一种经时击穿测试结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种经时击穿测试结构，用于测试不同温度下金属间介质层的经时击穿参数，包括：测试模块和加热模块，测试模块位于加热模块上，测试模块用于测试金属间介质层的经时击穿参数，加热模块用于对测试模块加热，测试模块的第一端连接第一电压，测试模块的第二端连接第二电压，第一电压大于第二电压。这样，在经时击穿测试结构内部设置加热模块，加热模块直接对测试模块进行加热，减小热量散失，同时通过调节加热模块的温度调节测试模块的温度，能够更为精确的控制测试模块的温度，进行不同温度下金属间介质层的经时击穿测试，提高金属间介质层的经时击穿测试精度。金属间介质层的经时击穿测试精度。金属间介质层的经时击穿测试精度。

【技术实现步骤摘要】
一种经时击穿测试结构


[0001]本技术涉及半导体
，特别涉及一种经时击穿测试结构。

技术介绍

[0002]经时介质击穿(time dependent dielectric breakdown TDDB)，也称为与时间相关的电介质击穿，是指在金属间介质层上施加恒定电压，经过一定时间后金属间介质层会发生击穿，经过的这段时间就是击穿时间。由于半导体器件的应用较为广泛，应用环境和条件差异较大，通常需要进行不同温度下金属间介质层的经时击穿测试。
[0003]目前进行不同温度下金属间介质层的经时击穿测试的方法，主要是通过加热设备对金属间介质层所在的整个晶圆进行加热，待整个晶圆的温度稳定后进行金属介质层的测试。
[0004]但是，对整个晶圆进行加热耗时较长，而且由于晶圆的面积较大散热较快，在介质间介质层进行击穿测试的过程中温度下降速度较快，导致经时击穿测试结果误差较大。而且现有的加热设备难以随时变化温度，难以进行不同温度下金属间介质层的经时击穿测试。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本技术的目的在于提供一种经时击穿测试本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种经时击穿测试结构，其特征在于，用于测试不同温度下金属间介质层的经时击穿参数，包括：测试模块和加热模块；所述测试模块位于所述加热模块上；所述加热模块用于对所述测试模块加热；所述测试模块的第一端连接第一电压，所述测试模块的第二端连接第二电压，所述第一电压大于所述第二电压；所述测试模块，用于测试所述金属间介质层的经时击穿参数。2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述测试结构至少包括第一金属和第二金属，所述第一金属和所述第二金属相互平行相对设置；则所述测试结构的第一端连接第一电压，所述测试结构的第二端连接第二电压具体为：所述第一金属连接第一电压，所述第二金属连接第二电压，所述第二金属用于获取所述测试结构的温度。3.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，所述第一金属包括第一衬垫和至少一个第一金属层，每个所述第一金属层均平行相对且与所述第一衬垫垂直连接；所述第二金属包括第二衬垫和至少两个第二金属层，每个所述第二金属层均平行相对且通过所述第二衬垫串联连接；所述第一金属和所述第二金属平行相对具体为：所述第一衬垫与所述第二衬垫平行相对，每个所述第一金属层平行镶嵌于对应的两个所述第二金属层中。4.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，所述测试结构包括第三金属；所述第三金属与所述第一金属和所述第二金属相互平行相对设置，且所述第二金属位于所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志强，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：