使用交错的金属平面的基板介电裂纹预防制造技术

技术编号:26893457 阅读:27 留言:0更新日期:2020-12-29 16:15
本文中提供一种基板的实施例,所述基板包括:第一金属层中的第一金属平面和第二金属平面,所述第一金属平面和所述第二金属平面通过介电材料的第一间隙横向分离;以及在与所述第一金属层纵向相邻的第二金属层中的第三金属平面和第四金属平面,所述第三金属平面和所述第四金属平面通过介电材料的第二间隙横向分离,其中所述第二间隙包括第一横向移位的间隙部分和第二横向移位的间隙部分,所述第一横向移位的间隙部分在第一横向方向上从所述第一间隙的纵向覆盖区横向偏移,所述第二横向移位的间隙部分在与所述第一横向方向相反的第二横向方向上从所述第一间隙的所述纵向覆盖区横向偏移。

【技术实现步骤摘要】
使用交错的金属平面的基板介电裂纹预防
本公开总体上涉及基板,并且更具体地说,涉及预防基板的介电层中的裂纹扩展。
技术介绍
基板为一个或多个电子组件提供机械支撑。基板可以使用多个介电材料层和导电材料层来构建,以形成穿过基板的导电结构,例如包括电源层、衬垫、互连和通孔。
技术实现思路
在本公开的一个实施例中,提供了一种基板,所述基板包括:第一金属层中的第一金属平面和第二金属平面,该第一金属平面和第二金属平面通过第一介电材料间隙横向分离;以及在与第一金属层纵向相邻的第二金属层中的第三金属平面和第四金属平面,第三金属平面和第四金属平面通过介电材料的第二间隙横向分离,其中第二间隙包括第一横向移位的间隙部分和第二横向移位的间隙部分,该第一横向移位的间隙部分在第一横向方向上从第一间隙的纵向覆盖区横向偏移,该第二横向移位的间隙部分在与第一横向方向相反的第二横向方向上从第一间隙的纵向覆盖区横向偏移。上述实施例的一个方面提供了:第二间隙的第一横向移位的间隙部分由第一突起和第一互补凹部形成,第一突起在第一横向方向上从第三金属平面朝第四金属平面延伸本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板,其特征在于,包括:/n在第一金属层中的第一金属平面和第二金属平面,所述第一金属平面和所述第二金属平面通过介电材料的第一间隙横向分离;以及/n在与所述第一金属层纵向相邻的第二金属层中的第三金属平面和第四金属平面,所述第三金属平面和所述第四金属平面通过介电材料的第二间隙横向分离,其中/n所述第二间隙包括第一横向移位的间隙部分和第二横向移位的间隙部分,/n所述第一横向移位的间隙部分在第一横向方向上从所述第一间隙的纵向覆盖区横向偏移,并且/n所述第二横向移位的间隙部分在与所述第一横向方向相反的第二横向方向上从所述第一间隙的所述纵向覆盖区横向偏移。/n

【技术特征摘要】
20190627 US 16/455,4281.一种基板,其特征在于,包括:
在第一金属层中的第一金属平面和第二金属平面,所述第一金属平面和所述第二金属平面通过介电材料的第一间隙横向分离;以及
在与所述第一金属层纵向相邻的第二金属层中的第三金属平面和第四金属平面,所述第三金属平面和所述第四金属平面通过介电材料的第二间隙横向分离,其中
所述第二间隙包括第一横向移位的间隙部分和第二横向移位的间隙部分,
所述第一横向移位的间隙部分在第一横向方向上从所述第一间隙的纵向覆盖区横向偏移,并且
所述第二横向移位的间隙部分在与所述第一横向方向相反的第二横向方向上从所述第一间隙的所述纵向覆盖区横向偏移。


2.根据权利要求1所述的基板,其特征在于
所述第二间隙的所述第一横向移位的间隙部分由第一突起和第一互补凹部形成,所述第一突起在第一横向方向上从所述第三金属平面朝所述第四金属平面延伸越过所述第一间隙的所述纵向覆盖区,所述第一互补凹部在所述第一横向方向上后退到所述第四金属平面中。


3.根据权利要求1所述的基板,其特征在于
所述第二间隙的所述第二横向移位的间隙部分是由第二突起和第二互补凹部形成,所述第二突起在与所述第一横向方向相反的第二横向方向上从所述第四金属平面朝所述第三金属平面延伸越过所述第一间隙的所述纵向覆盖区,所述第二互补凹部在所述第二横向方向上后退到所述第三金属平面中。


4.根据权利要求1所述的基板,其特征在于
所述第二间隙还包括:
多个第一横向移位的间隙部分,
多个第二横向移位的间隙部分,
多个中间间隙部分,每个中间间隙部分具有连接到相应的第一横向移位的间隙部分的一端和连接到相应的第二横向移位的间隙部分的另一端。


5.根据权利要求1所述的基板,其特征在于
所述第一横向移位的间隙部分和所述第二横向移位的间隙部分通过居间金属部分横向分离,所述居间金属部分的长度大于所述第一金属层中的所述第一间隙的所述纵向覆盖区的宽度,并且
所述居间金属部分定位在所述第三金属平面与所述第四金属平面之间。


6.一种基板,其特征在于,包括:
在第一金属层中的第一金属平面和第二金属平面,其中
所述第一金属平面的第一边缘和所述第二金属平面的第二边缘通过介电材料的第一间隙分离;以及
在第二金属层中...

【专利技术属性】
技术研发人员:周庭东特里瓦·乔·埃希曼斯坦利·安德鲁·塞卡詹姆斯·S·戈拉布冯志成
申请(专利权)人:恩智浦美国有限公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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