一种显示背板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种显示背板及其制备方法、显示装置，该显示背板包括：衬板；源极层，源极层设置在衬板上；第一钝化层，第一钝化层设置在源极层上；漏极层，漏极层设置在第一钝化层上；在源极层、第一钝化层和漏极层上设置第一凹槽；所述第一凹槽开口处的宽度大于底部的宽度；半导体层，半导体层设置在第一凹槽的内壁。本发明专利技术实施例中，通过将源极层和漏极层放在不同层设置，通过设置第一凹槽，在第一凹槽的内壁设置半导体层连接源极层和漏极层，则可以保证源极层和漏极层之间的半导体层的长度满足不会出现沟道效应的同时，可以提高显示装置的开口率，进而提高显示装置的像素。进而提高显示装置的像素。进而提高显示装置的像素。

【技术实现步骤摘要】
一种显示背板及其制备方法、显示装置


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示背板及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]参照图1，为现有技术的显示背板，该显示背板包括：依次层叠设置的栅极层11、绝缘层12和半导体层13；还包括设置在半导体层13两侧的漏极14和源极15，该源极15和漏极14同层设置；其中，源极15和漏极14之间的距离为W1。
[0003]其中，上述在先技术中的显示背板，由于源极15和漏极14之间的距离W1过小时会存在沟道效益，而距离W1较大时，会使包含该显示背板的显示装置的开口率较小，进而使显示装置的像素较低。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种显示背板，以解决显示背板中源极和漏极之间由于距离较大，影响显示装置像素的问题。
[0005]本专利技术第一方面提供了一种显示背板，包括：
[0006]衬板；
[0007]源极层，所述源极层设置在所述衬板上；
[0008]第一钝化层，所述第一钝化层设置在所述源极层背离所述衬板的一面；
[0009]漏极层，所述漏极层设置在所述第一钝化层背离所述衬板的一面；其中，在所述源极层、所述第一钝化层和所述漏极层上设置第一凹槽；所述第一凹槽从所述漏极层背离所述第一钝化层的一面贯穿至所述衬板朝向所述源极层的一面；所述第一凹槽开口处的宽度大于底部的宽度；
[0010]半导体层，所述半导体层设置在所述第一凹槽的内壁，与所述衬板、源极层、第一钝化层及所述漏极层连接。
[0011]可选地，还包括：
[0012]第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述漏极层背离所述第一钝化层的一面，并覆盖所述第一凹槽内的所述半导体层；
[0013]第一栅极层，所述第一栅极层设置在所述第一凹槽内，并设置在所述第一绝缘层背离所述半导体层的一面；
[0014]第二钝化层，在所述第一凹槽的外侧，所述第二钝化层设置在所述第一绝缘层背离所述漏极层的一面，在所述第一凹槽内，所述第二钝化层设置在所述第一栅极层背离所述第一绝缘层的一面。
[0015]可选地，在所述衬板和所述源极层之间，还包括：
[0016]第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述衬板上，所述第二绝缘层背离所述衬板的一面设置第二凹槽；
[0017]第二栅极层，所述第二栅极层设置在所述第二凹槽内；
[0018]第三绝缘层，在所述第二凹槽外，所述第三绝缘层设置的所述第二绝缘层背离所述衬板的一面，在所述第二凹槽内，所述第三绝缘层设置在所述第二栅极层背离所述第二绝缘层的一面。
[0019]可选地，所述第一凹槽的横截面的形状包括：三角形；所述三角形的顶角朝向所述衬板。
[0020]可选地，所述第一凹槽的横截面的形状包括：梯形；所述梯形的第一底边朝向所述衬板，所述梯形的第二底边远离所述衬板；所述第一底边小于所述第二底边。
[0021]可选地，所述第二凹槽的横截面的形状与所述第一凹槽的横截面的形状相同。
[0022]本专利技术第二方面提供一种显示装置，包括上述任意一项所述的显示背板、
[0023]本专利技术第三方面提供一种显示背板的制备方法，包括：
[0024]提供衬板；
[0025]在所述衬板上形成源极层；
[0026]在所述源极层背离所述衬板的一面形成第一钝化层；
[0027]在所述第一钝化层背离所述衬板的一面形成漏极层；
[0028]在所述源极层、所述第一钝化层和所述漏极层形成第一凹槽；所述第一凹槽从所述漏极层背离所述第一钝化层的一面贯穿至所述衬板朝向所述源极层的一面；所述第一凹槽开口处的宽度大于底部的宽度；
[0029]在所述第一凹槽的内壁沉积半导体层；所述半导体层与所述衬板、源极层、第一钝化层及所述漏极层连接。
[0030]可选地，在所述漏极层背离所述第一钝化层的一面，及所述半导体层上形成第一绝缘层；
