一种三层板结构的封装基板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种三层板结构的封装基板及其制作方法，涉及封装基板技术领域。包括内层线路层以及外层压合层，所述内层线路层的顶部以及底部均设置有外层线路层，所述内层线路层包括芯板，所述芯板的顶部以及底部均依次设置有内层厚铜箔、内层薄铜箔、内层半固化片以及内层中厚铜箔，所述外层压合层包括外层半固化片以及外层薄铜箔。通过设置内层线路层以及外层压合层，封装基板板边六边形铺铜设计增加残铜率，有效的解决了后续压合时因排气不足导致封装基板内有气泡等问题，避免了三层板分板过程板翘曲现象，有效地防止了在压合过程中发生铜箔起皱、起泡、溢胶不良现象，提高了产品的良率，具有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种三层板结构的封装基板及其制作方法
本专利技术涉及封装基板
，具体为一种三层板结构的封装基板及其制作方法。
技术介绍
作为电子信息产业的基础行业，封装基板行业的产业规模越来越大，随着电子电路行业技术高速发展，电子封装基板技术向着高速度、超薄、高可靠性的方向发展，元器件的集成功能日益广泛，电子产品对封装基板的高密度化要求更为突出，从PCB行业到封装基板行业发展至今，通信、航空、医疗、汽车电子、平板电脑、智能手机等广泛应用，目前封装基板行业，大多以偶数多层封装基板，奇数多层板为少数，而三层封装基板是芯片封装过程中会用到的封装基板。现有的三层封装基板的制作方法是找芯板的双面涂覆临时键合材料再压合半固化片之后，使用增层法形成线路，进行2次层压加工后在芯板的双面形成两个三层封装基板，将该两个三层封装基板从所述芯板上分板，形成三层板，而现有技术中制作的三层封装基板，由于相邻两层树脂压合时的条件不同，导致相邻两层树脂之间内应力差，因此形成三层基板的结构上不对称，造成三层封装基板存在高翘曲问题，此外采用ABF树脂制作三层基板的价格昂贵。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种三层板结构的封装基板及其制作方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种三层板结构的封装基板及其制作方法，包括内层线路层以及外层压合层，所述内层线路层的顶部以及底部均设置有外层线路层，所述内层线路层包括芯板，所述芯板的顶部以及底部均依次设置有内层厚铜箔、内层薄铜箔、内层半固化片以及内层中厚铜箔；所述外层压合层包括外层半固化片以及外层薄铜箔，两个所述内层中厚铜箔的相背面均依次设置有外层半固化片以及外层薄铜箔。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述芯板为环氧树脂玻纤基材。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述内层厚铜箔的厚度为18um，所述内层薄铜箔的厚度为3um。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述内层半固化片的厚度为25um，所述内层中厚铜箔的厚度为12um。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述外层半固化片的厚度为25um，所述外层薄铜箔的厚度为3um。一种三层板结构的封装基板制作方法，包括以下步骤：S1、承载板制作：采用环氧树脂玻纤基材为芯板，在芯板双面形成内层厚铜箔和内层薄铜箔，用液压真空机在芯板双面热压上不会重结晶的内层厚铜箔，在两层内层厚铜箔上分别叠加一层内层薄铜箔进行压合形成承载板；S2、封装基板制作：在承载板的双面依次进行内层半固化片以及内层中厚铜箔的高温压合作业，经过高温、高压使内层半固化片溶化与内层薄铜箔紧密结合在一起，与承载板两面的内层薄铜箔上组合形成六层结构的封装基板；S3、内层线路层制作：在封装基板的内层中厚铜箔上分别制作相同的内层线路层，显影蚀刻成线路图形；S4、压合前棕化处理：封装基板通过酸洗液以及棕化液药水的处理，提高封装基板的内层薄铜箔与内层半固化片的结合力，在封装基板的线路铜面形成双面棕化层；S5、外层压合作业：在封装基板的两面依次进行外层半固化片以及外层薄铜箔的高温压合作业，其经过高温、高压使外层半固化片溶化并和外层薄铜箔与封装基板的棕化层紧密结合在一起形成八层结构的封装基板；S6、分板作业：将八层结构的封装基板采用制作加工分离，将内层厚铜箔与内层薄铜箔处分开，形成两个三层板结构一致的封装基板与承载板结构，承载板结构为芯板及双面内层厚铜箔组成。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述S1中承载板制作的具体步骤为：以1张100um厚的玻璃环氧基基材作为芯板，用液压真空机在其两侧热压上不会重结晶的内层厚铜箔，在内层厚铜箔上分别叠加一层内层薄铜箔，热压压力为30Kg/cm2，热压温度为180℃，主热压时间为1小时，热压结束后放冷，当温度达到50摄氏度左右时，取出得到双面厚度为18um+3um的承载板。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述S2中封装基板压合前无需经过棕化处理，内层半固化片从冷冻仓取出后先回温8-12小时，内层半固化片尺寸比封装基板尺寸单边长2.5mm，内层半固化片型号根据产品要求选择对应含胶量的内层半固化片型号。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述S2中封装基板压合后，在压合后的封装基板的铜箔面贴上一层感光干膜，贴膜的过程中，将压合后的封装基板先酸洗板面，通过粗化液药水对封装基板板面粗化处理，提高干膜与封装基板的铜箔面之间的结合力，再以水洗板面残留的粗化液药水，然后酸洗板面氧化，强风吹干烘干封装基板板面，再将有厚度的感光干膜抽真空压附在封装基板的铜箔上形成压膜制作，得到双面附干膜的六层结构的封装基板。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述S6中对封装基板分板时，先封装基板的位置进行固定，封装基板按照长方向放置于台面，外层压合后的外层薄铜箔面朝上，封装基板两端固定位置，保证封装基板在分板的过程中不会移动以免产生刮花。与现有技术相比，本专利技术提供了一种三层板结构的封装基板及其制作方法，具备以下有益效果：该三层板结构的封装基板及其制作方法，通过设置内层线路层以及外层压合层，封装基板板边六边形铺铜设计增加残铜率，有效的解决了后续压合时因排气不足导致封装基板内有气泡等问题，避免了三层板分板过程板翘曲现象，有效地防止了在压合过程中发生铜箔起皱、起泡、溢胶不良现象，提高了产品的良率，具有广阔的应用前景。附图说明图1为本专利技术提出的一种三层板结构的封装基板及其制作方法的结构示意图；图2为本专利技术提出的一种三层板结构的封装基板及其制作方法的承载板结构正视图；图3为本专利技术提出的一种三层板结构的封装基板及其制作方法的封装基板结构正视图；图4为本专利技术提出的一种三层板结构的封装基板及其制作方法的内层线路层曝光示意图；图5为本专利技术提出的一种三层板结构的封装基板及其制作方法的内层线路层显影示意图；图6为本专利技术提出的一种三层板结构的封装基板及其制作方法的内层线路层蚀刻示意图；图7为本专利技术提出的一种三层板结构的封装基板及其制作方法的干膜退膜示意图；图8为本专利技术提出的一种三层板结构的封装基板及其制作方法的分板作业示意图；图9为本专利技术提出的一种三层板结构的封装基板及其制作方法的制作流程示意图。图中：1、内层线路层；11、芯板；12、内层厚铜箔；13、内层薄铜箔；14、内层半固化片；15、内层中厚铜箔；2、外层压合层；21、外层半固化片；22、外层薄铜箔。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例一：请参阅图1-8所示，一种三层板结构的封装基板，包括内层线路层1以及外层压合层2，所述内层线路层1的顶部以及底部均设置有外层线路层，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三层板结构的封装基板，包括内层线路层（1）以及外层压合层（2），其特征在于：所述内层线路层（1）的顶部以及底部均设置有外层线路层，所述内层线路层（1）包括芯板（11），所述芯板（11）的顶部以及底部均依次设置有内层厚铜箔（12）、内层薄铜箔（13）、内层半固化片（14）以及内层中厚铜箔（15）；/n所述外层压合层（2）包括外层半固化片（21）以及外层薄铜箔（22），两个所述内层中厚铜箔（15）的相背面均依次设置有外层半固化片（21）以及外层薄铜箔（22）。/n

