非晶硅转印靶材及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种非晶硅转印靶材的制备方法，选用高纯石英板作为非晶硅载板，使用盐酸双氧水混合液对非晶硅载板进行清洗，使用低压化学气相沉积的方法在载板表面沉积非晶硅层。本发明专利技术制备方法简单，本发明专利技术制备的非晶硅靶材在非晶硅转印工艺中剥离率高，均匀性好，同时非晶硅脱离靶材后路径稳定可实现高精度的非晶硅转印。

【技术实现步骤摘要】
非晶硅转印靶材及其制备方法
本专利技术涉及非晶硅转印靶材及其制备方法。
技术介绍
在半导体及光伏行业，局部非晶硅沉积技术有着重要的应用价值，例如半导体行业中制作集成电路，光伏行业的太阳电池制作中制作局部发射极等。目前量产应用的局部非晶硅沉积技术都不够简洁高效，如果能通过转印工艺实现局部非晶硅沉积，将会使局部非晶硅沉积的工艺变得更加简洁高效。转印工艺需要用到靶材，但目前还没有专用于局部非晶硅沉积的非晶硅转印靶材。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种非晶硅转印靶材及其制备方法，本专利技术制备的非晶硅转印靶材适用于局部非晶硅沉积的转印工艺。为实现上述目的，本专利技术提供一种非晶硅转印靶材的制备方法，采用高纯石英板作为载板，先对载板进行清洗，再通过低压化学气相沉积工艺在载板表面沉积非晶硅层。优选的，所述高纯石英板中SiO2的质量含量不小于99.99%，金属杂质的质量含量不大于15ppm；高纯石英板的厚度均匀性要求为：石英板各位置厚度差小于5um；高纯石英板的表面平滑度要求为：石英板单侧表面高度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.非晶硅转印靶材的制备方法，其特征在于，采用高纯石英板作为载板，先对载板进行清洗，再通过低压化学气相沉积工艺在载板表面沉积非晶硅层。/n

【技术特征摘要】
1.非晶硅转印靶材的制备方法，其特征在于，采用高纯石英板作为载板，先对载板进行清洗，再通过低压化学气相沉积工艺在载板表面沉积非晶硅层。


2.根据权利要求1所述的非晶硅转印靶材的制备方法，其特征在于，所述高纯石英板中SiO2的质量含量不小于99.99%，金属杂质的质量含量不大于15ppm；高纯石英板的厚度均匀性要求为：石英板各位置厚度差小于5um；高纯石英板的表面平滑度要求为：石英板单侧表面高度差小于0.2um。


3.根据权利要求1所述的非晶硅转印靶材的制备方法，其特征在于，所述高纯石英板的厚度为0.2～2mm；非晶硅层的厚度为10～2000nm。


4.根据权利要求1所述的非晶硅转印靶材的制备方法，其特征在于，所述对载板进行清洗，包括如下具体步骤：先采用氨水和双氧水的混合溶液对载板进行清洗，氨水的质量浓度为0.5%～10%，双氧水的质量浓度为0.5%～10%，溶液温度为40～70℃，清洗时间为1～30min；再采用盐酸和双氧水的混合溶液对载板进行清洗，盐酸的质量浓度为1%～10%，双氧水的质量浓度为0.5%～10%，溶液温度为40～85℃，清洗时间为3～20min。


5.根据权利要求1所述的非晶硅转印靶材的制备方法，其特征在于，所述通过低压化学气相沉积工艺在载板表面沉积非晶硅层，包括如下具体步骤：将清洗后的载...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈梦超，符黎明，
申请(专利权)人：常州时创能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32