半导体封装件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体封装件，所述半导体封装件具有包括第一面和第二面的重新分布结构以及安装在所述第一面上的第一半导体芯片。所述半导体封装件还可包括从所述重新分布结构的所述第二面暴露的第一重新分布焊盘和从所述重新分布结构的所述第二面暴露的第二重新分布焊盘。所述半导体封装件还可包括与所述第一重新分布焊盘接触的第一焊球和与所述第二重新分布焊盘接触的第二焊球。在一些实施例中，所述第一重新分布焊盘的第一距离比所述第二重新分布焊盘的第二距离小，所述第一距离和所述第二距离是相对于与所述第一焊球的下部和所述第二焊球的下部相交的参考平面测量的。和所述第二焊球的下部相交的参考平面测量的。和所述第二焊球的下部相交的参考平面测量的。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件
[0001]本申请要求于2019年8月19日提交的第10-2019-0100932号韩国专利申请的优先权及由此产生的所有权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。


[0002]本专利技术构思涉及一种半导体封装件。更具体地，本专利技术构思涉及一种包括重新分布结构的半导体封装件。

技术介绍

[0003]半导体封装是一种封装半导体芯片以将半导体芯片(或半导体裸片)和电子装置电连接的工艺。随着半导体芯片尺寸的减小，已经提出了一种其中使用重新分布层而将输入/输出端子布置在半导体芯片外部的半导体封装件。例如，已经提出了扇入晶圆级封装(FIWLP)型半导体封装件、扇出晶圆级封装(FOWLP)型半导体封装件、扇出面板级封装(FOPLP)型半导体封装件等。
[0004]由于包括重新分布层的半导体封装件具有简单的封装工艺并且可实现薄的厚度，因此其具有有利于缩小尺寸和纤薄化的优点，并且甚至可具有优异的热特性和电特性。另一方面，包括重新分布层的半导体封装件可包括用于将半导体芯片安装在电子装置的主板等上以保护半导体芯片免受外部冲击的封装技术，并且是在规模、用途等方面与诸如中介体基板的印刷电路板(PCB)不同的概念。

