一种Demux电路结构及显示面板制造技术

本实用新型专利技术提供一种Demux电路结构及显示面板，其中Demux电路结构包括Demux连接线与多组薄膜晶体管，每一组薄膜晶体管包含有两个以上的薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括栅极金属、绝缘层、半导体层、源极金属和漏极金属，绝缘层设置在栅极金属和Demux连接线上，半导体层设置在绝缘层上，并位于栅极的区域；Demux连接线与薄膜晶体管的栅极金属连接；多组薄膜晶体管按行列排布，每一组内的不同薄膜晶体管处在不同行，且相邻组之间处于同一行的薄膜晶体管的栅极金属通过一条Demux连接线相连接，源极金属和漏极金属的连接线跨过Demux连接线连接到Demux电路结构的外侧。上述技术方案提高了屏幕的屏占比，降低Demux电路上的Cgd寄生电容。容。容。

【技术实现步骤摘要】
一种Demux电路结构及显示面板


[0001]本技术涉及显示
，尤其涉及一种Demux电路结构及显示面板。

技术介绍

[0002]对于显示面板来说，由于显示面板的周边电路与走线的存在，必然会在其周边存在一定宽度的边框。如何减小周边边框的大小，提高屏幕的屏占比是一个热门的话题。在解决这类问题时，主要有两种的方案：第一种方法是采用柔性的OLED屏幕，将面板四周的边框通过折叠到屏幕后，使得手机模组达到一个外观上看起来是100％的一个屏占比的现象。这种方法只是将四周边框隐藏在背后，没有实际将面板四周边框做小。第二种方法通过改变周边电路和走线的设计方案，从而在一定程度上提高屏幕的屏占比，这种方法的优点就是生产成本较低，产品的良率也较高，技术难度也较小，适用范围宽。
[0003]在第二种方法中，通常在左右边框是采用GIP电路来代替IC的设计方式，从而减小左右边框宽度的大小。而在为了缩减Border的宽度，以目前的技术的主要是采用Demux电路技术，该技术的显示面板构成图为Demux电路的高度、Fanout的高度、IC的高度、IC与FPC的距离、FPC的高度和FPC到切割边的距离，结构如图1所示。
[0004]采用Demux电路技术能够有效地减少信号线的数目，减少屏幕下边框的布线数目，从而达到缩减下边框宽度的目的，提高屏幕的屏占比。但是Denux 电路上的寄生电容Cgd影响着Demux的对Data信号的充电率，进而影响着对像素的充电率，并降低显示面板的显示效果。同时Demux的高度也会影响对显示面板的边框宽度进行缩减，阻碍着屏幕的高屏占比。
[0005]根据图2至图4b的内容来进一步解释现有技术“一个薄膜晶体管具有两个半导体层沟道”。根据图4a和图4b的尺寸图可得，X＝3(3b+2c+2d)，其中b 为源极或者漏极的宽度，c为相邻的源极与漏极之间的距离，d为处于最外侧的漏极与栅极金属之间的距离。由于像素的大小是66，一般的光罩b最小为 3，c最小3，d最小为1，则X最小为51。并且各个Demux间也必须存在间距，即一个薄膜晶体管最多只能与两个沟道组成TFT。并且Y＝a+2(e+f)+g，其中a 为半导体层的长度，e为位于同一侧的栅极金属与半导体层之间的距离，g为 Demux与栅极金属之间的距离。则根据平行板电容器的电容公式C＝(ε0ε S)/D，其中ε0为真空介电常数，ε为平行板电容器中间材料的介电常数，S 为平行板电容器的重叠面积，D为平行板电容器的间距。所以该Demux电路中的C1＝Cgd＝(ε0ε2ab)/D。

