【技术实现步骤摘要】
非晶硅转印靶材的重复利用方法
本专利技术涉及非晶硅转印靶材的重复利用方法。
技术介绍
在半导体及光伏行业，局部非晶硅沉积技术有着重要的应用价值，例如半导体行业中制作集成电路，光伏行业的太阳电池制作中制作局部发射极等。非晶硅转印工艺是一种简洁高效的局部非晶硅沉积工艺，该工艺采用表面预先沉积非晶硅层的石英载板作为非晶硅转印靶材，将靶材置于待沉积非晶硅的半导体器件附近，靶材上的非晶硅层朝向器件，使用激光照射靶材的特定区域，靶材上位于该特定区域的非晶硅吸收激光能量后蒸发，蒸发的非晶硅脱离靶材表面并按照特定路径转移至器件表面，可以实现半导体器件的局部非晶硅沉积。非晶硅转印靶材是非晶硅转印工艺中必不可少的耗材，经非晶硅转印工艺使用过的非晶硅转印靶材不能直接重复利用，若直接重复利用，会影响非晶硅转印的效果。目前靶材的消耗在非晶硅转印工艺的实施中占有较高的成本，故需要设计一种使非晶硅转印靶材可以重复利用的方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种非晶硅转印靶材的重复利用方法，其能对经非晶硅转印工艺...
【技术保护点】
1.非晶硅转印靶材的重复利用方法，其特征在于，非晶硅转印靶材经非晶硅转印工艺使用后，先将载板表面残留的非晶硅清除掉，再通过低压化学气相沉积工艺在载板表面沉积非晶硅层。/n
【技术特征摘要】
1.非晶硅转印靶材的重复利用方法，其特征在于，非晶硅转印靶材经非晶硅转印工艺使用后，先将载板表面残留的非晶硅清除掉，再通过低压化学气相沉积工艺在载板表面沉积非晶硅层。
2.根据权利要求1所述的非晶硅转印靶材的重复利用方法，其特征在于，通过激光扫描将载板表面残留的非晶硅清除掉。
3.根据权利要求2所述的非晶硅转印靶材的重复利用方法，其特征在于，所述通过激光扫描将载板表面残留的非晶硅清除掉，包括如下具体步骤：将载板至于激光装置台面上方，使载板有非晶硅残留的一面朝下，且使载板高于台面1～2cm；使用激光整面扫描载板，残留的非晶硅吸收激光能量后蒸发掉。
4.根据权利要求3所述的非晶硅转印靶材的重复利用方法，其特征在于，所述激光装置为非晶硅转印工艺所用的激光装置。
5.根据权利要求3所述的非晶硅转印靶材的重复利用方法，其特征在于，所述激光能量不低于非晶硅转印工艺所用激光能量。
6.根据权利要求1所述的非晶硅转印靶材的重复利用方法，其特征在于，通过清洗将载板表面残留的非晶硅清除掉。
7.根据权利要求6所述的非晶硅转印靶材的重复利用方法，其特征在于，所述通过清洗将载板表面残留的非晶硅清除掉，包括如下具体步骤：先采用碱溶液对载板进行清洗，碱溶液为1～15wt%的NaOH或KOH溶液，溶液温度为40～85℃，清洗时间为10～180min；再采用盐酸和双氧水的混合溶液对载板进行清洗，盐酸的质量浓度为5%～20%，双氧水的质量浓度为5%～20%，溶液温...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈梦超，符黎明，
申请(专利权)人：常州时创能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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