一种复合膜层台面保护结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种复合膜层台面保护结构，属于半导体器件技术领域，包括半导体器件台面，半导体器件台面上设有沟槽，沟槽的外部依次设有sipos层I、掺磷二氧化硅层、掺氯二氧化硅层和sipos层II，所述沟槽的下方设有PN结,能够实现可控硅PN结的保护。在中间沉积一层吸杂能力强的掺磷二氧化硅层和固定杂质能力强的掺氯二氧化硅，使得在其工作点附近掺磷二氧化硅层和掺氯二氧化硅起到有效降低漏电流的作用，既保证高耐压和高温度特性，又兼顾了漏电流问题。解决了现有技术中出现的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种复合膜层台面保护结构
本技术一种复合膜层台面保护结构，属于半导体器件

技术介绍
如图1所示，现有技术中sipos膜为一种常用的通过氧比例来控制电荷，从而实现高耐压和高温度特性的特种钝化膜，存在的弊端是漏电流偏大，常规Sipos膜是按照SiXOY比例形成的(一般O：Si约45％左右)，可以认为是一种半绝缘膜，所以漏电流会偏大。因此怎样有效减少漏电流成为目前亟需解决的技术问题。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种复合膜层台面保护结构，解决了现有技术中出现的问题。本技术所述的一种复合膜层台面保护结构，包括半导体器件台面，半导体器件台面上设有沟槽，其特征在于：所述的沟槽的外部依次设有sipos层I、掺磷二氧化硅层、掺氯二氧化硅层和sipos层II，所述沟槽的下方设有PN结。进一步的，sipos层II的外部设有一玻璃层。进一步的，sipos层I膜层厚度为进一步的，掺磷二氧化硅层膜层厚度为进一步的，掺氯二氧化硅层膜层厚度为进一步的，sipos层II膜层厚度为本技术与现有技术相比，具有如下有益效果：本技术所述的一种复合膜层台面保护结构，能够实现可控硅PN结的保护。同时将sipos层做成夹心饼干式，中间沉积一层吸杂能力强的掺磷二氧化硅层和固定杂质能力抢的掺氯二氧化硅，其中掺磷二氧化硅层和掺氯二氧化硅层在本领域内为公知技术，不涉及对材料本身的改进；使得在其工作点附近掺磷二氧化硅层和掺氯二氧化硅起到有效降低漏电流的作用，既保证高耐压和高温度特性，又兼顾了漏电流问题。解决了现有技术中出现的问题。附图说明图1为现有技术的结构图；图2为本技术实施例的结构图；图3为本技术实施例中复合膜层的结构图；图中：1、sipos层I；2、掺磷二氧化硅层；3、掺氯二氧化硅层；4、sipos层II；5、玻璃层。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术作进一步的说明：实施例1：如图2所示，本技术所述的一种复合膜层台面保护结构，包括半导体器件台面，半导体器件台面上设有沟槽，沟槽的外部依次设有sipos层I1、掺磷二氧化硅层2、掺氯二氧化硅层3和sipos层II4，所述沟槽的下方设有PN结。sipos层II4的外部设有一玻璃层5。sipos层I1膜层厚度为掺磷二氧化硅层2膜层厚度为掺氯二氧化硅层3膜层厚度为sipos层II4膜层厚度为本实施例的工作原理为：复合膜层中间沉积一层吸杂能力强的掺磷二氧化硅层2和固定杂质能力抢的掺氯二氧化硅层3，使得在其工作点附近掺磷二氧化硅层2和掺氯二氧化硅层3起到有效降低漏电流的作用，既保证高耐压和高温度特性，又兼顾了漏电流问题。使用此方法的漏电流可以降低到常规方法的一半以内。sipos层I1厚度可以根据产品类型微调，此层越薄，漏电越小，耐压值会略低。而此层越厚，耐压值会增加，但漏电会加大，根据实际产品需求和客户需求适当调整此层厚度，实现了可控硅耐压结(PN结)的保护。掺磷二氧化硅层2中含有磷原子，其自带负电荷是目前固定电荷、减少漏电非常有效的膜层，掺氯二氧化硅因为氯离子(cl-)存在，可以有效固定Na离子(Na+)，钾离子(K+)等活跃金属离子，使得漏电流减小。表1：数据对比表上表中的数据表明，本技术实施例的技术方案可以有效固定Na离子(Na+)，钾离子(K+)等活跃金属离子，使得漏电流减小，有效提升产品性能。采用以上结合附图描述的本技术的实施例的一种复合膜层台面保护结构，能够实现PN结的保护，高耐压和高温度特性，又兼顾了漏电流问题，解决了现有技术中出现的问题。但本技术不局限于所描述的实施方式，在不脱离本技术的原理和精神的情况下这些对实施方式进行的变化、修改、替换和变形仍落入本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复合膜层台面保护结构，包括半导体器件台面，半导体器件台面上设有沟槽，其特征在于：所述的沟槽的外部依次设有sipos层I(1)、掺磷二氧化硅层(2)、掺氯二氧化硅层(3)和sipos层II(4)，所述沟槽的下方设有PN结。/n

【技术特征摘要】
1.一种复合膜层台面保护结构，包括半导体器件台面，半导体器件台面上设有沟槽，其特征在于：所述的沟槽的外部依次设有sipos层I(1)、掺磷二氧化硅层(2)、掺氯二氧化硅层(3)和sipos层II(4)，所述沟槽的下方设有PN结。


2.根据权利要求1所述的复合膜层台面保护结构，其特征在于：所述的sipos层II(4)的外部设有一玻璃层(5)。


3.根据权利要求1所述的复合膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：耿开远，
申请(专利权)人：济宁东方芯电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37