阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本文公开一种阵列基板及其制备方法、显示装置。阵列基板包括：多条栅线和多对数据线，每对数据线包括第一数据线和第二数据线，多条栅线和多对数据线交叉限定多个子像素，多个子像素中至少一个包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管以及像素电极，第一薄膜晶体管的第一栅极与第二薄膜晶体管的第二栅极均与同一栅线连接，第一薄膜晶体管的第一极与第一数据线连接，第二薄膜晶体管的第三极与第二数据线连接，第一薄膜晶体管的第二极和第二薄膜晶体管的第四极均与像素电极连接，第一数据线设置为与第一驱动芯片连接，第二数据线设置为与第二驱动芯片连接。本文允许用户自由选择或者系统根据显示要求切换刷新率，降低显示装置的功耗。耗。耗。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示装置


[0001]本申请涉及显示
，更具体地，涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。
[0003]随着液晶显示装置向着大尺寸和高分辨率的方向发展，以铟镓锌氧化物(IGZO)为代表的金属氧化物材料因具备超过10cm2/(Vs)以上的迁移率，且与现有的非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)技术兼容性好，近年来迅速成为显示领域研发的重点。显示装置的高分辨率和高刷新率也造成显示功耗较大，对于手机等需要充电的显示装置，显示装置使用时间缩短，用户需要频繁充电来满足使用要求。

