本发明专利技术公开了一种像素结构，包含一对相对应设置的基板、液晶层、多个像素区域、图案化有机材料层以及遮光层。液晶层设置于基板之间。像素区域提供于基板上，各像素区域是由至少二条共同线及至少一条数据线所定义，且其具有至少二个次像素区域，其中各像素区域具有包含至少一主狭缝的像素电极，且主狭缝邻近于次像素区域的交界处。图案化有机材料层设置于该对基板的其中一者上，且相对应于次像素区域的其中一者。遮光层则相对应设置于主狭缝之处。此外，也揭露一种包含此像素结构的显示面板及光电装置以及其制造方法。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种液晶显示装置，且尤其涉及一种像素结构、包含此像素结构的显示面板、包含此显示面板的光电装置以及其制造方法。
技术介绍
图1A是为一种传统半穿透半反射(transflective)多区域垂直排列(Multi-domain Vertical Alignment；MVA)像素结构的上视图。此种半穿透半反射多区域垂直排列像素结构100是由二条共同线122以及二条数据线124来定义出一个像素区域110。像素区域110中包含有二个次像素区域，其中一者为反射区域112，而另一者则为透光区域114。反射区域112与透光区域114靠连接电极151而使其电性相连接。图1B为图1A沿AA’线的剖面图。像素结构100中包含一对玻璃基板130及140，且在此对玻璃基板130及140之间设置有液晶层150。玻璃基板130上依序设置有彩色滤光层132以及平坦化(overcoat)层134。反射区域112中具有一图案化有机材料层164，设置于平坦化层134上。共同电极(commonelectrode)136覆盖于透光区域114的平坦化层134以及反射区域112的图案化有机材料层164上。共同电极136的材质为氧化铟锡(ITO)。凸起物162及166设置于共同电极136上，且其上方对应设置黑色矩阵(black matrix)172及176。多晶硅层141、绝缘层142、第一金属层(M1)143、绝缘层144、第二金属层(M2)145、保护层146及像素电极(pixel electrode)148、149依序形成于玻璃基板140之上，并分别被图案化而构成薄膜晶体管128、储存电容129、共同线122、扫描线126、接触孔(contact hole)182及介层孔(hole)184。保护层146的材质为氮化硅，而于透光区域114中的像素电极148的材质为氧化铟锡。于反射区域112中的像素电极149的材质为反射材质，也称反射层，相对于图案化有机材料层164而设置于保护层146上，以供反射反射区域112中的光线。此种像素结构100在其反射区域112及透光区域114中都会设置凸起物162及166，借以在像素结构100的共同电极136及像素电极148、149间具有电位差时改变电力线的分布，而使液晶层150中的液晶分子往凸起物162及166的方向倾倒，如此达成多区域来增加视角并改善单区域像素结构固有的灰阶反转问题。而且，此种像素结构100大多会制作成双间隙(dual gap)的结构，也即在其反射区域112中会设置作为调整光程差之用的图案化有机材料层164，其目的是使得反射的光程差与穿透的光程差近似相同，以致于穿透与反射的光学表现才会最佳。然而，如图2所示，位于图案化有机材料层164边缘的液晶分子152，却可能受到此图案化有机材料层164边缘地形的影响而在暗态时无法如理想般垂直地排列，造成在图案化有机材料层164边缘会有暗态漏光的现象产生，因而降低此传统像素结构100的穿透对比。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种像素结构及其制造方法，可避免像素结构产生暗态漏光的现象，并提升其穿透对比。本专利技术的另一目的是提供一种包含上述像素结构的显示面板以及其制造方法。本专利技术的另一目的是提供一种包含上述显示面板的光电装置及其制造方法。为实现上述目的，本专利技术的所提供的像素结构包含一对相对应设置的基板、一液晶层、多个像素区域、一图案化有机材料层以及一遮光层。液晶层设置于该对基板之间。像素区域提供于该对基板上，各该像素区域是由至少二条共同线及至少一条数据线所定义，且其具有至少二个次像素区域，其中各该像素区域具有一包含至少一主狭缝的像素电极，且该主狭缝邻近于该次像素区域的交界处。图案化有机材料层设置于该对基板的其中一者上，且相对应于该些次像素区域的其中一者。