太赫兹装置和太赫兹装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种太赫兹装置，其包括太赫兹元件、密封树脂、配线层和框状部件。上述太赫兹元件进行太赫兹波与电能量的转换。上述太赫兹元件具有在第1方向上分离的元件主面和元件背面。上述密封树脂覆盖上述太赫兹元件。上述配线层与上述太赫兹元件导通。上述框状部件由导电体形成，从上述第1方向看配置在上述太赫兹元件的周围。上述框状部件具有能够反射太赫兹波的反射面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】太赫兹装置和太赫兹装置的制造方法
本专利技术涉及太赫兹装置和该太赫兹装置的制造方法。
技术介绍
近年来，晶体管等的电子器件的精细化正在推进，电子器件的大小变成了纳米尺寸，因此能够观察到被称为量子效应的现象。并且，正在进行以利用了该量子效应的超高速器件或新功能器件的实现为目标的开发。在这样的环境中，尤其是正在尝试利用频率为0.1THz～10THz的被称为太赫兹带的频率带域进行大容量通信和信息处理、或者成像或测量等。该频率区域兼具光和电波两者的特性，如果能够实现在该频率带进行工作的器件，除了上述的成像、大容量通信·信息处理以外，还能够在物理特性、天文、生物等各种领域的测量等的广泛的用途中使用。作为振荡太赫兹带的频率的高频电磁波的元件，公知有集成了谐振隧道二极管(RTD：ResonantTunnelingDiode)和微细狭缝天线的构造的元件。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-80448号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术的主要的课题在于，在将太赫兹元件模块化的基础上，提供优选的封装构造的太赫兹装置。用于解决课题的技术手段根据本专利技术的第1方面提供的太赫兹装置，其包括：太赫兹元件，其具有在第1方向上相互分离的元件主面和元件背面，进行太赫兹波与电能量的转换；覆盖上述太赫兹元件的密封树脂；与上述太赫兹元件导通的配线层；和从上述第1方向看配置在上述太赫兹元件的周围的、由导电体形成的框状部件，上述框状部件具有能够反射上述太赫兹波的反射面。根据本专利技术的第2方面提供的太赫兹装置的制造方法，上述太赫兹装置具有进行太赫兹波与电能量的转换的太赫兹元件，上述太赫兹元件具有在第1方向上彼此分离的元件主面和元件背面，上述太赫兹装置的制造方法包括：准备支承基板的支承基板准备工序，上述支承基板具有在上述第1方向上彼此朝向相反侧的支承基板主面和支承基板背面；在上述支承基板形成由导电体构成的框状部件的框状部件形成工序；形成与上述太赫兹元件导通的配线层的配线层形成工序；以在上述第1方向上看上述框状部件配置在上述太赫兹元件的周围的方式将上述太赫兹元件搭载在上述支承基板的元件搭载工序；形成覆盖上述太赫兹元件的密封树脂的树脂形成工序；和磨削上述支承基板的磨削工序，上述框状部件具有能够反射上述太赫兹波的反射面。专利技术效果依据本专利技术的太赫兹装置，能够在将太赫兹元件模块化的基础上，获得优选的封装构造。另外，依据本专利技术的太赫兹装置的制造方法，能够在将太赫兹元件模块化的基础上，制造出优选的封装构造的太赫兹装置。附图说明图1是表示第1实施方式的太赫兹装置的俯视图。图2是表示第1实施方式的太赫兹装置的底面图。图3是沿着图1的III-III线的截面图。图4是太赫兹元件的平面图案示意图。图5是太赫兹元件的截面示意图的一例。图6是图5的部分放大图。图7是表示第1实施方式的太赫兹装置的制造方法的一个工序的截面图。图8是表示第1实施方式的太赫兹装置的制造方法的一个工序的截面图。图9是表示第1实施方式的太赫兹装置的制造方法的一个工序的截面图。图10是表示第1实施方式的太赫兹装置的制造方法的一个工序的截面图。图11是表示第1实施方式的太赫兹装置的制造方法的一个工序的俯视图。图12是表示第1实施方式的太赫兹装置的制造方法的一个工序的截面图。图13是表示第1实施方式的太赫兹装置的制造方法的一个工序的截面图。图14是表示第1实施方式的太赫兹装置的制造方法的一个工序的俯视图。图15是表示第1实施方式的太赫兹装置的制造方法的一个工序的截面图。图16是表示第1实施方式的太赫兹装置的制造方法的一个工序的截面图。图17是表示第1实施方式的太赫兹装置的制造方法的一个工序的截面图。图18是表示第1实施方式的太赫兹装置的制造方法的一个工序的截面图。图19是表示第1实施方式的太赫兹装置的制造方法的一个工序的截面图。图20是表示变形例的贯通电极的截面图。图21是表示框状部件能够采用的其它形状的俯视图。图22是表示框状部件能够采用的其它形状的俯视图。图23是表示框状部件能够采用的其它形状的俯视图。图24是表示框状部件能够采用的其它形状的俯视图。图25是表示框状部件能够采用的其它形状的俯视图。图26是表示框状部件能够采用的其它形状的俯视图。图27是表示框状部件能够采用的其它形状的俯视图。图28是表示框状部件能够采用的其它形状的俯视图。图29是表示框状部件能够采用的其它形状的俯视图。图30是表示框状部件能够采用的其它形状的俯视图。图31是表示框状部件能够采用的其它形状的俯视图。图32是表示框状部件能够采用的其它形状的俯视图。图33是表示第1实施方式的第1变形例的太赫兹装置的截面图。图34是表示第1实施方式的第2变形例的太赫兹装置的截面图。图35是表示第1实施方式的第3变形例的太赫兹装置的截面图。图36是表示第1实施方式的第4变形例的太赫兹装置的截面图。图37是表示第1实施方式的第5变形例的太赫兹装置的截面图。图38是表示第1实施方式的第6变形例的太赫兹装置的截面图。图39是表示第2实施方式的太赫兹装置的俯视图。图40是沿着图39的XL-XL线的截面图。图41是表示第2实施方式的变形例的太赫兹装置的截面图。图42是表示第3实施方式的太赫兹装置的截面图。图43是表示第3实施方式的太赫兹装置的制造方法的一个工序的截面图。图44是表示第3实施方式的太赫兹装置的制造方法的一个工序的截面图。图45是表示第3实施方式的太赫兹装置的制造方法的一个工序的截面图。图46是表示第3实施方式的太赫兹装置的制造方法的一个工序的截面图。图47是表示第3实施方式的太赫兹装置的制造方法的一个工序的截面图。图48是表示第3实施方式的太赫兹装置的制造方法的一个工序的截面图。图49是表示第3实施方式的太赫兹装置的制造方法的一个工序的截面图。图50是表示第3实施方式的太赫兹装置的制造方法的一个工序的截面图。图51是表示第3实施方式的太赫兹装置的制造方法的一个工序的截面图。图52是表示第3实施方式的变形例的太赫兹装置的截面图。图53是表示第4实施方式的太赫兹装置的俯视图。图54是沿着图53的LIV-LIV线的截面图。图55是表示第4实施方式的变形例的太赫兹装置的俯视图。图56是沿着图55的LVI-LVI线的截面图。图57是表示第5实施方式的太赫兹装置的俯视图。图58是沿着图57的LVIII-LVIII线的截面图。图59是表示第5实施方式的第1变形例的太赫兹装置的俯视图。图60是沿着图59的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太赫兹装置，其特征在于，包括：/n太赫兹元件，其具有在第1方向上相互分离的元件主面和元件背面，进行太赫兹波与电能量的转换；/n覆盖所述太赫兹元件的密封树脂；/n与所述太赫兹元件导通的配线层；和/n从所述第1方向看配置在所述太赫兹元件的周围的、由导电体形成的框状部件，/n所述框状部件具有能够反射所述太赫兹波的反射面。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180823 JP 2018-1560371.一种太赫兹装置，其特征在于，包括：
太赫兹元件，其具有在第1方向上相互分离的元件主面和元件背面，进行太赫兹波与电能量的转换；
覆盖所述太赫兹元件的密封树脂；
与所述太赫兹元件导通的配线层；和
从所述第1方向看配置在所述太赫兹元件的周围的、由导电体形成的框状部件，
所述框状部件具有能够反射所述太赫兹波的反射面。


