阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法。阵列基板包括衬底基板、第一金属层、栅极绝缘层、有源层、第二金属层、栅极层、钝化层以及电极走线层。本发明专利技术通过在阵列基板上设置有多个晶体管单元，可实现在每一晶体管单元中形成两个沟道开关或者形成一个沟道开关及一个电容，并且纵向设置栅极层，提高了弯折柔韧性，并降低了晶体管单元的阈值电压发生漂移的情况。低了晶体管单元的阈值电压发生漂移的情况。低了晶体管单元的阈值电压发生漂移的情况。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)具有宽视角、广色域、高对比度、低功耗和可折叠/柔性等一系列优点，在新世代显示技术中极具竞争力和发展前景，其中有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)技术更是当前显示技术的重点发展方向之一。
[0003]铟镓锌氧化物(IGZO)作为一种衬底基板晶体管(TFT)中的非晶氧化物半导体薄膜，其载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率，使得大尺寸超高分辨率面板成为可能。另外，由于晶体管数量减少和提高了每个像素的透光率，铟镓锌氧化物显示器具有更高的能效水平，而且效率更高。并且，铟镓锌氧化物可以利用现有的非晶硅生产线生产，只需稍加改动，因此在成本方面比低温多晶硅在有源矩阵有机电致发光二极管(AMOLED)领域更有竞争力。
[0004]但相比于低温多晶硅，铟镓锌氧化物仍然存在一定的不足，尤其是目前铟镓锌氧化物的迁移率要低于低温多晶硅(LTPS)，所以要达到所需的电流，往往需要较大的晶体管尺寸，对于窄边框面板设计来说，这是一个非常不利的方面。
[0005]并且，如图1所示，现有的有源矩阵有机电致发光二极管90的基本像素驱动电路至少包括一个开关晶体管(Switch TFT，STFT)91，一个驱动晶体管(Driver TFT，DTFT)92，一个存储电容(Cst)93及一个有机发光二极管(OLED)94。因驱动晶体管92受制程工艺的均一性和随使用时间的衰减等因素制约使其阈值电压(Vth)易发生漂移，导致有机发光二极管94驱动电流易发生变化，使得有机发光二极管94显示图像不均匀，影响画质。因此通常以双栅结构等具有补偿功能的电路设计来抑制漏电流对像素电路的影响，但这样的设计会影响有源矩阵有机电致发光二极管显示器的柔韧性。

