半导体集成电路器件制造技术

本发明专利技术提供了一种调节器电路，其可以快速响应于负载电流的变化，并且可以提供充足的驱动电流以便能够生成稳定的内部源电压。该调节器电路包括：前置放大器电路，其检测和放大参考电压和内部源电压之间的差值；箝位电路，其限制前置放大器电路的输出的幅度；主放大器电路，其放大前置放大器电路的幅度受限的输出；以及驱动器电路，其根据主放大器的输出而输出内部源电压。即使内部源电压突然改变，由于箝位电路的作用调节器电路也不会振荡。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路器件，尤其涉及为诸如存储器电路.is
技术介绍
在半导体电路器件中使用的内部电压生成器需要针对这样的电 路的设计，即该电路可以生成恒定内部源电压而与负载电流的变化 无关。在例如日本未审专利公开No.2005-202781 (专利文献1 )中所公 开的电压调节器中，通过第一放大器、第二放大器、P-MOSFET和 相位补偿电容器形成了主回路。通过第三放大器、直流分量切割电 容器和P-MOSFET形成辅回路。即使负载电流高速升高时，基于第 三放大器的辅回路也能够降低输出电压的变化量。当期望进一步增 加由第一放大器所放大的信号的增益时，使用第二放大器。日本未审专利公开No.2005-71067 (专利文献2)中所公开的电 压生成器或者生成电路包括具有级联(cascade)耦合的两级差分放 大器电路的误差放大器和具有级联耦合的反相电路的控制电路。控 制电路执行控制，以便根据用于驱动器的P沟道MOSFET的栅电压 和每个反相电路的操作阈值电压之间的高低关系，驱动两个差分放 大器电路或者仅仅驱动后级的差分放大器电路。因此，由于通过对其中每个内部电路的操作电流较大的两个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体集成电路器件，包括：　负载电路；和　内部电压生成器，用于生成用来驱动所述负载电路的内部源电压，　其中，每个所述内部电压生成器包括用于生成参考电压的参考电压生成电路和用于参照所述参考电压生成所述内部源电压的调节器电路；以及　其中，所述调节器电路包括：前置放大器电路，用于检测和放大每个所述内部源电压和每个所述参考电压之间的差值；箝位电路，用于限制所述前置放大器电路的输出的幅度；主放大器电路，用于放大受所述箝位电路限制的所述前置放大器电路的输出以及生成控制信号；以及驱动器电路，用于响应于所述控制信号生成所述内部源电压。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：森下玄，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：JP[日本]