一种阵列基板及其制备方法与显示面板技术

本申请公开了一种阵列基板及其制备方法与显示面板，所述阵列基板采用层叠设置的一无机薄膜层和一第一平坦化层来作为蚀刻阻挡层，其中，所述无机薄膜层用于填平扫描走线引起的断差，所述第一平坦化层用于填平信号走线引起的断差，相较于现有技术，制备所述阵列基板未额外增加工艺制程，在不增加制造成本的前提下，有效改善了所述阵列基板的平坦性能。有效改善了所述阵列基板的平坦性能。有效改善了所述阵列基板的平坦性能。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法与显示面板


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法与显示面板。

技术介绍

[0002]随着显示技术的迅猛发展，有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器件因具有自发光、对比度高、厚度薄、广视角和响应速度快等优点，而成为新一代平面显示技术的代表，其中，AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode，主动式有机发光二极管)技术应用前景广阔。
[0003]目前，可采用蒸镀工艺或IJP(Ink Jet Printing，喷墨印刷)工艺制备AMOLED显示器件，对于蒸镀工艺，由于蒸镀至像素区所形成的膜层厚度均匀，所以对像素区基底的平坦度要求宽松，但蒸镀工艺具有有机发光材料耗费大的缺点，且蒸镀工艺主要适用于底发光型AMOLED显示器件，底发光型AMOLED显示器件具有开口率低、不利于高分辨显示应用、需要额外增加彩色滤光片的缺点。对于IJP工艺，适用于制备顶发光型AMOLED显示器件，顶发光型AMOLED显示器件具有无需彩色滤光片、开口率高的优点，但是由于IJP工艺打印至像素区的油墨是流动的，像素区基底的平坦度是影响油墨铺展性的关键因素之一，即：要求整个像素区最大断差越小越好，避免油墨成膜后出现膜厚不均的问题，从而影响发光效果，因此，使用IJP工艺制备AMOLED对像素区基底的平坦能力要求高。
[0004]在现有技术中，通常用平坦化层(PLN)来填平像素区基底的不平整，基底断差越大需要越厚的PLN来填平。随着市场对显示面板分辨率、开口率、刷新频率的要求不断提高，所以金属走线方阻的要求也越来越高，导致金属走线厚度也逐步增加，尤其是增加扫描走线和信号走线的厚度。但是，PLN的填平能力有限，当基底断差达到一定程度时，PLN已增加至很厚(如：3微米以上)却仍不能满足平整度的要求。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种阵列基板及其制备方法与显示面板，能够提高像素区基底的平整度，以解决使用IJP工艺制备AMOLED对像素区基底的平坦能力要求高的问题。
[0006]第一方面，本申请提供了一种阵列基板，包括：
[0007]一第一金属层，设置于所述基板上并包括一栅极层和一走线层，所述栅极层设置于所述基板的显示区上，所述走线层设置于所述基板的绑定区上；
[0008]一栅极绝缘层，设置于所述基板上，并覆盖所述第一金属层；
[0009]一有源层，设置于所述栅极绝缘层上，且所述有源层在所述基板上的正投影，与所述栅极层在所述基板上的正投影部分重叠；
[0010]一蚀刻阻挡层，设置于所述栅极绝缘层和所述有源层上，且位于所述显示区内，所述蚀刻阻挡层包括层叠设置的一无机薄膜层和一第一平坦化层，开设有多个蚀刻阻挡层过孔，所述蚀刻阻挡层过孔穿过所述无机薄膜层和所述第一平坦化层而局部裸露所述有源层与所述栅极层；
[0011]一第二金属层，设置于所述蚀刻阻挡层上，并至少包括一源漏极层，所述源漏极层通过所述蚀刻阻挡层过孔与所述有源层相连；以及
[0012]一钝化层，设置于所述蚀刻阻挡层、所述第二金属层上以及所述绑定区的栅极绝缘层上。
[0013]在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括：一电极层，设置于所述钝化层上。
[0014]在本申请的一些实施例中，所述第二金属层还包括：多个第一电容电极，且各个所述第一电容电极通过所述蚀刻阻挡层过孔与所述栅极层相连。
[0015]在本申请的一些实施例中，所述无机薄膜层的材质为氧化硅。
[0016]在本申请的一些实施例中，所述无机薄膜层的厚度为600埃～1000埃，所述第一平坦化层的厚度为1.5微米～2.5微米。
[0017]第二方面，本申请提供了一种阵列基板的制备方法，包括如下步骤：
[0018]提供一基板，在所述基板上预定义显示区和绑定区，在所述基板上制备形成一第一金属层，所述第一金属层包括一栅极层和一走线层，所述栅极层设置于所述基板的显示区上，所述走线层设置于所述基板的绑定区上；
[0019]在所述基板上制备形成一栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述第一金属层；
[0020]在所述栅极绝缘层上制备形成一有源层，所述有源层在所述基板上的正投影，与所述栅极层在所述基板上的正投影部分重叠；
