本发明专利技术涉及一种液晶显示装置，包括：第一基板，具有显示区；第二基板，面对所述第一基板；以及液晶层，设置在所述第一基板和所述第二基板之间，所述第一基板包括：栅极主线，设置在所述显示区中；栅极焊盘，设置在所述显示区外；以及镇流电阻器，电连接所述栅极主线和所述栅极焊盘，且包括比定义所述栅极主线的主要导电材料具有更大电阻率的材料。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术公开的内容涉及液晶显示(LCD)装置，更具体而言，涉及其中 栅信号传输路径的延迟差异被减小且亮度均匀性由此得到改善的液晶显示 装置。
技术介绍
普通液晶显示装置包括具有多个薄膜晶体管(TFT)的第一基板(含有 TFT的基板)、与第 一基板成分开面对关系的第二基板(公共电极基板)、以 及设置在第一和第二基板之间的液晶材料层。含有TFT的基板(第一基板)的像素区域通常定义为矩形区域，其具有 在设置于TFT基板中的相应栅极线和数据线彼此交叉处或附近定位的角。穿 过每个像素区域的光透射通常通过薄膜晶体管(TFT)控制，薄膜晶体管的 栅极连接到栅极线，其源极连接到数据线，且其漏极连接到像素区域的相应 像素电极。当激活像素的栅信号，即栅极导通电压(Von)提供到栅极线时， 薄膜晶体管导通且出现在源极的数据电压(Vd)通过TFT的导电沟道区施加到像素电极。由于出现在像素电极上的像素电压Vp与出现在间隔开的第二基板的公 共电极上的公共电压Vcom之间的差而形成的电场驱动在中间的液晶材料至 相应的光学取向。在一些实施例中，供应到数据线上的数据电压Vd的极性 按每帧或预定数目的帧翻转，从而减小单向电流的不利影响。多种因素可导致像素电极上出现的Vp电压不同于供应在数据线上的 Vd电压。所谓的密勒(Miller)电容或寄生电容Cp经常存在于每个TFT的 栅极与它的源极和漏极电极的每个之间。通过TFT供应到像素区域的数据电 压脉冲Vd的上升沿和下降沿由于经寄生电容Cp的负反馈而被迟緩(导致 变化更緩慢)，由此引起与出现在数据线上的数据电压脉冲的Vd幅度相比不 同的像素电压Vp出现在带电的像素电极上。供应到数据线上的数据电压Vd 的幅度和像素电极上产生的像素电压Vp之间的差称为反沖电压(kick back voltage ) Vkb。影响像素电极电压Vp的另一因素是施加到TFT的栅极的栅极导通电压 的幅度(magnitude )。在一类实施例中，栅极线从较宽的栅信号发源 (origination)焊盘接收其栅信号，在较宽的栅信号发源焊盘处多个焊盘在 可设置相应的驱动芯片(集成电路芯片)的区域中挤在一起且每条栅极线用 作单独的信号传输条带(strip )以用于将栅信号从其IC连接焊盘耦合到沿每 条栅极线分布的各TFT。靠近其各栅极分布焊盘定位的像素区域一般接收短 延迟的栅信号(RC因子导致延迟)，而远离4册极焊盘定位的像素区域接收由 于栅极线的累积电阻(R)和/或其它传输线效应(即C和/或L)而导致的较 长延迟的栅信号。反冲电压Vkb的大小尤其依赖于栅信号线的产生延迟的累积电阻。所得 到的像素电压Vp受反冲电压Vkb变化的影响，由此导致归因于像素区域距 离其相应的栅信号发源焊盘的距离的图像中亮度不规则。这些效应会引起不 期望的图像质量下降。
技术实现思路
本公开的一个实施例提供一种液晶显示装置，其减小了由于栅信号之间 的延迟差异导致的亮度不规则性。本公开的额外方面和/或优点将在下面的详细说明中阐述。根据本公开的 一个方面，设置延迟镇流电阻器，其中该电阻器包括与用于形成透光像素电 极的材料相同的材料。更具体而言，.在一个实施例中，延迟镇流电阻器包括 铟锡氧化物(ITO )或铟锌氧化物(IZO )。根据本公开的另 一方面，如果沿着通过所述电阻器连接的栅极主线和扇 出线测量的栅极和栅极焊盘之间的距离变大，则延迟镇流电阻器具有较小电 阻值，且如果该分隔距离较小，则具有较大电阻值。根据本公开的另一方面，液晶显示装置还包括设置在所述栅极焊盘和所 述延迟镇流电阻器之间的信号扇出部件。根据本公开的另一方面，所述栅极主线、所述栅极焊盘和所述扇出部件 形成为相同层的部分。根据本公开的一方面，第一基板还包括交叉栅极外围的静电条、以及抗 静电二极管，所述栅极外围设置在所述电阻器外并具有所述栅极焊盘和所述栅极扇出部件，所述抗静电二极管与所述栅极外围和所述静电条电连接。