一种精密半导体PCB连接器制造技术

本实用新型专利技术涉及连接器技术领域，具体为一种精密半导体PCB连接器，包括电路基板层，设于所述电路基板层之上的上感光膜层，设于所述电路基板层之下的下感光膜层，所述上感光膜层中设置有上PIN针，所述下感光膜层中设置有下PIN针，所述电路基板层中开设有高精密通孔，所述高精密通孔中设置有多层的电镀影像转移层，所述上PIN针和所述下PIN针分别连接于所述电镀影像转移层的顶部和底部；实际应用中，去掉上感光膜层和下感光膜层后，连接上PIN针和下PIN针即可用于检测；通过高精密通孔中多层的电镀影像转移层，满足上PIN针和下PIN针测试半导体芯片精密测试的要求，传输更稳定；本实用新型专利技术信号传输更精密，传输更稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种精密半导体PCB连接器
本技术涉及连接器
，具体为一种精密半导体PCB连接器。
技术介绍
目前市场上常规使用的PCB连接器为塑料机构+PIN针结构，常规的连接器测试PIN针结构数少，由于PIN针结构尺寸受工艺限制，所以对于更精密的半导体测试连接器，传统的塑料机构+PIN针结构已达不到半导体芯片精密测试的要求，需要更精密信号传输和更稳定的连接器来满足半导体芯片测试要求。
技术实现思路
本技术的目的在于针对上述的不足，提供一种信号传输更精密，传输更稳定的精密半导体PCB连接器。为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：一种精密半导体PCB连接器，包括电路基板层，设于所述电路基板层之上的上感光膜层，设于所述电路基板层之下的下感光膜层，所述上感光膜层中设置有上PIN针，所述下感光膜层中设置有下PIN针，所述电路基板层中开设有高精密通孔，所述高精密通孔中设置有多层的电镀影像转移层，所述上PIN针和所述下PIN针分别连接于所述电镀影像转移层的顶部和底部。进一步，任一所述高精密通孔中的所述电镀影像转移层至少有三层。进一步，所述电镀影像转移层包括影像转移层，电镀于所述影像转移层之上的电镀铜层。进一步，所述高精密通孔至少有一个，所述上PIN针和所述下PIN针与所述高精密通孔一一对应。进一步，所述上PIN针由厚铜多次电镀后叠加制成，所述下PIN针由厚铜多次电镀后叠加制成。进一步，所述电路基板层包括介电层，设于所述介电层之上的上基材铜层，设于所述介电层之下的下基材铜层。本技术的有益效果是：实际应用中，去掉上感光膜层和下感光膜层后，连接上PIN针和下PIN针即可用于检测；通过高精密通孔中多层的电镀影像转移层，满足上PIN针和下PIN针测试半导体芯片精密测试的要求，传输更稳定；本技术信号传输更精密，传输更稳定。附图说明图1是本技术剖面的结构示意图；附图标记：电路基板层1；介电层101；上基材铜层102；下基材铜层103；高精密通孔11；上感光膜层21；下感光膜层22；上PIN针31；下PIN针32；电镀影像转移层4；影像转移层41；电镀铜层42。具体实施方式如图1所示，一种精密半导体PCB连接器，包括电路基板层1，设于所述电路基板层1之上的上感光膜层21，设于所述电路基板层1之下的下感光膜层22，所述上感光膜层21中设置有上PIN针31，所述下感光膜层22中设置有下PIN针32，所述电路基板层1中开设有高精密通孔11，所述高精密通孔11中设置有多层的电镀影像转移层4，所述上PIN针31和所述下PIN针32分别连接于所述电镀影像转移层4的顶部和底部。使用时，去掉上感光膜层21和下感光膜层22后，连接上PIN针31和下PIN针32即可用于检测；通过高精密通孔11中多层的电镀影像转移层4，满足上PIN针31和下PIN针32测试半导体芯片精密测试的要求，传输更稳定；本技术信号传输更精密，传输更稳定。如图1所示，任一所述高精密通孔11中的所述电镀影像转移层4至少有三层；本实施例中，通过多层电镀影像转移层4，使上PIN针31和下PIN针32满足测试半导体芯片精密测试的要求，传输更稳定。如图1所示，所述电镀影像转移层4包括影像转移层41，电镀于所述影像转移层41之上的电镀铜层42；本实施例中，通过在影像转移层41上电镀电镀铜层42，使上PIN针31和下PIN针32满足测试半导体芯片精密测试的要求，传输更稳定。如图1所示，所述高精密通孔11至少有一个，所述上PIN针31和所述下PIN针32与所述高精密通孔11一一对应；本实施例中，通过在高精密通孔11中电镀影像转移层4的顶部和底部分别连接上PIN针31和下PIN针32，使连接器既可从上PIN针31连接，也可从下PIN针32连接，满足了测试半导体芯片精密测试的要求。如图1所示，所述上PIN针31由厚铜多次电镀后叠加制成，所述下PIN针32由厚铜多次电镀后叠加制成；本实施例中，通过电镀制成的上PIN针31和下PIN针32，满足测试强度，使上PIN针31和下PIN针32表层具有良好的信号传输性能。如图1所示，所述电路基板层1包括介电层101，设于所述介电层101之上的上基材铜层102，设于所述介电层101之下的下基材铜层103；本实施例中，通过上基材铜层102和下基材铜层103保护内部介电层101，传输更稳定。本文中所描述的具体实施例仅仅是对本技术精神作举例说明。本技术所属
的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本技术的精神所定义的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种精密半导体PCB连接器，其特征在于：包括电路基板层(1)，设于所述电路基板层(1)之上的上感光膜层(21)，设于所述电路基板层(1)之下的下感光膜层(22)，所述上感光膜层(21)中设置有上PIN针(31)，所述下感光膜层(22)中设置有下PIN针(32)，所述电路基板层(1)中开设有高精密通孔(11)，所述高精密通孔(11)中设置有多层的电镀影像转移层(4)，所述上PIN针(31)和所述下PIN针(32)分别连接于所述电镀影像转移层(4)的顶部和底部。/n

【技术特征摘要】
1.一种精密半导体PCB连接器，其特征在于：包括电路基板层(1)，设于所述电路基板层(1)之上的上感光膜层(21)，设于所述电路基板层(1)之下的下感光膜层(22)，所述上感光膜层(21)中设置有上PIN针(31)，所述下感光膜层(22)中设置有下PIN针(32)，所述电路基板层(1)中开设有高精密通孔(11)，所述高精密通孔(11)中设置有多层的电镀影像转移层(4)，所述上PIN针(31)和所述下PIN针(32)分别连接于所述电镀影像转移层(4)的顶部和底部。


2.根据权利要求1所述的一种精密半导体PCB连接器，其特征在于：任一所述高精密通孔(11)中的所述电镀影像转移层(4)至少有三层。


3.根据权利要求2所述的一种精密半导体PCB连接器，其特征在于：所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐超，宋杰，
申请(专利权)人：深圳市仁创艺电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44