[0021]在所述栅极绝缘层和所述有源层上制备形成一蚀刻阻挡层，所述蚀刻阻挡层包括层叠设置的一无机薄膜层和一第一平坦化层，并对所述蚀刻阻挡层开孔，以形成多个蚀刻阻挡层过孔，所述蚀刻阻挡层过孔穿过所述无机薄膜层和所述第一平坦化层而局部裸露所述有源层与所述栅极层；
[0022]在所述蚀刻阻挡层上制备形成一第二金属层，所述第二金属层至少包含一源漏极层，所述源漏极层通过所述蚀刻阻挡层过孔与所述有源层相连；以及
[0023]在所述蚀刻阻挡层、所述第二金属层以及所述绑定区的栅极绝缘层上制备形成一钝化层。
[0024]在本申请的一些实施例中，所述阵列基板的制备方法，还包括步骤：
[0025]在所述钝化层上制备形成一电极层；以及，
[0026]在所述钝化层和所述电极层上制备形成一第二平坦化层。
[0027]第三方面，本申请提供了一种显示面板，包括：一如权利要求1至5任一项中所述的阵列基板。
[0028]在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括：一设置于所述阵列基板上的显示元件层，所述显示元件层包括多个间隔设置的有机发光材料层。
[0029]在本申请的技术方案中，所述阵列基板采用层叠设置的一无机薄膜层和一第一平坦化层来作为蚀刻阻挡层，其中，所述无机薄膜层用于填平扫描走线引起的断差，所述第一平坦化层用于填平信号走线引起的断差，即：利用蚀刻阻挡层来分担平坦化层的填平压力，从而有效提高了阵列基板的平坦性，以使像素区基底满足平整度的要求，解决了现有技术中平坦化层填平能力有限的问题。相较于现有技术，制备所述阵列基板未额外增加工艺制程，在不增加制造成本的前提下，有效改善了所述阵列基板的平坦性能。所述阵列基板可应
用于显示面板中，尤其适用于顶发光型有机发光二极管显示面板中。
附图说明
[0030]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0031]图1为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图。
[0032]图2为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法中实施步骤S1后的结构示意图。
[0033]图3为为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法中实施步骤S2和步骤S3后的结构示意图。
[0034]图4为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法中实施步骤S4后的结构示意图。
[0035]图5为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法中实施步骤S5后的结构示意图。
[0036]图6为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法中实施步骤S6本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：一基板，设有显示区和绑定区；一第一金属层，设置于所述基板上并包括一栅极层和一走线层，所述栅极层设置于所述基板的显示区上，所述走线层设置于所述基板的绑定区上；一栅极绝缘层，设置于所述基板上，并覆盖所述第一金属层；一有源层，设置于所述栅极绝缘层上，且所述有源层在所述基板上的正投影，与所述栅极层在所述基板上的正投影部分重叠；一蚀刻阻挡层，设置于所述栅极绝缘层和所述有源层上，且位于所述显示区内，所述蚀刻阻挡层包括层叠设置的一无机薄膜层和一第一平坦化层，开设有多个蚀刻阻挡层过孔，所述蚀刻阻挡层过孔穿过所述无机薄膜层和所述第一平坦化层而局部裸露所述有源层与所述栅极层；一第二金属层，设置于所述蚀刻阻挡层上，并至少包括一源漏极层，所述源漏极层通过所述蚀刻阻挡层过孔与所述有源层相连；以及一钝化层，设置于所述蚀刻阻挡层、所述第二金属层上以及所述绑定区的栅极绝缘层上。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：一电极层，设置于所述钝化层上。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：一第二平坦化层，设置于所述钝化层和所述电极层上。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层还包括：多个第一电容电极，且各个所述第一电容电极通过所述蚀刻阻挡层过孔与所述栅极层相连。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述无机薄膜层的材质为氧化硅。6.根据权利要求1-5任一项中所述的阵列基板，其特征在于，所述无机薄膜层的厚度为600埃～1000埃，所述第一平坦...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹福章，张乐陶，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：