技术实现思路

[0006]本专利技术提供一种阵列基板及其制作方法，用于解决目前有源矩阵有机电致发光二极管显示器以双栅结构等具有补偿功能的电路设计来抑制漏电流对像素电路的影响导致柔韧性降低的技术问题。
[0007]本专利技术提供一种阵列基板，包括衬底基板、第一金属层、栅极绝缘层、有源层、第二金属层、栅极层、钝化层以及电极走线层；具体地讲，所述第一金属层包括多个间隔设置的第一电极，设于所述衬底基板上；所述栅极绝缘层设于所述衬底基板上并完全覆盖所述第一金属层；所述有源层包括多个有源单元，设于所述栅极绝缘层上；每一有源单元与每一所述第一电极对应设置且电性连接；所述第二金属层包括多个间隔设置的第二电极，设于所述有源层上；每一第二电极设于每一所述有源单元上且电性连接；所述栅极层沿垂直于所述衬底基板方向设于相邻两个所述有源单元之间的栅极绝缘层内；所述钝化层设于所述栅
极绝缘层上，且覆盖所述第二金属层及所述栅极层；所述电极走线层设于所述钝化层上，且与位于所述栅极层两侧的两个第二电极电性连接。
[0008]进一步地，所述的阵列基板还包括欧姆接触层，所述欧姆接触层包括多个间隔设置控制单元，所述控制单元的一端连接所述第一电极，所述控制单元的另一端连接所述有源单元。
[0009]进一步地，所述欧姆接触层设于所述衬底基板上，所述第一金属层设于所述欧姆接触层上，其中所述第一电极覆盖于所述控制单元的一端，所述有源单元与所述第一电极间隔设置且与所述控制单元的上表面连接。
[0010]进一步地，所述阵列基板上设置有多个晶体管单元，每一晶体管单元包括两个所述控制单元、两个所述第一电极、两个所述有源单元、一个所述栅极层、两个所述第二电极。
[0011]进一步地，其中两个所述控制单元中的一个为导体，另一个为半导体，用于在每一所述晶体管单元中形成一个沟道开关及一个电容；或者其中两个所述控制单元均为导体，用于在每一所述晶体管单元中形成两个沟道开关。
[0012]进一步地，所述栅极层为长方体形或圆柱体形；所述栅极层的高度与所述有源单元的高度相同。
[0013]进一步地，所述第二电极与所述第一电极对应设置，所述有源单元设于所述第二电极与所述第一电极之间；所述阵列基板上设置有多个晶体管单元，每一晶体管单元包括两个所述第一电极、两个所述有源单元、一个所述栅极层、两个所述第二电极。
[0014]进一步地，所述第一电极、所述第二电极与所述有源单元的连接面上设有多个突起，用于增大所述第一电极、所述第二电极与所述有源单元的接触面积。
[0015]本专利技术还提供一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：
[0016]在一衬底基板上制作第一金属层，并对所述第一金属层图案化处理形成多个间隔设置的第一电极；
[0017]在所述衬底基板上制作栅极绝缘层，所述栅极绝缘层完全覆盖所述第一金属层；
[0018]在所述栅极绝缘层上制作有源层，所述有源层包括多个有源单元，每一有源单元与每一所述第一电极对应设置且电性连接；
[0019]在所述有源层上制作第二金属层，所述第二金属层包括多个间隔设置的第二电极；每一第二电极设于每一所述有源单元上且电性连接；
[0020]在相邻两个所述有源单元之间的栅极绝缘层内制作栅极层，所述栅极层沿垂直于所述衬底基板方向设置；
[0021]在所述栅极绝缘层上制作钝化层，所述钝化层覆盖所述第二金属层及所述栅极层；以及
[0022]在所述钝化层上制作电极走线层，所述电极走线层与位于所述栅极层两侧的两个第二电极电性连接。
[0023]进一步地，在所述衬底基板上制作第一金属层之前还包括:在所述衬底基板上制作欧姆接触层，所述欧姆接触层包括多个间隔设置控制单元，所述控制单元的一端连接所述第一电极，所述控制单元的另一端连接所述有源单元；所述栅极层的高度与所述有源单元的高度相同。
[0024]本专利技术的有益效果在于，提供一种阵列基板及其制作方法，通过在所述阵列基板
上设置有多个晶体管单元，每一晶体管单元包括两个所述控制单元、两个所述第一电极、两个所述有源单元、一个所述栅极层、两个所述第二电极，或者每一晶体管单元包括两个所述第一电极、两个所述有源单元、一个所述栅极层、两个所述第二电极，可实现在每一所述晶体管单元中形成两个沟道开关或者形成一个沟道开关及一个电容，并且纵向设置栅极层，提高了弯折柔韧性，并降低了晶体管单元的阈值电压发生漂移的情况。
附图说明
[0025]下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0026]图1为已知的有源矩阵有机电致发光二极管的基本像素驱动电路的结构示意图。
[0027]图2为本专利技术实施例1中一种阵列基板的结构示意图。
[0028]图3为本专利技术实施例1中一种阵列基板的制作方法的流程图。
[0029]图4为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；第一金属层，包括多个间隔设置的第一电极，设于所述衬底基板上；栅极绝缘层，设于所述衬底基板上并完全覆盖所述第一金属层；有源层，包括多个有源单元，设于所述栅极绝缘层上；每一有源单元与每一所述第一电极对应设置且电性连接；第二金属层，包括多个间隔设置的第二电极，设于所述有源层上；每一第二电极设于每一所述有源单元上且电性连接；栅极层，沿垂直于所述衬底基板方向设于相邻两个所述有源单元之间的栅极绝缘层内；钝化层，设于所述栅极绝缘层上，且覆盖所述第二金属层及所述栅极层；以及电极走线层，设于所述钝化层上，且与位于所述栅极层两侧的两个第二电极电性连接。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：欧姆接触层，包括多个间隔设置控制单元，所述控制单元的一端连接所述第一电极，所述控制单元的另一端连接所述有源单元。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述欧姆接触层设于所述衬底基板上，所述第一金属层设于所述欧姆接触层上，其中所述第一电极覆盖于所述控制单元的一端，所述有源单元与所述第一电极间隔设置且与所述控制单元的上表面连接。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上设置有多个晶体管单元，每一晶体管单元包括两个所述控制单元、两个所述第一电极、两个所述有源单元、一个所述栅极层、两个所述第二电极。5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，其中两个所述控制单元中的一个为导体，另一个为半导体，用于在每一所述晶体管单元中形成一个沟道开关及一个电容；或者其中两个所述控制单元均为导体，用于在每一所述晶体管单元中形成两个沟道开关。6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极层为长方体形或圆柱体形...

【专利技术属性】
技术研发人员：阳宏，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：