技术实现思路

[0005]本专利技术构思的方面提供了一种具有改善的连接可靠性的半导体封装件。
[0006]然而，本专利技术构思的方面不限于在此阐述的方面。通过参照下面给出的本专利技术构思的具体实施方式，本专利技术构思的以上和其他方面对于本专利技术构思所属领域的普通技术人员将变得更明显。
[0007]根据本专利技术构思的一方面，提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：重新分布结构，包括彼此相对的第一面和第二面；以及第一半导体芯片，安装在所述重新分布结构的所述第一面上。所述半导体封装件还可包括：第一重新分布焊盘，从所述重新分布结构的所述第二面暴露并且具有第一宽度；以及第二重新分布焊盘，从所述重新分布结构的所述第二面暴露并且具有比所述第一重新分布焊盘的所述第一宽度小的第二宽度。所述半导体封装件还可包括：第一焊球，与所述第一重新分布焊盘接触并且具有第三宽度；以及第二焊球，与所述第二重新分布焊盘接触并且具有比所述第一焊球的所述第三宽度小的第四宽度。在一些实施例中，所述第一重新分布焊盘的第一距离比所述第二重新分布焊盘的第二距离小，所述第一距离和所述第二距离是相对于与所述第一焊球的下部和所述第二焊球的下部相交的参考平面测量的。
[0008]根据本专利技术构思的一方面，提供了一种包括重新分布结构的半导体封装件，所述包括重新分布结构具有第一面以及与所述第一面相对且向下凹的第二面。所述半导体封装
件还可包括：半导体芯片，安装在所述重新分布结构的所述第一面上；第一重新分布焊盘，从所述重新分布结构的所述第二面暴露并且具有第一宽度；以及第二重新分布焊盘，比所述第一重新分布焊盘间隔所述重新分布结构的边缘远，从所述重新分布结构的所述第二面暴露，并且具有比所述第一重新分布焊盘的所述第一宽度小的第二宽度。所述半导体封装件还可包括：第一焊球，与所述第一重新分布焊盘接触并且具有第三宽度和第一高度；以及第二焊球，与所述第二重新分布焊盘接触，并且具有比所述第一焊球的所述第三宽度小的第四宽度以及比所述第一焊球的所述第一高度大的第二高度。
[0009]根据本专利技术构思的一方面，提供一种安装在主板上的半导体封装件，所述半导体封装件包括重新分布结构，所述重新分布结构包括包含感光电介质(PID)的多个绝缘层、位于所述绝缘层中的多个重新分布层以及贯穿所述绝缘层以将所述重新分布层彼此连接孔的多个过孔。所述重新分布结构包括彼此相对的第一面和第二面。所述半导体封装件还可包括：半导体芯片，安装在所述重新分布结构的所述第一面上；以及模制部，在所述重新分布结构的所述第一面上覆盖所述半导体芯片的至少一部分。所述半导体封装件还可包括：第一重新分布焊盘，从所述重新分布结构的所述第二面暴露并且具有第一宽度；以及第二重新分布焊盘，从所述重新分布结构的所述第二面暴露并且具有比所述第一重新分布焊盘的所述第一宽度小的第二宽度。所述半导体封装件还可包括：第一焊球，与所述第一重新分布焊盘和所述主板接触，并且具有第三宽度；以及第二焊球，与所述第二重新分布焊盘和所述主板接触，并且具有比所述第一焊球的所述第三宽度小的第四宽度。在一些实施例中，所述第一重新分布焊盘的第一距离比所述第二重新分布焊盘的第二距离小，所述第一距离和所述第二距离是相对于与所述主板的上表面测量的。
附图说明
[0010]通过参照附图对本专利技术构思的示例性实施例进行详细描述，本专利技术构思的以上和其他方面和特征将变得更明显，在附图中：
[0011]图1是用于说明根据一些实施例的半导体封装件的示意性布局图。
[0012]图2是沿图1的线A-A截取的示意性截面图。
[0013]图3和图4是图2的区域S1的各种放大图。
[0014]图5是用于说明根据一些实施例的半导体封装件的示意性截面图。
[0015]图6和图7是图5的区域S2的各种放大图。
[0016]图8是用于说明根据一些实施例的半导体封装件的示意性布局图。
[0017]图9是沿图8的线B-B截取的示意性截面图。
[0018]图10是图9的区域S3的放大图。
[0019]图11是用于说明根据一些实施例的半导体封装件的示意性布局图。
[0020]图12是用于说明根据一些实施例的半导体封装件的示意性截面图。
[0021]图13是用于说明根据一些实施例的半导体封装件的示意性截面图。
[0022]图14是用于说明根据一些实施例的半导体封装件的示意性截面图。
[0023]图15是用于说明根据一些实施例的包括半导体封装件的电子装置的示意性截面图。
具体实施方式
[0024]在下文中，将参照图1至图15描述根据一些实施例的半导体封装件。
[0025]在与根据一些实施例的半导体封装件相关的附图中，尽管扇出晶圆级封装(FOWLP)型半导体封装件已被示出为示例，但是本公开不限于此。例如，根据一些实施例的半导体封装件当然可以是其底表面具有重新分布结构的另一类型的半导体封装件，诸如扇入晶圆级封装(FIWLP)型半导体封装件和扇出面板级封装(FOPLP)型半导体封装件。
[0026]图1是用于说明根据一些实施例的半导体封装件的示意性布局图。图2是沿图1的线A-A截取的示意性截面图。图3和图4是图2的区域S1的各种放大图。
[0027]参照图1至图4，根据一些实施例的半导体封装件包括重新分布结构100、第一半导体芯片200、第一重新分布焊盘142、第二重新分布焊盘144、第一焊球410、第二焊球420和模制部300。
[0028]重新分布结构100可包括彼此相对的第一面100a和第二面100b。例如，在图2中，第一面100a可以是重新分布结构100的上表面，并且第二面100b可以是重新分布结构100的下表面。
[0029]重新分布本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，包括：重新分布结构，包括彼此相对的第一面和第二面；第一半导体芯片，安装在所述重新分布结构的所述第一面上；第一重新分布焊盘，从所述重新分布结构的所述第二面暴露并且具有第一宽度；第二重新分布焊盘，从所述重新分布结构的所述第二面暴露并且具有比所述第一重新分布焊盘的所述第一宽度小的第二宽度；第一焊球，与所述第一重新分布焊盘接触并且具有第三宽度；以及第二焊球，与所述第二重新分布焊盘接触并且具有比所述第一焊球的所述第三宽度小的第四宽度，其中，所述第一重新分布焊盘的第一距离小于所述第二重新分布焊盘的第二距离，所述第一距离和所述第二距离是相对于与所述第一焊球的下部和所述第二焊球的下部相交的参考平面测量的。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述重新分布结构包括与所述第一半导体芯片叠置的芯片区域以及不与所述第一半导体芯片叠置的扇出区域。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：模制部，在所述重新分布结构的所述第一面上方覆盖所述第一半导体芯片的至少一部分。4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述模制部的侧表面与所述重新分布结构的侧表面连续。5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述重新分布结构包括：多个绝缘层，包括感光电介质；多个重新分布层，在从所述第一面朝向所述第二面的方向上顺序地堆叠在所述多个绝缘层的内部；以及多个过孔，贯穿所述绝缘层并且将所述多个重新分布层彼此连接。6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，所述多个过孔中的每个过孔的宽度在从所述第二面朝向所述第一面的方向上逐渐减小。7.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，所述多个过孔中的每个过孔的宽度在从所述第一面朝向所述第二面的方向上逐渐减小。8.根据权利要求1-7中的任一项所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：多个芯片凸块，所述多个芯片凸块将所述第一半导体芯片和所述重新分布结构电连接。9.根据权利要求1-7中的任一项所述的半导体封装件，其中，所述第一重新分布焊盘的与所述第一焊球接触的第一接触面以及所述第二重新分布焊盘的与所述第二焊球接触的第二接触面与所述重新分布结构的所述第二面连续，或者从所述重新分布结构的所述第二面突出。10.根据权利要求1-7中的任一项所述的半导体封装件，其中，所述重新分布结构的所述第二面向上凹。11.根据权利要求1-7中的任一项所述的半导体封装件，其中，所述第二重新分布焊盘比所述第一重新分布焊盘间隔所述重新分布结构的边缘远。
12.根据权利要求1-7中的任一项所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：第二半导体芯片，安装在所述重新分布结构的所述第一面上。13.一种半导体封装件，包括：重新分布结构，包括第一面以及与所述第一面相对且向上凹的第二面；半导体芯片，安装在所述重新分布结构的所述第一面上；第一重新分布焊盘，从所述重新分布结构的所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴正镐，金达譓，朴镇右，张在权，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：