技术实现思路

[0004]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括：沿第一方向延伸并沿第二方向间隔设置的多条栅线和沿第二方向延伸并沿第一方向间隔设置的多对数据线，每对数据线包括第一数据线和第二数据线，多条栅线和多对数据线交叉限定多个子像素，多个子像素中至少一个包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管以及像素电极，第一薄膜晶体管的第一栅极与第二薄膜晶体管的第二栅极均与同一栅线连接，第一薄膜晶体管的第一极与第一数据线连接，第二薄膜晶体管的第三极与第二数据线连接，第一薄膜晶体管的第二极和第二薄膜晶体管的第四极均与像素电极连接，第一数据线设置为与第一驱动芯片连接，第二数据线设置为与第二驱动芯片连接，像素电极能够通过第一驱动芯片和/或第二驱动芯片充电，其中，第一方向和第二方向相交。
[0006]在一些示例性实施例中，在同一子像素中，像素电极位于与第一极连接的第一数据线和与第三极连接的第二数据线之间；或者，
[0007]在同一子像素中，像素电极位于与第一极连接的第一数据线和与第三极连接的第二数据线的同一侧。
[0008]在一些示例性实施例中，还包括基板，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管沿着垂直于基板的方向上设置。
[0009]在一些示例性实施例中，第一栅极和第二栅极为同一栅极。
[0010]在一些示例性实施例中，还包括设置于基板上的第一有源层、设置于第一有源层远离基板一侧的第一源漏金属层、设置于第一源漏金属层远离第一有源层一侧的第一绝缘层、设置于第一绝缘层远离第一有源层一侧的第一透明导电层、设置于第一透明导电层远离第一绝缘层一侧的栅金属层，第一源漏金属层包括第一极和第二极以及与第一极连接的
第一数据线，第一透明导电层包括像素电极和第一子栅极以及与第一子栅极连接的第一子栅线，第一绝缘层上设置有暴露第二极的第一过孔，像素电极通过第一过孔与第二极连接，栅金属层包括第二子栅极和与第二子栅极连接的第二子栅线，第一子栅极在基板上的正投影与第二子栅极在基板上的正投影重合，第一子栅线在基板上的正投影与第一子栅线在基板上的正投影重合，第一子栅极和第二子栅极构成第一栅极。
[0011]在一些示例性实施例中，还包括设置于栅金属层远离第一透明导电层一侧的第二绝缘层和设置于第二绝缘层远离栅金属层一侧的第二有源层以及设置于第二有源层远离第二绝缘层一侧的第二源漏金属层，第二源漏金属层包括第三极和第四极以及与第三极连接的第二数据线，第二绝缘层上设置有暴露像素电极的第二过孔，第二过孔与第一过孔位置对应，第四极通过第二过孔与像素电极连接，第一子栅极和第二子栅极构成第二栅极。
[0012]在一些示例性实施例中，还包括设置于第二源漏金属层远离第二有源层一侧的第三绝缘层和设置于第三绝缘层远离第二源漏金属层一侧的公共电极和与公共电极连接的公共连接线，公共电极与像素电极位置对应。
[0013]在一些示例性实施例中，公共电极连接线包括第一子公共连接线和第二子公共连接线，第一子公共连接线在基板上的正投影与第二子公共连接线在基板上的正投影重合，第一子公共连接线与公共电极同层设置。
[0014]在一些示例性实施例中，第一薄膜晶体管为IGZO薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为a-Si薄膜晶体管。
[0015]本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例提供的阵列基板。
[0016]本专利技术实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，包括：
[0017]形成沿第一方向延伸并沿第二方向间隔设置的多条栅线和沿第二方向延伸并沿第一方向间隔设置的多对数据线，每对数据线包括第一数据线和第二数据线，多条栅线和多对数据线交叉限定多个子像素；
[0018]其中，多个子像素中至少一个包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管以及像素电极，第一薄膜晶体管的第一栅极与第二薄膜晶体管的第二栅极均与同一栅线连接，第一薄膜晶体管的第一极与第一数据线连接，第二薄膜晶体管的第三极与第二数据线连接，第一薄膜晶体管的第二极和第二薄膜晶体管的第四极均与像素电极连接，第一数据线设置为与第一驱动芯片连接，第二数据线设置为与第二驱动芯片连接，像素电极能够通过第一驱动芯片和/或第二驱动芯片充电，第一方向和第二方向相交。
[0019]在一些示例性实施例中，形成沿第一方向延伸并沿第二方向间隔设置的多条栅线和沿第二方向延伸并沿第一方向间隔设置的多对数据线，每对数据线包括第一数据线和第二数据线，多条栅线和多对数据线交叉限定多个子像素，包括：
[0020]在基板上形成第一有源层；
[0021]在第一有源层上远离基板的一侧形成第一源漏金属层；
[0022]在第一源漏金属层远离第一有源层一侧形成第一绝缘层；
[0023]在第一绝缘层远离第一源漏金属层的一侧形成第一透明导电层和栅金属层；
[0024]其中，第一源漏金属层包括第一极和第二极以及与第一极连接的第一数据线，第一透明导电层包括像素电极和第一子栅极以及与第一子栅极连接的第一子栅线，第一绝缘层上设置有暴露第二极的第一过孔，像素电极通过第一过孔与第二极连接，栅金属层包括
第二子栅极和与第二子栅极连接的第二子栅线，第一子栅极在基板上的正投影与第二子栅极在基板上的正投影重合，第一子栅线在基板上的正投影与第一子栅线在基板上的正投影重合，第一子栅极和第二子栅极构成第一栅极，第一栅极、第一极、第二极、第一有源层构成第一薄膜晶体管。
[0025]在一些示例性实施例中，第一有源层和第一源漏金属层采用半色调掩膜板，通过一次图案化工艺形成；和/或，
[0026]第一透明导电层和栅金属层采用半色调掩膜板，通过一次图案化工艺形成。
[0027]在一些示例性实施例中，制备方法还包括：
[0028]在栅金属层远离第一透明导电层的一侧形成第二绝缘层；
[0029]在第二绝缘层远离栅金属层的一侧形成第二有源层；
[0030]在第二有源层远离第二绝缘层的一侧形成第二源漏金属层；
[0031]其中，第二源漏金属层包括第三极和第四极以及与第三极连接的第二数据线，第二绝缘层上设置有暴露像素电极的第二过孔，第二过孔与第一过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：沿第一方向延伸并沿第二方向间隔设置的多条栅线和沿第二方向延伸并沿第一方向间隔设置的多对数据线，每对所述数据线包括第一数据线和第二数据线，多条所述栅线和多对所述数据线交叉限定多个子像素，所述多个子像素中至少一个包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管以及像素电极，所述第一薄膜晶体管的第一栅极与所述第二薄膜晶体管的第二栅极均与同一所述栅线连接，所述第一薄膜晶体管的第一极与所述第一数据线连接，所述第二薄膜晶体管的第三极与所述第二数据线连接，所述第一薄膜晶体管的第二极和所述第二薄膜晶体管的第四极均与所述像素电极连接，所述第一数据线设置为与第一驱动芯片连接，所述第二数据线设置为与第二驱动芯片连接，所述像素电极能够通过所述第一驱动芯片和/或所述第二驱动芯片充电，其中，第一方向和第二方向相交。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：在同一所述子像素中，所述像素电极位于与所述第一极连接的所述第一数据线和与第三极连接的所述第二数据线之间；或者，在同一所述子像素中，所述像素电极位于与所述第一极连接的所述第一数据线和与第三极连接的所述第二数据线的同一侧。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于：还包括基板，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管沿着垂直于所述基板的方向设置。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于：所述第一栅极和所述第二栅极为同一栅极。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于：还包括设置于所述基板上的第一有源层、设置于所述第一有源层远离所述基板一侧的第一源漏金属层、设置于所述第一源漏金属层远离所述第一有源层一侧的第一绝缘层、设置于所述第一绝缘层远离所述第一有源层一侧的第一透明导电层、设置于所述第一透明导电层远离所述第一绝缘层一侧的栅金属层，所述第一源漏金属层包括所述第一极和所述第二极以及与所述第一极连接的所述第一数据线，所述第一透明导电层包括所述像素电极和第一子栅极以及与所述第一子栅极连接的第一子栅线，所述第一绝缘层上设置有暴露所述第二极的第一过孔，所述像素电极通过所述第一过孔与所述第二极连接，所述栅金属层包括第二子栅极和与所述第二子栅极连接的第二子栅线，所述第一子栅极在所述基板上的正投影与所述第二子栅极在所述基板上的正投影重合，所述第一子栅线在所述基板上的正投影与所述第一子栅线在所述基板上的正投影重合，所述第一子栅极和第二子栅极构成所述第一栅极。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于：还包括设置于所述栅金属层远离所述第一透明导电层一侧的第二绝缘层和设置于所述第二绝缘层远离所述栅金属层一侧的第二有源层以及设置于所述第二有源层远离所述第二绝缘层一侧的第二源漏金属层，所述第二源漏金属层包括所述第三极和所述第四极以及与所述第三极连接的所述第二数据线，所述第二绝缘层上设置有暴露所述像素电极的第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔位置对应，所述第四极通过所述第二过孔与所述像素电极连接，所述第一子栅极和第二子栅极构成所述第二栅极。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于：还包括设置于所述第二源漏金属层远离所述第二有源层一侧的第三绝缘层和设置于所述第三绝缘层远离所述第二源漏金属层一侧的公共电极和与所述公共电极连接的公共连接线，所述公共电极与像素电极位置对
应。...

【专利技术属性】
技术研发人员：王洋，李梁梁，李增荣，陈周煜，余雪，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：