【技术实现步骤摘要】
一种高纯铜非熔炼铸型方法
[0001]本专利技术涉及高纯铜铸型制备
，具体涉及一种高纯铜非熔炼铸型方法。
技术介绍
[0002]溅射技术是半导体制造领域的常用技术之一，随着溅射技术的日益发展，溅射靶材在溅射技术中起到了越来越重要的作用，溅射靶材的质量直接影响到了溅射后的成膜质量。
[0003]在溅射靶材制造领域中，靶材组件是由符合溅射性能的靶坯、与靶坯通过焊接相结合的背板构成，而在溅射过程中，靶材组件所处的工作环境比较恶劣。例如：靶材组件所处的环境温度较高，另外，靶材组件的一侧冲以冷却水强冷，而另一侧则处于高真空环境下，因此在靶材组件的相对两侧形成巨大的压力差；再者，靶材组件处在高压电场、磁场中，会受到各种粒子的轰击。在如此恶劣的环境下，为了确保薄膜质量的稳定性，对靶材组件的质量以及良率的要求越来越高。
[0004]靶材制备最常用的熔炼法，将高纯铜铸锭熔炼后通过模具直接铸型，但所得铸件杂质较多，也可能会在铸件内产生机械应力，会影响铸件的后续使用；也有可能在加热过程中引入杂质。
技术实现思路
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高纯铜非熔炼铸型方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将6N铜板进行剪边修料，然后剪条成宽度为1-2cm的条状，在300-600℃温度下保温1-3h，得铜条；(2)将步骤(1)所得铜条在1000-1080℃的氨气氛围中加热1-7h，得坯料；(3)将步骤(2)所得坯料在100-200MPa压力下通过模具连续挤压成型，得铸件。2.如权利要求1所述的高纯铜非熔炼铸型方法，其特征在于，步骤(1)中，在500℃温度下保温2...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑正，冯勇，严雪松，
申请(专利权)人：广安市立正金属有限公司，
类型：发明
国别省市：
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