技术实现思路

[0006]为此，需要提供一种Demux电路结构及显示面板，解决显示面板的屏占比不足的问题。
[0007]为实现上述目的，专利技术人提供了一种Demux电路结构，包括Demux连接线与多组薄膜晶体管，每一组薄膜晶体管包含有两个以上的薄膜晶体管；
[0008]所述薄膜晶体管包括栅极金属、绝缘层、半导体层、源极金属和漏极金属，绝缘层设置在栅极金属和Demux连接线上，半导体层设置在绝缘层上，并位于栅极的区域，所述源
极金属和漏极金属位于半导体层上；
[0009]Demux连接线与薄膜晶体管的栅极金属连接；
[0010]多组薄膜晶体管按行列排布，每一组内的不同薄膜晶体管处在不同行，且相邻组之间处于同一行的薄膜晶体管的栅极金属通过一条Demux连接线相连接，源极金属和漏极金属的连接线跨过Demux连接线连接到Demux电路结构的外侧。
[0011]进一步地，所述源极金属和漏极金属的连接线包括多条源极信号线和多条像素信号线；
[0012]每一条的像素信号线分别连接一个薄膜晶体管的源极金属或者漏极金属；
[0013]每一条的源极信号线连接一组薄膜晶体管的所有漏极金属或者源极金属。
[0014]进一步地，每一组内的薄膜晶体管在行方向上间隔设置，且在列方向上为部分重叠。
[0015]进一步地，每一组内的包括三个薄膜晶体管，三个薄膜晶体管在列方向上依次位于左、中、右侧。
[0016]进一步地，源极金属和漏极金属交替设置，且源极金属为多条，漏极金属为多条。
[0017]进一步地，源极金属为五条，漏极金属为四条；或者：源极金属为四条，漏极金属为五条。
[0018]进一步地，所述薄膜晶体管为长方形，且长边方向与行方向相同。
[0019]专利技术人提供一种显示面板，包括Demux电路结构，所述Demux电路结构由上述任意一项实施例所述的一种Demux电路结构。
[0020]区别于现有技术，上述技术方案通过将Demux连接线直接与薄膜晶体管的栅极金属连接(Demux连接线与栅极金属同个制程)，让Demux连接线处于多个薄膜晶体之间，省去现有技术中独立的Demux空间，提高了屏幕的屏占比。还能够有效地降低Demux电路上的Cgd寄生电容对显示面板的影响与屏幕的功耗，使得屏幕的显示效果更佳。
附图说明
[0021]图1为
技术介绍
所述显示面板边框的结构示意图；
[0022]图2为
技术介绍
所述Demux电路的结构示意图；
[0023]图3为
技术介绍
所述Demux电路的剖面结构示意图；
[0024]图4a为
技术介绍
所述Demux电路结构尺寸图之一；
[0025]图4b为
技术介绍
所述Demux电路结构尺寸图之二；
[0026]图5为本实施例所述Demux电路的结构示意图；
[0027]图6为本实施例所述Demux电路的剖面结构示意图；
[0028]图7为本实施例所述Demux电路结构尺寸图之一；
[0029]图8为本实施例所述Demux电路结构尺寸图之二。
[0030]附图标记说明：
[0031]1、基板；
[0032]2、薄膜晶体管；
[0033]21、栅极金属；
[0034]22、Demux连接线；
[0035]23、绝缘层；
[0036]24、半导体层；
[0037]25、源漏金属；
[0038]251、源极；
[0039]252、漏极金属；
[0040]253、源极信号线；
[0041]254、像素信号线；
[0042]26、薄膜晶体管单元。
具体实施方式
[0043]为详细说明技术方案的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
[0044]请参阅图5至图8，本实施例提供一种Demux电路结构，包括Demux连接线22与多组薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)2，每一组薄膜晶体管包含有两个以上的薄膜晶体管，并作为一个薄膜晶体管单元26。所述薄膜晶体管2包括栅极金属21、绝缘层23、半导体层24、源极金属251和漏极金属251。绝缘层23设置在栅极金属21和Demux连接线22上，绝缘层23可以对Demux连接线22与栅极金属21进行保护。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Demux电路结构，其特征在于，包括Demux连接线与多组薄膜晶体管，每一组薄膜晶体管包含有两个以上的薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括栅极金属、绝缘层、半导体层、源极金属和漏极金属，绝缘层设置在栅极金属和Demux连接线上，半导体层设置在绝缘层上，并位于栅极的区域，所述源极金属和漏极金属位于半导体层上；Demux连接线与薄膜晶体管的栅极金属连接；多组薄膜晶体管按行列排布，每一组内的不同薄膜晶体管处在不同行，且相邻组之间处于同一行的薄膜晶体管的栅极金属通过一条Demux连接线相连接，源极金属和漏极金属的连接线跨过Demux连接线连接到Demux电路结构的外侧。2.根据权利要求1所述的一种Demux电路结构，其特征在于，所述源极金属和漏极金属的连接线包括多条源极信号线和多条像素信号线；每一条的像素信号线分别连接一个薄膜晶体管的源极金属或者漏极金属；每一条的源极信号线连接一组薄膜晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘振东，阮桑桑，刘汉龙，郭智宇，郑聪秀，钟慧萍，王强，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：新型
国别省市：