X射线平板探测器的制作方法及X射线平板探测器技术

本申请实施例提供一种X射线平板探测器的制作方法及X射线平板探测器，涉及平板探测器技术领域，包括：提供基板，在所述基板的一侧沉积第一电极层，在所述第一电极层远离所述基板的一侧沉积非晶态氧化铅层，在所述非晶态氧化铅层远离所述第一电极层的一侧沉积第二电极层，以提供一种新的材料作为平板探测器的转光层，以解决现有的直接型平板探测器制造成本较高、稳定性较差等问题。

【技术实现步骤摘要】
X射线平板探测器的制作方法及X射线平板探测器
本申请涉及探测器
，尤其涉及一种X射线平板探测器的制作方法及X射线平板探测器。
技术介绍
直接型平板探测器，是使用半导体材料将X射线光子直接转换成载流子(电子或空穴)并读出成像的技术。直接型平板探测器有着高灵敏度与高对比度的特点，可应用于医疗辐射成像、工业探伤、安检等领域。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本申请提供了一种X射线平板探测器的制作方法及X射线平板探测器，以解决现有的平板探测器使用成本较高、稳定性较差等问题。第一方面，本申请提供了一种X射线平板探测器的制作方法，其特征在于，包括：提供基板；在所述基板的一侧沉积第一电极层；在所述第一电极层远离所述基板的一侧沉积非晶态氧化铅层；在所述非晶态氧化铅层远离所述第一电极层的一侧沉积第二电极层。进一步地，所述非晶态氧化铅层的厚度为10-500μm。进一步地，所述非晶态氧化铅层通过磁控溅射的方法制作获得。进一步地，所述非晶态氧化铅层通过对向靶溅射的方法制作获得。进一步地，所述对象靶溅射的压强位于0.1～0.6Pa之间，电流位于5～10A之间，电压位于200～500V之间，溅射等离子发生器总功率位于1500～4000W之间，Ar气与氧气比值位于50/2.0～50/0.1之间。进一步地，所述在所述第一电极层远离所述基板的一侧沉积非晶态氧化铅层之前，还包括：在所述第一电极层远离所述基板的一侧沉积第一界面层；所述在所述第一电极层远离所述基板的一侧沉积所述非晶态氧化铅层之后，还包括：在所述非晶态氧化铅层远离第一电极层的一侧沉积第二界面层。进一步地，所述第一界面层包括TiO2、ZnO、AZO、MZO、SnO2以及PEIE中的至少一种，所述第二界面层包括Se、MoO3、WO3、NiO、V2O5以及PEDOT:PSS中的至少一种。第二方面，本申请提供了一种X射线平板探测器，包括：基板；设置在所述基板一侧的第一电极层；设置在所述第一电极层远离所述基板一侧的非晶态氧化铅层，所述非晶态氧化铅层包括非晶态氧化铅；设置在所述非晶态氧化铅层远离所述第一电极层一侧的第二电极层。进一步地，所述非晶态氧化铅层的厚度为10-500μm。进一步地，所述非晶态氧化铅层通过磁控溅射的方法制作。进一步地，所述非晶态氧化铅层通过对向靶溅射的方法制作获得。进一步地，所述平板探测器还包括第一界面层和第二界面层，所述第一界面层位于所述第一电极层和所述非晶态氧化铅层之间，所述第二界面层位于所述非晶态氧化铅层和所述第二电极层之间。进一步地，所述第一界面层包括TiO2、ZnO、AZO、MZO、SnO2以及PEIE中的至少一种，所述第二界面层包括Se、MoO3、WO3、NiO、V2O5以及PEDOT:PSS中的至少一种。附图说明图1为本申请实施例提供的X射线平板探测器的制作方法的流程图；图2A-2F为本申请实施例提供的X射线平板探测器的工艺流程图；图3为本申请实施例提供的X射线平板探测器的TFT层等效电路示意图；图4为本申请实施例提供的X射线平板探测器的结构示意图；具体实施方式下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。为了彻底理解本专利技术，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本专利技术的技术方案。本专利技术的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本专利技术还可以具有其他实施方式。基于非晶硒(Se)材料的商业化的直接型平板探测器占据了绝对的主流，非晶硒作为转光层((也称为转化层)作用是将高能量的入射X射线光子并转化为载流子(电子空穴对)的一种膜层)材料有着大规模均匀性成膜简单的优点，故而被广泛使用。然而，专利技术人发现非晶硒材料有如下缺点：非晶硒的晶化温度为70℃左右，晶化后变成多晶，会导致器件性能发生变化，在极端条件下引起器件失效。如：在夏天密闭的没有空调的车厢内运输时，由于车厢内长时间的高温会使得非晶硒薄膜逐渐晶化为多晶，最终导致产品性能变化甚至失效。此外，硒的原子序数低(34)，对X射线(尤其是高能X射线)吸收较差，限制了其应用范围。故非晶硒应用局限在乳腺机(Mammography)，无法拓展至其他应用(如胸透、齿科、工业安防等)。为了充分吸收X射线，需要提高非晶硒膜厚，膜厚的增加会导致膜层的均匀性变差，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种X射线平板探测器的制作方法，其特征在于，包括：/n提供基板；/n在所述基板的一侧沉积第一电极层；/n在所述第一电极层远离所述基板的一侧沉积非晶态氧化铅层；/n在所述非晶态氧化铅层远离所述第一电极层的一侧沉积第二电极层。/n

【技术特征摘要】
1.一种X射线平板探测器的制作方法，其特征在于，包括：
提供基板；
在所述基板的一侧沉积第一电极层；
在所述第一电极层远离所述基板的一侧沉积非晶态氧化铅层；
在所述非晶态氧化铅层远离所述第一电极层的一侧沉积第二电极层。


2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述非晶态氧化铅层的厚度为10-500μm。


3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述非晶态氧化铅层通过磁控溅射的方法制作获得。


4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述非晶态氧化铅层通过对向靶溅射的方法制作获得。


5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述对象靶溅射的压强位于0.1～0.6Pa之间，电流位于5～10A之间，电压位于200～500V之间，溅射等离子发生器总功率位于1500～4000W之间，Ar气与氧气比值位于50/2.0～50/0.1之间。


6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一电极层远离所述基板的一侧沉积非晶态氧化铅层之前，还包括：
在所述第一电极层远离所述基板的一侧沉积第一界面层；
所述在所述第一电极层远离所述基板的一侧沉积所述非晶态氧化铅层之后，还包括：
在所述非晶态氧化铅层远离第一电极层的一侧沉积第二界面层。


7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第一界面层包括TiO2、Z...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗宏德，金利波，
申请(专利权)人：奕瑞影像科技太仓有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32