半导体器件及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：提供半导体结构，半导体结构包括由第一材料层和第二材料层交替堆叠的堆叠结构，堆叠结构包括平台区和与平台区相邻的台阶区，平台区和台阶区的顶部为第二材料层；形成覆盖平台区上表面和台阶区表面的第三材料层；形成填充台阶区且覆盖平台区的第四材料层；去除平台区上的第三材料层和第四材料层，且保留位于平台区上靠近台阶区的边缘的第三材料层和第四材料层；进行第一次平坦化，第一次平坦化去除凸起的第四材料层，且停留在平台区上表面的第二材料层和第三材料层。该制作方法增大了接触孔的连接窗口，有效避免了平台区边缘处的过磨。的过磨。的过磨。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体器件的制作方法，该制作方法增大了接触孔的连接窗口，有效避免了平台区边缘处的过磨。

技术介绍

[0002]半导体集成电路自诞生以来，经历了从小规模、中规模到大规模和超大规模集成的发展阶段，并日益成为现代科学技术中最为活跃的
之一。
[0003]存储器是一种广泛使用的半导体器件。为了克服传统的二维存储器在存储容量方面的限制，现代工艺往往采用堆叠存储芯片的方式来实现更高的集成度。例如，可以将不同功能的芯片或结构，通过堆叠或孔互连等微机械加工技术，在垂直方向上形成立体集成、信号连通的三维(3D)立体器件。三维存储器就是利用这一技术将存储器单元三维地布置在衬底之上，进而实现提高存储器的性能和存储密度的目的。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是提供一种半导体器件的制作方法，该制作方法增大了接触孔的连接窗口，有效避免了平台区边缘处的过磨。
[0005]本专利技术为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括由第一材料层和第二材料层交替堆叠的堆叠结构，所述堆叠结构包括平台区和与所述平台区相邻的台阶区，所述平台区和所述台阶区的顶部为第二材料层；形成覆盖所述平台区上表面和所述台阶区表面的第三材料层；形成填充所述台阶区且覆盖所述平台区的第四材料层；去除所述平台区上的第三材料层和第四材料层，且保留位于所述平台区上靠近所述台阶区的边缘的第三材料层和第四材料层；进行第一次平坦化，所述第一次平坦化去除凸起的第四材料层，且停留在所述平台区上表面的第二材料层和第三材料层。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：去除所述平台区上表面的第三材料层；去除所述平台区顶部的第二材料层以露出第一材料层；以及进行第二次平坦化，所述第二次平坦化去除所述台阶区上的第四材料层的部分厚度，且停留在所述平台区顶部的第一材料层。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第二次平坦化同时去除所述平台区顶部的部分第一材料层。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成覆盖所述平台区上表面和所述台阶区表面的第三材料层的方法包括：形成覆盖所述平台区上表面和所述台阶区表面及侧壁的第三材料层；以及去除覆盖在所述台阶区侧壁的第三材料层。5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一次平坦化同时去除所述平台区上表面远离所述台阶区的边缘的第三材料层及所述平台区上靠近所述台阶区的边缘的第三材料层的一部分。6.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤召辉，张磊，周玉婷，乔思，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：