布线的晶圆级封装结构，包括衬底、依次位于衬底表面的钝化层、第一重新布线金属层、第一有机绝缘层和第二重新布线金属层，衬底表面具有多个引出电极，引出电极与衬底内对应的待封装的芯片电连接，钝化层覆盖引出电极的部分具有暴露出...
该专利属于上海艾为电子技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海艾为电子技术股份有限公司授权不得商用。

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