遮光层则相对应设置于该主狭缝之处。为实现上述目的，本专利技术提供了一种显示面板，包含上述的像素结构。为实现上述目的，本专利技术还提供一种光电装置，包含上述的显示面板。而且，为实现上述目的，本专利技术提供一种像素结构的制造方法，包含提供一对相对应设置的基板。在该对基板上形成多个像素区域，各该像素区域是由至少二条共同线及至少一条数据线所定义，且其具有至少二个次像素区域。在各该像素区域中形成一包含至少一主狭缝的像素电极，其中该主狭缝邻近于该两个次像素区域的交界处。在该对基板的其中一者上设置一图案化有机材料层，且该图案化有机材料层是相对应于该些次像素区域的其中一者。形成一遮光层，相对应于该主狭缝之处。本专利技术还提供一种显示面板的制造方法，包含上述的像素结构的制造方法。而且本专利技术还提供一种光电装置的制造方法，包含上述的显示面板的制造方法。附图说明为让本专利技术的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式的详细说明如下图1A为一种传统半穿透半反射多区域垂直排列像素结构的上视图；图1B为图1A沿AA’线的剖面图；图2为图1A的像素结构在像素电极与共同电极间的电位差接近于零时(即暗态时)，其液晶分子排列的剖面示意图；图3依照本专利技术第一实施例为一种像素结构的上视图；图4A为图3中像素结构的第一种变化例的剖面图，其是沿着图3中AA’线绘示；图4B为图3中像素结构的第二种变化例的剖面图，其沿着图3中AA’线绘示；图4C为图3中像素结构的第三种变化例的剖面图，其沿着图3中AA’线绘示；图5依照本专利技术第一实施例为一种制造方法的流程图；图6为当图3的像素结构在像素电极与共同电极间具有电位差时，其液晶层中液晶分子排列的上视示意图；图7A为图4A的像素结构在像素电极与共同电极间具有电位差时(即亮态时)，其液晶分子排列的剖面示意图；图7B为图4A的像素结构在像素电极与共同电极间的电位差接近于零时(即暗态时)，其液晶分子排列的剖面示意图；图8依照本专利技术第二实施例为一种像素结构的上视图；图9依照本专利技术第三实施例为一种像素结构的上视图；图10A为图9中像素结构的第一种变化例的剖面图，其沿着图9中AA’线而绘示；图10B为图9中像素结构的第二种变化例的剖面图，其沿着图9中AA’线而绘示；图10C为图9中像素结构的第三种变化例的剖面图，其沿着图9中AA’线而绘示；图11依照本专利技术第四实施例为一种像素结构的剖面图；图12依照本专利技术第五实施例为一种像素结构的剖面图；以及图13是根据本专利技术第七实施例为一种光电装置的示意图。其中，附图标记100像素结构110像素区域112反射区域114透光区域122共同线 124数据线126扫描线 128薄膜晶体管129储存电容130玻璃基板132彩色滤光层134平坦化层136共同电极140玻璃基板141多晶硅层142、144、绝缘层 143第一金属层145第二金属层 146保护层148像素电极149反射层150液晶层 151连接电极152液晶分子162、166凸起物164图案化有机材料层172、176黑色矩阵182接触孔 184介层孔 300、300a、300b、300c、800、900、900a、900b、900c、1100、1200像素结构310、810、910像素区域312、812、912、1112、1212反射区域314、814、914、1114、1214透光区域322、82本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，包含：一对相对应设置的基板；一液晶层，设置于该对基板之间；多个像素区域，提供于该对基板上，各该像素区域是由至少二条共同线及至少一条数据线所定义，且其具有至少二个次像素区域，其中各该像素区域具 有一包含至少一主狭缝的像素电极，且该主狭缝邻近于该次像素区域的交界处；一图案化有机材料层，设置于该对基板的其中一者上，且相对应于该些次像素区域的其中一者；以及一遮光层，相对应设置于该主狭缝之处。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：范姜士权，林敬桓，张志明，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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