[0031]在所述第一凹槽内，所述第一绝缘层背离所述半导体层的一面形成第一栅极层；
[0032]在所述第一凹槽外侧的所述第一绝缘层背离所述漏极层的一面，及所述第一凹槽内，所述第一栅极层背离所述第一绝缘层的一面形成第二钝化层。
[0033]可选地，在所述提供衬板之后，还包括：
[0034]在所述衬板上形成第二绝缘层，并在所述第二绝缘层朝向所述源极层的一面形成第二凹槽；
[0035]在所述第二凹槽内形成第二栅极层；
[0036]在所述第二凹槽外，所述第二绝缘层背离所述衬板的一面，以及在所述第二凹槽内，所述第二栅极层背离所述第二绝缘层的一面形成第三绝缘层；
[0037]则所述在所述衬板上形成源极层，包括：在所述第三绝缘层背离所述衬板的一面形成所述源极层。
[0038]本专利技术实施例提供了一种显示背板，包括：衬板；源极层，所述源极层设置在所述衬板上；第一钝化层，所述第一钝化层设置在所述源极层背离所述衬板的一面；漏极层，所述漏极层设置在所述第一钝化层背离所述衬板的一面；其中，在所述源极层、所述第一钝化层和所述漏极层上设置第一凹槽；所述第一凹槽从所述漏极层背离所述第一钝化层的一面贯穿至所述衬板朝向所述源极层的一面；所述第一凹槽开口处的宽度大于底部的宽度；半导体层，所述半导体层设置在所述第一凹槽的内壁，与所述衬板、源极层、第一钝化层及所述漏极层连接。本专利技术实施例中，通过将源极层和漏极层放在不同层设置，通过设置第一凹
槽，在第一凹槽的内壁设置半导体层连接源极层和漏极层，则可以保证源极层和漏极层之间的半导体层的长度满足不会出现沟道效应的同时，可以提高显示装置的开口率，进而提高显示装置的像素。
附图说明
[0039]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0040]图1是现有技术的一种显示背板的结构示意图；
[0041]图2是本专利技术实施例提供的一种显示背板的结构示意图；
[0042]图3是本专利技术实施例提供的一种显示背板制备方法的结构示意图；
[0043]图4是本专利技术实施例提供的一种显示背板设置第一凹槽的结构示意图；
[0044]图5是本专利技术实施例提供的一种显示背板在第一凹槽内设置半导体层的结构示意图；
[0045]图6是本专利技术实施例提供的另一种显示背板的结构示意图；
[0046]图7是本专利技术实施例提供的一种显示背板制备方法的步骤流程图。
具体实施方式
[0047]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示背板，其特征在于，包括：衬板；源极层，所述源极层设置在所述衬板上；第一钝化层，所述第一钝化层设置在所述源极层背离所述衬板的一面；漏极层，所述漏极层设置在所述第一钝化层背离所述衬板的一面；其中，在所述源极层、所述第一钝化层和所述漏极层上设置第一凹槽；所述第一凹槽从所述漏极层背离所述第一钝化层的一面贯穿至所述衬板朝向所述源极层的一面；所述第一凹槽开口处的宽度大于底部的宽度；半导体层，所述半导体层设置在所述第一凹槽的内壁，与所述衬板、源极层、第一钝化层及所述漏极层连接。2.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于，还包括：第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述漏极层背离所述第一钝化层的一面，并覆盖所述第一凹槽内的所述半导体层；第一栅极层，所述第一栅极层设置在所述第一凹槽内，并设置在所述第一绝缘层背离所述半导体层的一面；第二钝化层，在所述第一凹槽的外侧，所述第二钝化层设置在所述第一绝缘层背离所述漏极层的一面，在所述第一凹槽内，所述第二钝化层设置在所述第一栅极层背离所述第一绝缘层的一面。3.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于，在所述衬板和所述源极层之间，还包括：第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述衬板上，所述第二绝缘层背离所述衬板的一面设置第二凹槽；第二栅极层，所述第二栅极层设置在所述第二凹槽内；第三绝缘层，在所述第二凹槽外，所述第三绝缘层设置的所述第二绝缘层背离所述衬板的一面，在所述第二凹槽内，所述第三绝缘层设置在所述第二栅极层背离所述第二绝缘层的一面。4.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于，所述第一凹槽的横截面的形状包括：三角形；所述三角形的顶角朝向所述衬板。5.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于，所述第一凹槽的横截面的形状包...

【专利技术属性】
技术研发人员：王利忠，周天民，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：