实施方式涉及一种等离子体处理装置及等离子体处理方法。实施方式的等离子体处理装置具备配置在处理室的上部电极、载置台、高频供电部、虚设环、及冷却部。载置台在处理室内与上部电极对向配置，具有下部电极，且载置晶片。高频供电部对下部电极与上部电极之间供给高频电力。虚设环为包围载置在载置台的晶片的环状周缘部的环状部件。在虚设环与晶片的交界区域中，从自晶片离开的方向侧由冷却部将虚设环冷却。却。却。
【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置及等离子体处理方法
[0001][相关申请案][0002]本申请案享有以2019年8月5日申请的日本专利申请案编号2019-143654的优先权的利益，该日本专利申请案的所有内容被引用在本申请案中。
[0003]本专利技术的实施方式涉及一种等离子体处理装置及等离子体处理方法。
技术介绍
[0004]在等离子体处理装置中，揭示了一种技术，即，通过在半导体晶片的外周配置包围该半导体晶片的外周的环状部件，来控制半导体晶片的外周附近的等离子体。另外，揭示了通过使环状部件上下驱动，来调整环状部件的上表面位置的技术。在这样的技术中，要求抑制等离子体处理时的向半导体晶片的热输入。
技术实现思路
[0005]实施方式提供一种能够抑制等离子体处理中的向被处理基板的热输入的等离子体处理装置及等离子体处理方法。
[0006]实施方式的等离子体处理装置具备：上部电极，配置在处理室；载置台，在所述处理室内与所述上部电极对向配置，具有下部电极，且载置被处理基板；高频供电部，对所述上部电极与所述下部电极之间供给高频电力；虚设环，包围载置在所述载置台的所述被处理基板的环状周缘部；及冷却部，在所述虚设环与所述被处理基板的交界区域中，从自所述被处理基板离开的方向侧冷却所述虚设环。
附图说明
[0007]图1是表示实施方式的等离子体处理装置的构成例的图。
[0008]图2是实施方式的晶片及虚设环的俯视图。
[0009]图3是将实施方式的等离子体处理装置的包含冷却部的部分放大表示的示意图。
[0010]图4A～D是实施方式的等离子体处理装置的一部分的示意图。
[0011]图5是表示实施方式的虚设环的冷却温度调整的流程的一例的流程图。
具体实施方式
[0012]以下，参照随附附图，详细地说明实施方式的等离子体处理装置及等离子体处理方法。此外，本专利技术并不由下述实施方式限定。另外，下述实施方式中的构成要素包含业者能够容易地设想者或实质上相同者。
[0013]图1是表示实施方式的等离子体处理装置100的构成例的图。
[0014]等离子体处理装置100具备处理室10、上部电极12、载置台14、高频供电部16、虚设环18、冷却部20、及控制部50。
[0015]处理室10是用来对晶片22执行等离子体处理的处理室。处理室10例如为铝或不锈钢等金属制的圆筒型真空容器。处理室10的内部作为进行等离子体处理的处理室发挥功能。
[0016]上部电极12配置在处理室10。上部电极12只要配置于在与下述的下部电极24之间能够产生等离子体的位置即可。具体来说，上部电极12配置在处理室10内。
[0017]晶片22为作为被等离子体处理的对象的被处理基板的一例。晶片22也存在被称为半导体晶片、半导体基板的情况。
[0018]载置台14为用来将晶片22载置在载置面14A上的台。载置台14配置在处理室10内，且相对于上部电极12对向配置。详细来说，载置台14的载置面14A相对于上部电极12隔着处理室10内的空间而对向配置。
[0019]载置台14具有下部电极24及绝缘部26。下部电极24相对于上部电极12，隔着绝缘部26及处理室10内的空间而对向配置。
[0020]绝缘部26为绝缘性的部件。绝缘部26的与上部电极12的对向面为用来载置晶片22的载置面14A。在本实施方式中，绝缘部26为将载置在载置面14A的晶片22利用静电吸附固定的静电吸盘。例如，绝缘部26由陶瓷组成，且通过对设置在内部的2个金属电极施加相互为相反极性的电压，而在载置面14A产生正负的电荷，利用库伦力吸附载置在载置面14A上的晶片22。
[0021]在绝缘部26内，设置着用来输送热输送流体(详细情况将在下文叙述)的独立的多个流路28。流路28例如沿着顺着绝缘部26内的载置面14A的二维平面配置为螺旋状。流路28的材质并不限定。例如，流路28由铜(Cu)构成，且在由陶瓷等具有导热性的材料覆盖的状态下埋入在绝缘部26内。流路28经由配管30而连接于供给部32。供给部32分别对多个流路28经由配管30而供给热输送流体。通过热输送流体的供给，而将载置在载置面14A上的晶片22冷却。
