芯片结构及芯片检测方法技术

本发明专利技术涉及半导体领域，公开了一种芯片结构及芯片检测方法。本发明专利技术中，一种芯片结构，包括：衬底，设置在所述衬底上的目标二极管，以及设置在所述衬底上的测试二极管；所述测试二极管的电极的探针检测面积大于所述目标二极管的电极的探针检测面积。本发明专利技术实施方式所提供的芯片结构及芯片检测方法具有使得可以直接通过探针对芯片结构进行电性异常的检测，从而有效的减少巨量转移后由于电性异常导致的坏点，提升Micro‑LED显示面板的制备效率的优点。

【技术实现步骤摘要】
芯片结构及芯片检测方法
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种芯片结构及芯片检测方法。
技术介绍
微型发光二极管(Micro-LED)是将传统的发光二极管结构进行微小化和矩阵化，并采用集成电路工艺制成驱动电路，来实现每一个像素点定址控制和单独驱动的显示技术。由于Micro-LED技术的亮度、寿命、对比度、反应时间、能耗、可视角度和分辨率等各种指标都强于OLED(有机发光二极管)技术，加上其属于自发光、结构简单、体积小和节能的优点，已经被许多产家视为下一代显示技术而开始积极布局。现有技术中的Micro-LED显示面板在产业化生产的过程中，通常先将Micro-LED制备在晶圆上，形成芯片结构，然后通过巨量转移(MassTransfer)技术将芯片结构上的Micro-LED转移到驱动电路板上进行发光。然而，本专利技术的专利技术人发现，Micro-LED因尺寸比较小，电极尺寸更小，由于探针尺寸的限制，传统的探针检测方式已经无法完成检测，如果不对Micro-LED进行检测而直接进行巨量转移，存在很多电性异常导致的坏点，而后续修复的工艺较为繁杂，严重影响了Micro-LED显示面板的制备效率。
技术实现思路
本专利技术实施方式的目的在于提供一种芯片结构及芯片检测方法，使得可以直接使用探针对芯片结构进行电性异常的检测，从而有效的减少巨量转移后由于电性异常导致的坏点，提升Micro-LED显示面板的制备效率。为解决上述技术问题，本专利技术的实施方式提供了一种芯片结构，包括：衬底，设置在所述衬底上的目标二极管，以及设置在所述衬底上的测试二极管；所述测试二极管的电极的探针检测面积大于所述目标二极管的电极的探针检测面积。本专利技术的实施方式还提供了一种芯片检测方法，应用于检测如前述的芯片结构，使用探针对所述测试二极管进行电性测试，获取合格测试二极管，根据所述合格测试二极管获取合格目标二极管。本专利技术实施方式相对于现有技术而言，通过在衬底上设置的目标二极管中设置测试二极管，由于测试二极管的电极的探针检测面积大于目标二极管的电极的探针检测面积，从而可以直接使用探针对测试二极管进行检测。此外，由于电性异常通常为成片产生，即电性异常通常涉及多个相邻的目标二极管，通过检测测试二极管是否合格，即可表征测试二极管对应的一块区域内的目标二极管是否合格。从而可以通过探针直接对芯片结构进行电性异常的检测，有效的减少巨量转移后由于电性异常导致的坏点，提升Micro-LED显示面板的制备效率。优选的，所述衬底包括多个检测区域，各个所述检测区域内设置至少一个所述目标二极管和至少一个所述测试二极管。将衬底分为多个检测区域，各个检测区域内分别设置目标二极管和测试二极管，使用测试二极管的检测结构表征检测区域内的目标二极管的检测结果，从而对衬底上所有的目标二极管的电性异常情况进行预测，防止漏检，进一步减少巨量转移后由于电性异常导致的坏点，提升Micro-LED显示面板的制备效率。优选的，所述检测区域包括多个顶点，所述测试二极管设置在所述顶点处。将测试二极管设置在检测区域的顶点处，可以避免在检测区域内的分布过于集中，从而避免检测区域内的部分目标二极管与测试二极管距离过大、而导致的检测不准确。此外，由于测试二极管设置在检测区域的顶点处，在对检测区域内的目标二极管进行转移时，无需额外筛除测试二极管，简化转移的步骤。优选的，每两个所述测试二极管之间的间隔大于或等于预设长度。设置每两个测试二极管之间的间隔大于或等于预设长度，从而可以防止每两个测试二极管之间的目标二极管检测合格后，被转移头进行转移的过程中，由于转移头的尺寸大于检测区域的尺寸、而黏附到其它区域的目标二极管，从而防止将不合格的目标二极管也被转移，进一步减少巨量转移后由于电性异常导致的坏点，提升Micro-LED显示面板的制备效率。优选的，每两个所述测试二极管之间的间隔大于或等于3厘米。优选的，所述测试二极管所占用区域最大可设置所述目标二极管数量为N个，N为大于零的整数；所述测试二极管的发光面积等于N个所述目标二极管的发光面积。设置发光面积相等，可以使得测试二极管与目标二极管的发光情况更为接近，减少检测误差。优选的，所述根据所述合格测试二极管获取合格目标二极管，具体包括：获取所述合格测试二极管周边预设范围内的所述目标二极管作为所述合格目标二极管。优选的，所述根据所述合格测试二极管获取合格目标二极管，具体包括：将所述芯片结构划分为多个检测区域，各个所述检测区域内包括至少一个所述目标二极管和至少一个所述测试二极管；获取各个所述检测区域内所述合格测试二极管的数量作为合格数量；获取所述合格数量大于预设阈值的检测区域作为合格检测区域；将所述合格检测区域内所包含的所述目标二极管作为合格目标二极管。由于测试二极管的电极面积较目标二极管的电极面积更大，更容易出现电性异常，设置不同的预设阈值可以有效的调节检测精准度，满足不同的检测需求。优选的，所述将所述芯片结构划分为多个检测区域，具体包括：以所述测试二极管为顶点，依次连接所述测试二极管，将所述芯片结构划分为多个所述检测区域。优选的，还包括：获取制作所述芯片结构的工艺流程中、各个工艺步骤可能产生的异常；在制作所述芯片结构的过程中，每个所述工艺步骤完成后，检测是否存在所述工艺步骤可能产生的异常。每个工艺步骤完成后，检测是否存在工艺步骤可能产生的异常，即可以对除电性异常外的其它异常进行检测，减少巨量转移后由于其它类型异常导致的坏点，进一步的提升Micro-LED显示面板的制备效率。附图说明为了更清楚的说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例的示意图，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1是本专利技术第一实施方式所提供的芯片结构的结构示意图；图2是图1中A部的局部放大图；图3是本专利技术第二实施方式所提供的芯片检测方法的程序流程图；图4是本专利技术第二实施方式所提供的芯片检测方法中获取合格目标二极管的程序流程图；图5是本专利技术第三实施方式所提供的芯片检测装置的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本专利技术各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。本专利技术的第一实施方式涉及一种芯片结构，如图1、图2所示，其中，图2为图1中A部的局部放大图，包括衬底10，设置在衬底10上的目标二极管20，以及设置在衬底10上的测试二极管30，其中，测试二极管30的电极的探针检测面积大于目标二极管20的电极的探针检测面积。与现有技术相比，本专利技术第一实施方式所提供的芯片结构上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片结构，其特征在于，包括：/n衬底，设置在所述衬底上的目标二极管，以及设置在所述衬底上的测试二极管；/n所述测试二极管的电极的探针检测面积大于所述目标二极管的电极的探针检测面积。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片结构，其特征在于，包括：
衬底，设置在所述衬底上的目标二极管，以及设置在所述衬底上的测试二极管；
所述测试二极管的电极的探针检测面积大于所述目标二极管的电极的探针检测面积。


2.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述衬底包括多个检测区域，各个所述检测区域内设置至少一个所述目标二极管和至少一个所述测试二极管。


3.根据权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，所述检测区域包括多个顶点，所述测试二极管设置在所述顶点处。


4.根据权利要求3所述的芯片结构，其特征在于，每两个所述测试二极管之间的间隔大于或等于预设长度；
优选的，每两个所述测试二极管之间的间隔大于或等于3厘米。


5.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述测试二极管所占用区域可设置所述目标二极管的最大数量为N个，N为大于零的整数；
所述测试二极管的发光面积等于N个所述目标二极管的发光面积之和。


6.一种芯片检测方法，其特征在于，应用于检测如权利要求1至5中任一项所述的芯片结构，包括以下步骤：
使用探针对所述测试二极管进行电性测试，获取合格测试二极管，根据所述合格测试二极管获取合格目标二极管。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：李庆，韦冬，邢汝博，
申请(专利权)人：成都辰显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51