一种MOSFET扇出型封装结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种MOSFET扇出型封装结构及其制作方法，其中，MOSFET扇出型封装结构包括：第一塑封层，第一塑封层沿其厚度方向开设有通孔，通孔由上下两个小孔端相邻的锥形孔连通而成；封装于第一塑封层内的MOSFET，位于MOSFET一侧的第一I/O口和位于MOSFET另一侧的第二I/O口分别外露于第一塑封层；导电柱，填充于通孔内；第一电连接结构，位于第一塑封层的一侧并与导电柱的一端以及第一I/O口连接；第二电连接结构，位于第一塑封层的另一侧并与导电柱的另一端以及第二I/O口连接。本发明专利技术通过激光双面钻锥形孔并形成导电柱，从而将MOSFET背面的线路层引至正面，提高了MOSFET电气连接的稳定性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
一种MOSFET扇出型封装结构及其制作方法


[0001]本专利技术涉及扇出型封装
，具体涉及一种MOSFET扇出型封装结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。
[0003]MOSFET具有双面I/O接口，在封装过程中往往需要在塑封材料中制作导电柱，通过导电柱实现双面I/O接口的电性引出。传统的导电柱的制作方法为采用激光在塑封材料的一侧开孔位，然后在孔位表面制作种子层以及在孔位内通过电镀制作导电柱。采用激光在塑封材料一侧开孔再制作种子层和导电柱时，由于孔位的结构限制，导致溅射的种子层厚度不均匀，影响MOSFET电气连接的稳定性，降低了MOSFET封装结构的良率。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种MOSFET扇出型封装结构及其制作方法，可有效提高MOSFET电气连接的稳定性，并提升MOSFET封装结构的良率。
[0005]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0006]一方面，提供一种MOSFET扇出型封装结构，包括：
[0007]第一塑封层，所述第一塑封层沿其厚度方向开设有通孔，所述通孔由上下两个小孔端相邻的锥形孔连通而成；
[0008]封装于所述第一塑封层内的MOSFET，位于所述MOSFET一侧的第一I/O口和位于所述MOSFET另一侧的第二I/O口分别外露于所述第一塑封层；
[0009]导电柱，填充于所述通孔内；
[0010]第一电连接结构，位于所述第一塑封层的一侧并与所述导电柱的一端以及所述第一I/O口连接；
[0011]第二电连接结构，位于所述第一塑封层的另一侧并与所述导电柱的另一端以及所述第二I/O口连接。
[0012]作为MOSFET扇出型封装结构的一种优选方案，所述MOSFET上方设有与所述第一I/O口电连接的金属块，所述第一I/O口通过所述金属块与所述第一电连接结构连接。
[0013]作为MOSFET扇出型封装结构的一种优选方案，所述第一电连接结构包括：
[0014]位于所述第一塑封层靠近所述第一I/O口一侧的第一种子层和位于所述第一种子层上的第一重布线层，所述第一种子层分别与所述导电柱和金属块电连接；
[0015]位于所述第一重布线层上的PAD层和位于所述PAD层上的锡层。
[0016]作为MOSFET扇出型封装结构的一种优选方案，所述第一电连接结构还包括第二塑封层，所述第二塑封层覆盖外露于所述第一重布线层的第一塑封层以及外露于所述PAD层
的所述第一重布线层。
[0017]作为MOSFET扇出型封装结构的一种优选方案，所述第二电连接结构包括：
[0018]位于所述第一塑封层靠近所述第二I/O口一侧的第二种子层和位于所述第二种子层上的铜柱，所述第二种子层分别与所述导电柱和所述第二I/O口电连接；
[0019]第三塑封层，覆盖外露于所述第二种子层的所述第一塑封层和所述MOSFET；
[0020]位于所述第三塑封层上并覆盖所述铜柱的第三种子层和位于所述第三种子层上的第二重布线层。
[0021]作为MOSFET扇出型封装结构的一种优选方案，所述第二电连接结构还包括第四塑封层，所述第四塑封层覆盖所述第二重布线层和外露于所述第二重布线层的所述第三塑封层。
[0022]另一方面，提供一种MOSFET扇出型封装结构的制作方法，包括以下步骤：
[0023]S10、提供MOSFET及载板，将所述MOSFET贴于所述载板上，并在所述MOSFET上方的第一I/O口位置植入金属块；
[0024]S20、对所述MOSFET进行塑封，形成包覆所述金属块和所述MOSFET的第一塑封层，对所述第一塑封层研磨减薄处理以使所述金属块外露；
[0025]S30、拆键合，并针对所述第一塑封层的同一个位置由所述第一塑封层的双面分别进行激光开孔，形成由两个相连通的锥形孔形成的通孔；
