【技术实现步骤摘要】
裸片拾取方法及装置
本申请涉及半导体封装领域，更具体地，涉及一种裸片拾取方法及装置。
技术介绍
裸片贴装(DieAttach，DA)是芯片封装生产中的一个非常重要的过程。而超薄裸片(厚度小于50微米)的贴装更具有挑战性。然而裸片厚度减薄对于裸片堆叠设计是非常必要的，特别是对于内存行业。在裸片封装过程中，一般在大致圆板形状的晶圆的表面形成格子状的分割预定线，将晶圆划分为多个裸片区域。通过将各区域沿分割预定线进行划片来形成独立的裸片。而在晶圆划片之前，需要在晶圆的背面粘接一层划片膜。划片膜能够通过粘接将待划片的晶圆固定住，以保持裸片在划片过程中的完整性，并减少划片过程中所产生的蹦碎。划片膜还能够保持裸片在传送过程中的正常移动，并防止掉落情况。位于划片膜上的裸片需要通过裸片贴装(DA)工艺安装到封装载带上，而裸片贴装工艺中，从划片膜上拾取裸片是一个重要的步骤。具体地，需要通过真空吸嘴吸附裸片的远离划片膜的表面，使裸片的相对的另一表面与划片膜逐渐剥离。但在剥离过程中裸片容易出片裂片问题，从而难以实现划片膜与裸片的顺利分离。
技术实现思路
本申请提供了一种可至少部分解决现有技术中存在的上述问题的裸片拾取方法及装置。本申请一方面提供了一种裸片拾取方法，该方法包括：在划片膜的相对于第一侧面的第二侧面，向第一侧面的方向施加用于同步推动划片膜的粘接区的多个推动力，以将粘接区内的裸片推顶至第一位置；从第一侧面向位于第一位置的裸片施加远离划片膜的吸附力；去除多个推动力中的至少一部分推动力，以使裸...
【技术保护点】
1.一种裸片拾取方法，其中，所述裸片粘接在划片膜的第一侧面上的粘接区内，其特征在于，所述方法包括：/n在所述划片膜的相对于所述第一侧面的第二侧面，向所述第一侧面的方向施加用于同步推动所述划片膜的所述粘接区的多个推动力，以将所述粘接区内的所述裸片推顶至第一位置；/n从所述第一侧面向位于所述第一位置的所述裸片施加远离所述划片膜的吸附力；以及/n去除所述多个推动力中的至少一部分推动力，以使所述裸片与所述划片膜剥离。/n
【技术特征摘要】
1.一种裸片拾取方法，其中，所述裸片粘接在划片膜的第一侧面上的粘接区内，其特征在于，所述方法包括：
在所述划片膜的相对于所述第一侧面的第二侧面，向所述第一侧面的方向施加用于同步推动所述划片膜的所述粘接区的多个推动力，以将所述粘接区内的所述裸片推顶至第一位置；
从所述第一侧面向位于所述第一位置的所述裸片施加远离所述划片膜的吸附力；以及
去除所述多个推动力中的至少一部分推动力，以使所述裸片与所述划片膜剥离。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述去除所述多个推动力中的至少一部分推动力的步骤包括：
按照从所述粘接区的外周至中心的次序去除施加到所述粘接区的所述推动力。
3.根据权利要求1或2所述的方法，还包括：
使所述粘接区处的气压大于所述划片膜的第二侧面处的气压。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述使所述粘接区处的气压大于所述划片膜的第二侧面处的气压的步骤包括：
在所述去除所述多个推动力中的至少一部分推动力时，向所述粘接区喷射气体。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述使所述粘接区处的气压大于所述划片膜的第二侧面处的气压的步骤包括：
利用与所述第一侧面密闭配合并容纳所述裸片的气压室，通过增加所述气压室的气压使得所述粘接区处的气压大于所述划片膜的第二侧面处的气压的步骤。
6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述粘接区处的气压的值与所述划片膜的第二侧面处的气压的值之比在1至1.2之间。
7.一种裸片拾取方法，其中，所述裸片粘接在划片膜的第一侧面上的粘接区内，其特征在于，所述方法包括：
在所述划片膜的相对于所述第一侧面的第二侧面，向所述第一侧面的方向施加用于推动所述划片膜的所述粘接区的推动力，以将所述粘接区内的所述裸片推顶至第一位置；
从所述第一侧面向位于所述第一位置的所述裸片施加远离所述划片膜的吸附力；以及
去除施加到所述粘接区的所述推动力，并使所述粘接区处的气压大于所述划片膜的第二侧面处的气压，以使所述裸片与所述划片膜剥离。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述使粘接区处的气压大于所述划片膜的第二侧面处的气压的步骤包括：
在所述去除施加到所述粘接区的所述推动力时，向所述粘接区喷射气体。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述使所述粘接区处的气压大于所述划片膜的第二侧面处的气压的步骤包括：
利用与所述第一侧面密闭配合并容纳所述裸片的气压室...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈鹏，李明亮，曾心如，苗健，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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