一种SiAlCr靶材及其制备方法技术

技术编号:27235363 阅读:16 留言:0更新日期:2021-02-04 12:04
本发明专利技术公开了一种SiAlCr靶材及其制备方法,所述SiAlCr靶材包括30%

【技术实现步骤摘要】
一种SiAlCr靶材及其制备方法


[0001]本专利技术涉及靶材及制备领域,具体是一种SiAlCr靶材及其制备方法。

技术介绍

[0002]SiAlCr靶材是不锈钢装饰镀膜中普遍使用的一种新兴靶材,在不锈钢上镀SiAlCr系膜层可代替瓷砖;而通过喷涂的办法制备SiAlCr靶材在镀膜过程中溅射稳定,膜层品质高等优点。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的技术问题就是克服以上的技术缺陷,提供一种SiAlCr靶材及其制备方法。
[0004]为了解决上述问题,本专利技术的技术方案为:一种SiAlCr靶材,所述SiAlCr靶材包括30%-90%的Cr和0-5%的铝,所述SiAlCr靶材的相对密度为85-98%,所述SiAlCr靶材的氧含量≤15000ppm,所述SiAlCr靶材的氮含量≤1000ppm。
[0005]一种SiAlCr靶材的制备方法,包括以下步骤:
[0006](1)将基体表面进行喷砂清理,并喷涂打底层;
[0007](2)使用等离子喷涂的方法,将SiAlCr合金或混合粉末喷涂在基体表面;
[0008](3)对靶材表面进行剖光处理,并对其进行两端进行机加工处理。
[0009]作为改进,所述步骤(1)中的基体为合金管或不锈钢管。
[0010]作为改进,所述步骤(2)中对靶材进行喷涂时使用惰性气体做气氛保护,所述惰性气氛为氮气或氩气。
[0011]本专利技术与现有的技术相比的优点在于:本专利技术中通过靶材在制备过程中使用了气体保护的方法制备,保护气体为氮气或氩气:由于使用了气氛保护进行喷涂,氧含量低,电阻率低,从而在镀膜的过程中溅射速率快,热喷涂方法对SiAlCr靶材进行制备,提高制备效率,并且减少制备成本。
具体实施方式
[0012]以下通过具体实施例进一步描述本专利技术,但本专利技术不仅仅限于以下实施例。在本专利技术的范围内或者在不脱离本专利技术的内容、精神和范围内,对本专利技术进行的变更、组合或替换,对于本领域的技术人员来说是显而易见的,且包含在本专利技术的范围之内。
[0013]实施例一
[0014]本实施例提供了一种旋转SiAlCr靶材,所述旋转SiAlCr靶材的铬含量为40%,铝含量为 5%的密度为2.99g/cm3(相对密度94.6%),氧含量为10500ppm,氮含量为600ppm。
[0015]本实施例还提供一种旋转SiAlCr靶材的制备方法,所述制备方法步骤如下:
[0016](1)将基体表面进行喷砂清理,并喷涂打底层;
[0017](2)使用热喷涂设备将SiAlCr粉末喷涂在基体表面;
[0018](3)对靶材表面进行剖光处理,并对其进行两端进行机加工处理。
[0019]所述步骤(2)中对靶材进行喷涂时使用氮气对靶材进行保护,所述步骤(1)中基体为不锈钢管。
[0020]实施例二
[0021]本实施例提供了一种旋转SiAlCr靶材,所述旋转SiAlCr靶材的铬含量为80%,铝含量为 1%的密度为4.6g/cm3(相对密度91.3%),氧含量为5800ppm,氮含量为300ppm。
[0022]本实施例还提供一种旋转SiAlCr靶材的制备方法,所述制备方法步骤如下;
[0023](1)将基体表面进行喷砂清理,并喷涂打底层;
[0024](2)使用热喷涂设备将SiAlCr粉末喷涂在基体表面;
[0025](3)对靶材表面进行剖光处理,并对其进行两端进行机加工处理。
[0026]所述步骤(2)中对靶材进行喷涂时使用氮气对靶材进行保护,所述步骤(1)中基体为不锈钢管。
[0027]以上所述仅为本专利技术专利的较佳实施例而已,并不用以限制本专利技术专利,凡在本专利技术专利的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本专利技术专利的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SiAlCr靶材,其特征在于:所述SiAlCr靶材包括30%-90%的Cr和0-5%的铝,所述SiAlCr靶材的相对密度为85-98%,所述SiAlCr靶材的氧含量≤15000ppm,所述SiAlCr靶材的氮含量≤1000ppm。2.一种SiAlCr靶材的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将基体表面进行喷砂清理,并喷涂打底层;(2)使用等离子喷涂的方法,将...

【专利技术属性】
技术研发人员:胥小勇颜建师涂培堤杨文宏杨娟娟
申请(专利权)人:福建瓦能科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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