[0026]S40、在所述通孔内制作导电柱、在所述第一塑封层靠近所述金属块的一侧制作与所述导电柱的一端和所述金属块电连接的第一电连接结构以及在所述第一塑封层远离所述金属块的一侧制作与所述导电柱的另一端和位于所述MOSFET另一侧的第二I/O口电连接的第二电连接结构。
[0027]作为MOSFET扇出型封装结构的制作方法的一种优选方案，步骤S40包括以下步骤：
[0028]S40a、在所述第一塑封层靠近所述金属块的一侧、所述通孔的孔壁制作第一种子层以及在所述第一塑封层远离所述金属块的一侧制作第二种子层；
[0029]S40b、通过电镀在所述通孔内制作导电柱、在所述第一种子层上制作第一重布线层，以及在所述第二种子层上制作分别与所述导电柱和所述第二I/O口电连接的铜柱；
[0030]S40c、在所述第一重布线层上制作PAD层；
[0031]S40d、去除外露于所述第一重布线层的第一种子层以及外露于所述铜柱的第二种子层，然后分别对所述PAD层以及所述铜柱进行塑封，形成覆盖所述PAD层的第二塑封层以及覆盖所述铜柱的第三塑封层；
[0032]S40e、分别对所述第二塑封层和所述第三塑封层进行研磨处理，使所述PAD层和所述铜柱外露；
[0033]S40f、依次在所述第三塑封层表面制作第三种子层及第二重布线层；
[0034]S40g、去除外露于所述第二重布线层的所述第三种子层，然后对所述第二重布线层进行塑封，形成覆盖所述第二重布线层的第四塑封层；
[0035]S40h、在所述PAD层表面制作锡层，然后切割，制得MOSFET扇出型封装结构；
[0036]其中，所述第一种子层、所述第一重布线层、所述第二塑封层、所述PAD层以及所述锡层形成所述第一电连接结构，所述第二种子层、所述铜柱、所述第三塑封层、所述第三种子层、所述第二重布线层以及所述第四塑封层形成所述第二电连接结构。
[0037]作为MOSFET扇出型封装结构的制作方法的一种优选方案，步骤S40b中，分别在所述第一种子层和所述第二种子层上涂覆感光干膜，曝光显影后再进行电镀。
[0038]本专利技术的有益效果：本专利技术采用扇出型封装方式，在MOSFET的上下两面制作再布线层，实现MOSFET的电气连接，提升了MOSFET封装结构的散热与均温效果；通过激光双面钻锥形孔后再通过电镀填孔，从而将MOSFET背面的线路层引到正面，同时使得种子层均匀分布于锥形孔的孔壁，提高了MOSFET电气连接的稳定性。
附图说明
[0039]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET扇出型封装结构，其特征在于，包括：第一塑封层，所述第一塑封层沿其厚度方向开设有通孔，所述通孔由上下两个小孔端相邻的锥形孔连通而成；封装于所述第一塑封层内的MOSFET，位于所述MOSFET一侧的第一I/O口和位于所述MOSFET另一侧的第二I/O口分别外露于所述第一塑封层；导电柱，填充于所述通孔内；第一电连接结构，位于所述第一塑封层的一侧并与所述导电柱的一端以及所述第一I/O口连接；第二电连接结构，位于所述第一塑封层的另一侧并与所述导电柱的另一端以及所述第二I/O口连接。2.根据权利要求1所述的MOSFET扇出型封装结构，其特征在于，所述MOSFET上方设有与所述第一I/O口电连接的金属块，所述第一I/O口通过所述金属块与所述第一电连接结构连接。3.根据权利要求2所述的MOSFET扇出型封装结构，其特征在于，所述第一电连接结构包括：位于所述第一塑封层靠近所述第一I/O口一侧的第一种子层和位于所述第一种子层上的第一重布线层，所述第一种子层分别与所述导电柱和金属块电连接；位于所述第一重布线层上的PAD层和位于所述PAD层上的锡层。4.根据权利要求3所述的MOSFET扇出型封装结构，其特征在于，所述第一电连接结构还包括第二塑封层，所述第二塑封层覆盖外露于所述第一重布线层的第一塑封层以及外露于所述PAD层的所述第一重布线层。5.根据权利要求1所述的MOSFET扇出型封装结构，其特征在于，所述第二电连接结构包括：位于所述第一塑封层靠近所述第二I/O口一侧的第二种子层和位于所述第二种子层上的铜柱，所述第二种子层分别与所述导电柱和所述第二I/O口电连接；第三塑封层，覆盖外露于所述第二种子层的所述第一塑封层和所述MOSFET；位于所述第三塑封层上并覆盖所述铜柱的第三种子层和位于所述第三种子层上的第二重布线层。6.根据权利要求5所述的MOSFET扇出型封装结构，其特征在于，所述第二电连接结构还包括第四塑封层，所述第四塑封层覆盖所述第二重布线层和外露于所述第二重布线层的所述第三塑封层。7.一种MOSFET扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S10、提供MOSFET及载板，将所述MOSFET贴于所述载板上，并在所述MOSFET上方的第一I/O口位置植入金...

【专利技术属性】
技术研发人员：周佳炜，徐德胜，
申请(专利权)人：广东芯华微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：