The invention relates to a method of regulating voltage regulating system and a voltage (11), using the system to a voltage applied to the control system (11) on the first input voltage (VDD) is transformed into a second voltage (VINT), the second voltage in the electric pressure regulation system (11) an output (19C) extract, a first device using (12) according to the first voltage (VDD) voltage or a resulting voltage to generate a substantially constant (VBGR), which is also provided with another device (34) used to the first voltage (VDD) or a resulting voltage to generate a voltage (VTRACK), especially can generate a greater than by the first device (1 2) the generated voltage (VBGR) voltage (VTRACK).
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种如权利要求1的前序部分所述的电压调节系统及一种电压调节方法。在半导体器件中,尤其在诸如DRAM(DRAM=Dynamic Random AccessMemory,动态随机存取存储器)的半导体器件中,在器件内部所使用的电压电平VINT可能不同于该器件外部所使用的、比如由外部电压源为该半导体器件提供的电压电平(供电电压电平)VDD。内部使用的电压电平VINT尤其可能小于供电电压的电平VDD-比如该内部使用的电压电平VINT可能为1.5V,而该供电电压电平VDD比如位于1.5V和2.5V之间,等等。相对于供电电压电平VDD而被减小的内部电压电平VINT所具有的优点是,由此可以降低半导体器件中的损耗功率。此外,外部电压源的电压电平VDD可能承受相对大的波动。因此供电电压通常(从而器件可以尽可能无故障地或以尽可能可靠的方式来运行)借助一个电压调节器变换为一个(仅承受相对微小的波动、被调节到一个确定的、恒定的、降低的值的)内部电压VINT。传统的电压调节器(比如相应的降压变换调节器)可能包含有比如一个差动放大器和一个p场效应晶体管。该场效应晶体管的栅极 ...
【技术保护点】
电压调节系统(11),用于把一个施加到所述电压调节系统(11)的输入(17)上的第一电压(VDD)变换为一个第二电压(VINT),该第二电压可以在所述电压调节系统(11)的一个输出(19c)上抽取,具有一个第一装置(12、13),用 于根据所述第一电压(VDD)或一个由此导出的电压来生成一个基本恒定的电压(VBGR),其特征在于,还设置有一个另一装置(34、33)来用于根据所述第一电压(VDD)或一个由此导出的电压来生成一个另一电压(VTRACK)。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:M布罗克斯,
申请(专利权)人:英飞凌科技股份公司,
类型:发明
国别省市:DE[德国]
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