根据本公开的一方面，第一基板还包括存储电极线和公共电压线，所述 存储电极线形成在所述显示区内并平行于所述栅极主线伸长，所述公共电压 线形成在所述显示区外并交叉所述4册极外围，且向所述存储电极线提供公共 电压，所述静电条包括所述公共电压线。根据本专利技术的一方面，所述抗静电二极管包括第一抗静电二极管和第二 抗静电二极管，所述第 一抗静电二极管将所述栅极外围作为控制端子和输入 端子，将所述静电条作为输出端子，所述第二抗静电二极管将所述栅极外围 作为输出端子，将所述静电条作为控制端子和输入端子。根据本专利技术的一方面，该液晶显示装置还包括密封剂，所述密封剂形成 在所述扇出部件上且将所述第一基板和所述第二基板结合。根据本专利技术的一方面，该液晶显示装置还包括设置在所述栅极焊盘和所 述电阻器之间的扇出部件。根据本专利技术的一方面，所述栅极焊盘、所述扇出部件和所述电阻器形成 为相同的层。根据本专利技术的一方面，所述电阻器的至少一部分具有曲折图案。 根据本专利技术的一方面，所述液晶层是垂直取向模式。根据本专利技术的一方面，所述像素电极包括像素电极切割图案且所述第二 基板包括公共电极，所述公共电极形成有公共电极切割图案。根据本专利技术的 一方面，所述像素电极包括彼此分离的第 一像素电极和第 二像素电极，且所述第 一和第二像素电极接收不同的像素电压。根据本专利技术的一方面，所述薄膜晶体管包括漏极电极，所述漏极电极包 括直接向所述第 一像素电极提供数据电压的第 一漏极电极和与所述第二像 素电极一起形成耦合电容的第二漏极电极。根据本专利技术的一方面，所述薄膜晶体管包括与所述第一像素电极连接的 第一薄膜晶体管和与所述第二像素电极连接的第二薄膜晶体管。才艮据本专利技术的 一 方面，所述电阻器的总电阻为所述^^极主线的总电阻的 10%至50%。根据本专利技术的一方面，所述栅极主线中栅信号延迟的变化发生在100%内。本专利技术的上述和/或其它方面可以通过提供一种液晶显示装置实现，该晶显示装置包括第一基板，具有显示区；第二基板，面对所述第一基板； 以及液晶层，设置在所述第一基板和所述第二基板之间；所述第一基板包括 栅极主线，设置在所述显示区中；栅极焊盘，设置在所述显示区外；电阻器， 电连接所述栅极主线和所述栅极焊盘，且包括比所述栅^L主线具有更大电阻 的材料；薄膜晶体管，与所述栅极主线连接；以及像素电极，与所述薄膜晶 体管电连接且包括与所述电阻器相同的材料，所述液晶层为垂直取向(VA) 模式。本专利技术的上述和/或其它方面可以通过提供一种薄膜晶体管阵列基板实 现，该薄膜晶体管阵列基板包括基板，具有显示区和非显示区；栅极主线， 设置在所述显示区中；栅极焊盘，设置在所述显示区外；电阻器，电连接所 述栅极主线和所述栅极焊盘，且包括比所述栅极主线具有更大电阻的材料； 薄膜晶体管，与所述栅极主线连接；以及像素电极，与所述薄膜晶体管电连 接且包括与所述电阻器相同的材料。附图说明通过下面结合附图的详细描述，本公开的上述和/或其它特征及优点将变 得更加明显，附图中图1示出根据第一实施例的液晶显示装置中的第一基板的平面图； 图2是根据第一实施例的图1中的部分A的放大图； 图3是沿图2中的Ill-Ill取得的剖视图；图4绘出根据第 一实施例的液晶显示装置中作为像素电压的函数的透射 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种液晶显示装置，包括： 第一基板，具有多个透光显示区； 第二基板，与所述第一基板间隔开并面对所述第一基板；以及 液晶材料层，设置在所述第一基板和所述第二基板之间， 所述第一基板包括： 栅极主线，设置在所述显示区的给定的一个中； 栅极焊盘，设置在所述给定的显示区外；以及 镇流电阻器，将所述栅极主线电连接到所述栅极焊盘，且包括比主要定义所述栅极主线的第二材料具有更大电阻率的第一材料。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金东奎，罗柄善，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[]
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