2.如权利要求1所述的太赫兹装置，其特征在于：
所述太赫兹元件进一步具有被所述元件主面和所述元件背面夹着、并且与所述元件主面和所述元件背面相连的元件侧面，
所述密封树脂的一部分存在于所述元件侧面与所述框状部件之间。


3.如权利要求2所述的太赫兹装置，其特征在于：
所述框状部件与所述配线层分离地配置。


4.如权利要求3所述的太赫兹装置，其特征在于：
所述框状部件从所述第1方向看是包围所述太赫兹元件的环状。


5.如权利要求4所述的太赫兹装置，其特征在于：
所述框状部件具有作为所述反射面的内周面和外周面，
在所述框状部件形成有在所述第1方向上看从所述内周面连接到所述外周面的槽缝。


6.如权利要求5所述的太赫兹装置，其特征在于：
所述框状部件在所述第1方向上看包括由所述槽缝分离的多个金属单件，
所述多个金属单件的各长边方向的长度之和，比夹着所述槽缝而配置的2个金属单件的间隔距离之和小。


7.如权利要求1～6中任一项所述的太赫兹装置，其特征在于：
进一步具有支承所述太赫兹元件的支承基板，该支承基板具有与所述元件背面相对的支承基板主面和朝向与所述支承基板主面相反侧的支承基板背面。


8.如权利要求7所述的太赫兹装置，其特征在于：
进一步具有与所述配线层导通并且从所述密封树脂露出的外部电极。


9.如权利要求8所述的太赫兹装置，其特征在于：
进一步具有贯通所述支承基板的贯通电极，该贯通电极使所述配线层和所述外部电极导通。


10.如权利要求9所述的太赫兹装置，其特征在于：
在所述支承基板形成有从所述支承基板主面连接至所述支承基板背面的贯通孔，
所述贯通电极填充在所述贯通孔中。


11.如权利要求7～10中任一项所述的太赫兹装置，其特征在于：
所述配线层形成在所述支承基板上，
进一步具有存在于所述太赫兹元件与所述配线层之间，并将所述太赫兹元件与所述配线层导通接合的接合层。


12.如权利要求7～11中任一项所述的太赫兹装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：鹤田一魁，金在瑛，柳田秀彰，向井俊和，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP