一种高产酸的磺酰亚胺类光产酸剂制造技术

本发明专利技术公开一种高产酸的磺酰亚胺类光产酸剂，具有通式(A)所示结构。该产酸剂对波长300-450nm特别是365nm(I线)和405nm(H线)的活性能量射线具有高灵敏度，溶解性好且产酸性强的光产酸剂。的光产酸剂。的光产酸剂。

【技术实现步骤摘要】
一种高产酸的磺酰亚胺类光产酸剂


[0001]本专利技术属于有机化学领域，具体涉及一种在300-450nm波长范围内高产酸的磺酰亚胺类光产酸剂及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]作为光刻工序中使用的抗蚀剂材料，典型示例之一是含有树脂和光产酸剂的树脂组合物，其中的树脂例如可以是羧酸的叔丁基酯或苯酚的叔丁基醚、甲硅烷基醚等。当照射紫外线等活性能量射线时，光产酸剂分解产生强酸(任选地，曝光后可进一步进行加热(PEB))，在强酸作用下，羧酸衍生物或苯酚衍生物脱保护生成羧酸或苯酚。通过这种化学变化，曝光部分的树脂在碱性显影液中变得易溶，接下来将其与碱性显影液作用，能够促使图案的形成。
[0003]化学增幅型抗蚀剂中所用的光产酸剂已知有多种类型，可分为非离子型和离子型两类。其中，离子型光产酸剂往往与溶剂的相溶性不足，在抗蚀剂材料中易发生相分离，从而无法充分发挥作用。非离子型光产酸剂则通常存在在长波长下灵敏度不足、在溶剂中溶解性较差等问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的主要在于提供一种对波长300-450nm特别是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种能够在I线、H线高产酸的磺酰亚胺类光产酸剂，具有如下通式(A)所示结构：其中，R1表示C
1-C
20
的直链或支链的烷基或氟代烷基、C
6-C
18
的取代或未取代的芳基、或樟脑基；R
2-R7各自独立地表示下列基团：氢；卤素；C
1-C
20
的直链或支链的烷基或卤代烷基，任选地，其中的-CH
2-可以被-O-所取代；苯基，任选地，其中的至少一个氢原子可以被C
1-C8的烷基或烷氧基所取代；C
7-C
20
的苯基烷基，任选地，苯基上的至少一个氢原子可以被C
1-C8的烷基或烷氧基所取代，烷基中的-CH
2-可以被-O-或-S-所取代；R1’-
CO-，其中R1’
表示C
1-C
10
的烷基、C
3-C
10
的环烷基、苯基，且任选地，苯基中的至少一个氢原子可以被C
1-C8的烷基或烷氧基所取代；R2’-
CO-O-R3’-
，其中R2’
表示C
1-C
10
的烷基、苯基，R3’
表示空、C
1-C8的烷氧基、或C
3-C8的炔基,任选地，苯基中的至少一个氢原子可以被C
1-C8的烷基所取代；R4’-
O-CO-R5’-
，其中R4’
表示C
1-C
10
的烷基，R5’
表示C
1-C
10
的亚烷基，且任选地，R4’
和R5’
中的-CH
2-可以被-O-所取代；C
2-C
10
的直链或支链的烯基；以C
3-C
10
的环烷基或C
6-C
20
的芳基为封端的C
2-C8的烯基；C
2-C
10
的直链或支链的炔基；C
1-C
10
的烷基磺酰氧基，任选地，烷基上的氢可以被氟原子所取代；或C
6-C
20
的芳基磺酰氧基；前提是R
2-R7不同时为氢。2.根据权利要求1所述的磺酰亚胺类光产酸剂，其特征在于：R1为C
1-C6的直链或支链的全氟代烷基、全氟代苯基、至少一个氢原子被C
1-C6的烷基或氟代烷基所取代的苯基、或樟脑基。3.根据权利要求1所述的磺酰亚胺类光产酸剂，其特征在于：R2、R
4-R7为氢，R3选自下列基团：卤素；C

【专利技术属性】
技术研发人员：钱晓春，胡春青，龚艳，徐丽萍，
申请(专利权)人：常州强力电子新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：