一种新型的倒装LED实现结构及方法技术

本发明专利技术公开了一种新型的倒装LED实现结构及方法，它包括倒装LED芯片、倒装LED支架和环氧锡膏；所述的倒装LED芯片通过环氧锡膏粘接在倒装LED支架的焊盘区域；所述的倒装LED芯片的P极、N极分别涂覆锡层，形成P极镀锡层、N极镀锡层；P极镀锡层、N极镀锡层分别对应粘贴到倒装LED支架对应的焊盘槽坑内；所述的环氧锡膏点涂在倒装LED支架的焊盘槽坑内，焊盘槽坑四周设置有树脂溢流沟槽，焊盘槽坑之间设置有斜坡型隔离块，EMC胶材填充在P极、N极的焊盘周边，倒装LED支架上还填充有支架蚀刻片。本发明专利技术抑制倒装LED封装制程回流焊时锡膏融化后不规则流动引发的短路失效，同时解决终端二次回流焊可能造成的锡膏回融流动产生的短路风险。焊可能造成的锡膏回融流动产生的短路风险。焊可能造成的锡膏回融流动产生的短路风险。

【技术实现步骤摘要】
一种新型的倒装LED实现结构及方法


[0001]本专利技术涉及的是LED封装
，具体涉及一种新型的倒装LED实现结构及方法。

技术介绍

[0002]近几年随着照明产业、显示行业的迅速增长，市场对LED发光二极管的需求也越来越大。随着行业不断的技术突破，终端客户对LED发光二极管要求也越来越高，尤其是封装功率、光效、及可靠性的要求不断提升；在此背景下，倒装LED产品规模不断扩大并冲击中高端市场。
[0003]在现有的倒装LED封装技术中，最大的问题是：在封装制程中，由于倒装芯片的P电极和N电极在同一个平面上；倒装固晶后，焊接的焊料在回流焊之后，锡膏融化的过程中，容易导致芯片的P电极和N电极短路，从而引发失产品失效。即便是封装环节正常的产品，在终端制程中，仍有二次贴板作业，需再次经过回流焊，原先的正常产品可能会因为锡膏回融导致短路失效。
[0004]在这种背景下，解决倒装工艺在封装环节及终端使用过程中短路引发失效的技术难点就成为行业的迫切需求。
[0005]综上所述，本专利技术设计了一种新型的倒装LED实现结构及方法。