[0022]高频供电部16对上部电极12与下部电极24之间供给高频电力。详细来说，高频供电部16电连接于下部电极24，且将有助于等离子体的产生的规定的频率(例如，40MHz等的高频)的电力供给至下部电极24。
[0023]虚设环18为包围载置在载置台14的晶片22的环状周缘部的环状部件。也存在将虚设环18称为盖部件、聚焦环的情况。
[0024]虚设环18的内径只要为大于载置在载置面14A上的晶片22的直径的内径即可。虚设环18以包围晶片22的外周(也就是说，圆盘状的晶片22的外周的周缘)的方式配置。通过设置虚设环18，来控制晶片22的外周区域的等离子体强度。所谓晶片22的外周，是指圆盘状的晶片22的盘面的周缘(沿着外周的缘部)。所谓晶片22的外周区域，是指从晶片22的该周缘朝向晶片22的盘面的中心的规定的区域，且为不包含晶片22的盘面的中心的区域。
[0025]在本实施方式中，虚设环18包括内侧虚设环34、外侧虚设环36、及支撑环38。此外，虚设环18的构成并不限定于该构成。
[0026]图2是晶片22及虚设环18的俯视图。如图2所示，内侧虚设环34为包围晶片22的环状周缘部的环状部件。外侧虚设环36配置在内侧虚设环34的外周侧，且为以与内侧虚设环34成为同心圆状的方式配置的环状部件。支撑环38为以与内侧虚设环34及外侧虚设环36成为同心圆状的方式配置的环状部件。
[0027]返回至图1继续说明。详细来说，内侧虚设环34为配置在外侧虚设环36的内周侧的环状部件。在本实施方式中，内侧虚设环34以相对于圆柱状的载置台14成为同心圆状的方式，以包围该载置台14的外周的方式配置。另外，内侧虚设环34以内侧虚设环34的铅直方向(箭头ZB方向)的上游侧端面的一部分与载置在载置台14的晶片22的外周区域的下表面(铅直方向(箭头ZB方向)的下游侧端面)对向的方式配置。
[0028]支撑环38为支撑外侧虚设环36的环状部件。在本实施方式中，支撑环38在内侧虚设环34的外周侧以与内侧虚设环34成为同心圆状的方式配置。而且，支撑环38通过接触配置在外侧虚设环36的下表面(铅直方向(在图1中，为箭头ZB方向)的下游侧端面)的至少一部分的区域，来支撑外侧虚设环36。
[0029]支撑环38为铅直方向(箭头ZB方向)的上游侧端面接触配置在外侧虚设环36，且铅直方向(箭头ZB方向)的下游侧端面连接于驱动部40。
[0030]驱动部40通过使支撑环38上下移动，来使由支撑环38支撑的外侧虚设环36上下移动。此外，所谓上下移动，是指向反铅直方向(在图1中，为箭头ZA方向)及铅直方向(在图1中，为箭头ZB方向)的移动。此外，箭头Z方向(箭头ZA方向、箭头ZB方向)只要为相对本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，具备：上部电极，配置在处理室；载置台，在所述处理室内与所述上部电极对向配置，具有下部电极，且载置被处理基板；高频供电部，对所述上部电极与所述下部电极之间供给高频电力；虚设环，包围载置在所述载置台的所述被处理基板的环状周缘部；及冷却部，在所述虚设环与所述被处理基板的交界区域中，从自所述被处理基板离开的方向侧冷却所述虚设环。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中所述冷却部具有：流路，设置在所述虚设环的内部且用来输送热输送流体；及供给部，对所述流路输送所述热输送流体。3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中所述虚设环包含：内侧虚设环，包围所述被处理基板的所述环状周缘部；外侧虚设环，在所述内侧虚设环的外周侧与所述内侧虚设环同心圆地配置；及支撑环，接触配置在所述外侧虚设环，且支撑所述外侧虚设环；所述流路，配置在所述内侧虚设环、所述外侧虚设环、及所述支撑环中至少一者的内部，该等离子体处理装置，还具备隔着所述支撑环而使所述外侧虚设环上下移动的驱动部。4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其中所述流路，配置在至少所述支撑环的内部。5.根据权利要求3或4所述的等离子体处理装置，其中所述流路包括：第1流...
【专利技术属性】
技术研发人员：川崎大地，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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