【技术实现步骤摘要】
一种MiniLED芯片的制备方法
本专利技术属于半导体发光二极管
，涉及一种MiniLED芯片的制备方法。
技术介绍
对于MiniLED芯片进行应用时会注重光电转换效率最优设计，因此工作电流都会比较低，但需求芯片尺寸又相对较大，因此使用时无法达到最优转换效率。如果想达到最佳转换效率需要进行芯片尺寸缩小，但芯片尺寸缩小后焊盘及焊盘间距也要相应减小，这样会给应用端带来困难。本专利技术制备的MiniLED芯片可以使整体芯片尺寸设计不变，焊盘大小及间距不变，可以实现小电流下高的光电换效率的应用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于通过改变ITO电流扩展层的设计面积，减小芯片有效发光面积，以确保大尺寸芯片在小电流下仍可达到最佳转换效率。例如实际工作电流是最佳转换效率对应电流的10%-90%，相应的，实际ITO面积需减小为原ITO面积10%-90%，其中最佳转换效率可以是转换效率最高点或者其附近转换效率略低的点。本专利技术的技术方案：一种MiniLED芯片的制备方法，包括以下步骤：
【技术保护点】
1.一种Mini LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、提供一衬底，依次在衬底上制作N型半导体层、发光层和P型半导体层，形成LED晶圆；/nS2、使用光刻胶，形成MESA图层，以MESA图层为掩模对LED晶圆进行ICP刻蚀，形成N型半导体台面并去除光刻胶；/nS3、沉积电流阻挡层CBL，使用光刻胶进行CBL光刻，在光刻胶层上形成CBL图层；/nS4、对CBL图层进行电流阻挡层刻蚀，形成与CBL图层相对应的电流阻挡层，并去除光刻胶；/nS5、在LED晶圆上沉积ITO透明导电层；/nS6、根据所需峰值电流来设计相对应ITO面积图案大小；峰值电流的减小百分比与...
【技术特征摘要】
1.一种MiniLED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、提供一衬底，依次在衬底上制作N型半导体层、发光层和P型半导体层，形成LED晶圆；
S2、使用光刻胶，形成MESA图层，以MESA图层为掩模对LED晶圆进行ICP刻蚀，形成N型半导体台面并去除光刻胶；
S3、沉积电流阻挡层CBL，使用光刻胶进行CBL光刻，在光刻胶层上形成CBL图层；
S4、对CBL图层进行电流阻挡层刻蚀，形成与CBL图层相对应的电流阻挡层，并去除光刻胶；
S5、在LED晶圆上沉积ITO透明导电层；
S6、根据所需峰值电流来设计相对应ITO面积图案大小；峰值电流的减小百分比与面积减小的百分比一致；
S7、使用光刻胶对ITO透明导电层进行ITO光刻，形成所需ITO图层；
S8、以...
【专利技术属性】
技术研发人员：王思博，廖汉忠，
申请(专利权)人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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