技术实现思路

[0006]针对现有技术上存在的不足，本专利技术目的是在于提供一种新型的倒装LED实现结构及方法，抑制倒装LED封装制程回流焊时锡膏融化后不规则流动引发的短路失效，同时解决终端二次回流焊可能造成的锡膏回融流动产生的短路风险。
[0007]为了实现上述目的，本专利技术是通过如下的技术方案来实现：一种新型的倒装LED实现结构，包括倒装LED芯片、倒装LED支架和环氧锡膏；所述的倒装LED芯片通过环氧锡膏粘接在倒装LED支架的焊盘区域；所述的倒装LED芯片的P极、N极分别涂覆锡层，形成P极镀锡层、N极镀锡层；P极镀锡层、N极镀锡层分别对应粘贴到倒装LED支架对应的焊盘槽坑内；所述的环氧锡膏点涂在倒装LED支架的焊盘槽坑内，焊盘槽坑四周设置有树脂溢流沟槽，焊盘槽坑之间设置有斜坡型隔离块，EMC胶材填充在P极、N极的焊盘周边，倒装LED支架上还填充有支架蚀刻片。
[0008]作为优选，所述的环氧锡膏为带有树脂成分的锡膏。
[0009]作为优选，所述的斜坡型隔离块的高度高于P极镀锡层、N极镀锡层。
[0010]一种新型的倒装LED实现方法，包括以下步骤：
[0011](1)、首先，采用镀锡工艺完成倒装芯片电极镀锡；在倒装支架注塑时，在支架焊盘区域周围将EMC胶材填充在P极焊盘和N极焊盘周边，高于焊盘的表面；而在两个焊盘中间位置，胶材注塑为隆起的斜坡型的隔离块，它的高度高于其他位置；另外通过冲压方式在P极焊盘和N极焊盘内侧周边制作一圈完整封闭的树脂溢流沟槽；
[0012](2)、在固晶过程中，先将环氧锡膏点涂在倒装LED支架的焊盘槽坑内；再将倒装LED芯片及其带有镀锡层的电极，倒覆在倒装LED支架的焊盘槽坑上契合固定；
[0013](3)、将固晶完成的支架过回流焊设备，倒装芯片镀锡层与焊盘槽坑及点涂在倒装LED支架焊盘槽坑内的环氧锡膏融合；经过回流焊固化，使芯片和支架形成导通的回路；
[0014](4)、最后将荧光胶填充入支架碗杯中，即可。
[0015]本专利技术的有益效果：
[0016]1、彻底解决了倒装LED产品在封装制程中的短路失效风险；提升产品的良品率，杜绝隐形的电性异常；目前的倒装产品主要依靠测试手段来筛选不良品，存在误判风险；而这种隔断短路途径的方案可以彻底避免这种隐性风险；
[0017]2、同时，这种方案也解决了行业下游制程的短路风险；在终端使用时需再次通过回流焊来焊接；这种结构能够杜绝二次锡膏回融不规则流动导致的P、N极短路问题。
附图说明
[0018]下面结合附图和具体实施方式来详细说明本专利技术；
[0019]图1为本专利技术的倒装芯片的正视图；
[0020]图2为本专利技术的倒装芯片的侧视图；
[0021]图3为本专利技术的支架的正视图
[0022]图4为本专利技术的支架的侧视图；
[0023]图5为图4的A部放大示意图；
[0024]图6为本专利技术的结构剖视图。
具体实施方式
[0025]为使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本专利技术。
[0026]参照图1-6，本具体实施方式采用以下技术方案：一种新型的倒装LED实现结构，包括倒装LED芯片、倒装LED支架和环氧锡膏；所述的倒装LED芯片通过环氧锡膏粘接在倒装LED支架的焊盘区域；所述的倒装LED芯片的P极1、N极2分别涂覆锡层，形成P极镀锡层3、N极镀锡层4；P极镀锡层3、N极镀锡层4分别对应粘贴到倒装LED支架对应的焊盘槽坑5内；所述的环氧锡膏点涂在倒装LED支架的焊盘槽坑5内，焊盘槽坑5四周设置有树脂溢流沟槽6，焊盘槽坑5之间设置有斜坡型隔离块7，EMC胶材8填充在P极1、N极2的焊盘周边，倒装LED支架上还填充有支架蚀刻片9。
[0027]本具体实施方式的倒装芯片设有导电电极，P极1和N极2；在芯片的P极1和N极2上分别涂覆一层15um的锡膏，形成P极镀锡层3N极镀锡层4；所述的倒装LED支架上设有焊盘槽坑5、树脂溢流沟槽6、斜坡型隔离块7，其余位置和市面上的EMC支架相同，分别为填充EMC胶材8和支架蚀刻片9。所述的锡膏为环氧锡膏。
[0028]一种新型的倒装LED实现方法，包括以下步骤：
[0029](1)、首先，采用镀锡工艺完成倒装芯片电极镀锡；在倒装支架注塑时，在支架焊盘区域周围将EMC胶材填充在P极焊盘和N极焊盘周边，高于焊盘的表面；而在两个焊盘中间位置，胶材注塑为隆起的斜坡型的隔离块，它的高度高于其他位置；另外通过冲压方式在P极
焊盘和N极焊盘内侧周边制作一圈完整封闭的树脂溢流沟槽；
[0030](2)、在固晶过程中，先将环氧锡膏点涂在倒装LED支架的焊盘槽坑内；再将倒装LED芯片及其带有镀锡层的电极，倒覆在倒装LED支架的焊盘槽坑上契合固定；
[0031](3)、将固晶完成的支架过回流焊设备，倒装芯片镀锡层与焊盘槽坑及点涂在倒装LED支架焊盘槽坑内的环氧锡膏融合；经过回流焊固化，使芯片和支架形成导通的回路；
[0032](4)、最后将荧光胶11填充入支架碗杯中，即可。
[0033]通过点涂的方式，将环氧锡膏涂布在倒装LED支架的槽坑5内；将所述的倒装芯片倒覆在所述的倒装LED支架内，使倒装芯片的P极1和N极2正好和焊盘槽坑契合固定；完成此步骤后，再将此半成品通过回流焊设备进行焊接；这个过程中，加热固化，低温时，锡膏中的环氧成分达到熔点融化，向外扩散流动，溢流到倒装支架焊盘周边的树脂溢流槽6内，之后在高温区，锡成分达到熔点融化，流动填充整个焊盘槽坑5区域，在经过回流焊尾端低温区进行硬化。在此过程中，树脂溢流槽优先填满环氧锡膏中的树脂，形成外圈保护层，当锡成分融化时，锡被锁定到支架焊盘的槽坑5内，无法溢出；同时，倒装支架P、N焊盘中间的斜坡型隔离块7本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型的倒装LED实现结构，其特征在于，包括倒装LED芯片、倒装LED支架和环氧锡膏；所述的倒装LED芯片通过环氧锡膏粘接在倒装LED支架的焊盘区域；所述的倒装LED芯片的P极(1)、N极(2)分别涂覆锡层，形成P极镀锡层(3)、N极镀锡层(4)；P极镀锡层(3)、N极镀锡层(4)分别对应粘贴到倒装LED支架对应的焊盘槽坑(5)内；所述的环氧锡膏点涂在倒装LED支架的焊盘槽坑(5)内，焊盘槽坑(5)四周设置有树脂溢流沟槽(6)，焊盘槽坑(5)之间设置有斜坡型隔离块(7)，EMC胶材(8)填充在P极(1)、N极(2)的焊盘周边，倒装LED支架上还填充有支架蚀刻片(9)。2.根据权利要求1所述的一种新型的倒装LED实现结构，其特征在于，所述的环氧锡膏为带有树脂成分的锡膏。3.根据权利要求1所述的一种新型的倒装LED实现结构，其特征在于，所述的斜坡型隔离块...

【专利技术属性】
技术研发人员：张路华，李义园，张明武，左明鹏，尚鹏飞，
申请(专利权)人：江西鸿利光电有限公司，
类型：发明
国别省市：