【技术特征摘要】
1.一种三层板结构的封装基板，包括内层线路层（1）以及外层压合层（2），其特征在于：所述内层线路层（1）的顶部以及底部均设置有外层线路层，所述内层线路层（1）包括芯板（11），所述芯板（11）的顶部以及底部均依次设置有内层厚铜箔（12）、内层薄铜箔（13）、内层半固化片（14）以及内层中厚铜箔（15）；
所述外层压合层（2）包括外层半固化片（21）以及外层薄铜箔（22），两个所述内层中厚铜箔（15）的相背面均依次设置有外层半固化片（21）以及外层薄铜箔（22）。


2.根据权利要求1所述的一种三层板结构的封装基板，其特征在于：所述芯板（11）为环氧树脂玻纤基材。


3.根据权利要求1所述的一种三层板结构的封装基板，其特征在于：所述内层厚铜箔（12）的厚度为18um，所述内层薄铜箔（13）的厚度为3um。


4.根据权利要求1所述的一种三层板结构的封装基板，其特征在于：所述内层半固化片（14）的厚度为25um，所述内层中厚铜箔（15）的厚度为12um。


5.根据权利要求1所述的一种三层板结构的封装基板，其特征在于：所述外层半固化片（21）的厚度为25um，所述外层薄铜箔（22）的厚度为3um。


6.一种基于权利要求1-5任意一项所述的三层板结构的封装基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、承载板制作：采用环氧树脂玻纤基材为芯板（11），在芯板（11）双面形成内层厚铜箔（12）和内层薄铜箔（13），用液压真空机在芯板（11）双面热压上不会重结晶的内层厚铜箔（12），在两层内层厚铜箔（12）上分别叠加一层内层薄铜箔（13）进行压合形成承载板；
S2、封装基板制作：在承载板的双面依次进行内层半固化片（14）以及内层中厚铜箔（15）的高温压合作业，经过高温、高压使内层半固化片（14）溶化与内层薄铜箔（13）紧密结合在一起，与承载板两面的内层薄铜箔（13）上组合形成六层结构的封装基板；
S3、内层线路层（1）制作：在封装基板的内层中厚铜箔（15）上分别制作相同的内层线路层（1），显影蚀刻成线路图形；
S4、压合前棕化处理：封装基板通过酸洗液以及棕化液药水的处理，提高封装基板的内层薄铜箔（13）与内层半固化片（14）的结合力，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳长来，
申请(专利权)人：深圳和美精艺半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44