互连结构制造技术

本公开涉及一种互连结构及形成该互连结构的方法。根据本公开的互连结构包含在基板之上的导线部件；在导线部件之上的导电蚀刻停止层；在导电蚀刻停止层之上的接触导孔；以及沿着导线部件的侧壁、导电蚀刻停止层的侧壁、及接触导孔的侧壁设置的阻障层。

【技术实现步骤摘要】
互连结构
本专利技术实施例涉及自对准导孔结构，特别涉及自对准导孔结构及形成其的方法。
技术介绍
集成电路(IC)产业经历了指数增长。IC材料与设计的技术进步已经制造IC世代，其中每一代都比上一代具有更小且更复杂的电路。在IC发展的过程中，通常已经增加功能密度(functionaldensity)(亦即，每个芯片面积的互连装置的数量)，同时已经减少几何尺寸(geometrysize)(亦即，能够使用制造制程创造的最小构件(或线))。这种按照比例缩小制程通常通过提高生产效率及降低相关成本来提供收益。这种按照比例缩小制程亦增加IC的加工与制造的复杂性，且为了这些要实现的进展，需要在IC加工与制造中进行类似的发展。举例而言，当以金属线及接触导孔形成互连结构时，接触导孔可能与金属线未对准(misaligned)，导致漏电流(leakage)或电阻率增加。因此，尽管现有的互连结构及方法通常已经足以满足其预期的目的，但是它们并不是在所有方面都完全令人满意。
技术实现思路
一实施例涉及一种互连结构，其包含：于基板之上的导线部件；于导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种互连结构，其包含：/n一导线部件，于一基板之上；/n一导电蚀刻停止层，于该导线部件之上；/n一接触导孔，于该导电蚀刻停止层之上；以及/n一阻障层，沿着该导线部件的侧壁、该导电蚀刻停止层的侧壁、以及该接触导孔的侧壁设置。/n

【技术特征摘要】
20190917 US 16/572,6831.一种互连结构，其包含：
一导线部件，于一基板之上；
一导电蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴杰翰，蔡政勳，吕志伟，李忠儒，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71