用于光刻设备的对准系统及其对准方法和光刻设备技术方案

一种用于光刻设备的对准系统，将包括全局型和局部型位置检测器在内的多个位置检测器集成在一个对准系统中；整个系统结构紧凑，具有较强工艺适应性、能够产生高灵敏度和高信噪比的对准信号。一种对准方法，在不同的工艺情况下可以选择不同的位置检测器进行对准检测；在两种位置检测器都可以满足对准要求时，同时对两种位置检测器下得到的对准位置信息进行加权处理获得最终的标记中心位置。对准系统在采用不同位置检测器对准探测时使用同一个对准标记，可以节省晶片的占用面积，并可以使用户在对准过程中自由改变位置检测器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术与集成电路或其它微型器件制造领域的光刻装置有关，特别涉及一 种对准系统及其对准技术。
技术介绍
光刻设备主要用于集成电路IC或其他微型器件的制造；通过光刻设备， 具有不同掩模图案的多层掩模在精确对准下依次成像在涂覆有光刻胶的晶片 上；目前有两种光刻设备， 一类是步进光刻设备，掩模图案一次曝光成像在 晶片的一个曝光区域，随后晶片相对于掩^t版移动，将下一个曝光区域移动 到掩模图案和投影物镜下方,再一次将掩模图案曝光在晶片的另一曝光区域， 重复这一过程直到晶片上所有曝光区域都拥有掩才莫图案的像；另一类是步进 扫描光刻设备，在上述过程中，掩模图案不是一次曝光成像，而是通过投影 光场的扫描移动成像；在掩模图案成像过程中，掩模与晶片同时相对于投影 系统和才殳影光束移动。在半导体制作过程中，为使掩模图案正确转移到晶片上，关键的步骤是 将掩模与晶片对准，即计算掩模相对于晶片的位置，以满足套刻精度的要求； 当特征尺寸"CD"要求更小时，对套刻精度"0verlay"的要求以及由此产生的对 对准精度的要求变得更加严格；现有技术有两种对准方案， 一种是透过镜头 的TTL同轴对准技术，另 一种是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于光刻设备的对准系统，其特征在于，该对准系统包含多个位置检测器，至少包括：光源模块，提供用于对准系统的照明光束；照明模块，传输光源模块的照明光束，照明晶片上的光栅型对准标记；检测模块，至少包括第一位置检测器和第二位置检测器，第一位置检测器探测对准标记，得到第一对准信号；第二位置检测器探测相同的对准标记，得到第二对准信号；信号处理和定位模块，设置成与检测模块相连接，处理第一对准信号和第二对准信号，由第一对准信号得到对准标记的第一位置，由第二对准信号得到对准标记的第二位置；取第一位置和第二位置的其中之一，或者取通过组合第一位置和第二位置以使用加权因子计算的第三位置，作为对准标记的中心位置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐荣伟，
申请(专利权)人：上海微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]