硼酸盐和近红外线吸收材料制造技术

提供一种用于近红外线吸收材料的硼酸盐，其具有由式（１）：［ＢＲ↓［ｍ］↑［１］Ｒ↓［４－ｍ］↑［２］］↑［－］表示的阴离子（其中Ｒ↑［１］表示具有吸电子基团的芳基；Ｒ↑［２］表示有机基团、卤素基团或羟基；ｍ为１至４的整数）。本发明专利技术的硼酸盐能够提高近红外线吸收染料的耐久性，特别是耐热性和耐湿性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于近红外线吸收材料的硼酸盐、含有该硼酸盐的近红外线吸收材料，以及使用该近红外线吸收材料的用于等离子体显示器和光学半导体元件的滤光器。特别地，本专利技术涉及具有提高的近红外线吸收染料的耐久性的硼酸盐、含有可见光区域中的透明性以及耐久性优良的硼酸盐的近红外线吸收材料，以及使用该近红外线吸收材料的用于等离子体显示器和光学半导体元件的滤光器。
技术介绍
近年来，已经注意到适用于薄的和大面积屏幕的PDP(等离子体显示板)。PDP在等离子体放电时产生波长800nm至1000nm的近红外线，并且有该近红外线导致家用电器的遥控器不正常工作的问题。另外，由于在CCD照相机等中使用的光学半导体元件在近红外区域具有高敏感性，因此需要除去近红外线。在这种情形下，需要具有高近红外线吸收能力和在可见光区域中高透明性的近红外线吸收材料。 作为近红外线吸收材料，已经广泛已知加入能够吸收近红外线的染料的材料。作为这种近红外线吸收染料，传统地使用基于花青的染料、聚甲川基染料、方酸菁基染料、卟啉基染料、二硫醇金属络合物基染料、基于酞菁的染料、基于二亚铵的染料等。在这些当中，基于二亚铵的染料由于其在不短于900nm的波长下的高近红外线吸收能力和在可见光区域高的透明性而因此被广泛使用(例如参见US-B-6,255,031和US-B-6,522,463)。作为用于光学半导体元件的近红外线吸收材料，还使用含有基于磷酸铜的化合物的一类(例如参见US-A-5,567,778)。 另外，由于PDP在主要由封装在面板内的稀有气体特别是氖气组成的气体气氛中产生放电，并且借助于在放电时产生的真空紫外线，使得装在面板内的小室中的荧光物质R、G和B发光。在该发射过程中，还同时放出了PDP工作所不需要的电磁波，因此还需要屏蔽电磁波。另外，为了抑制反射光，还需要抗反射膜和防眩膜(防闪膜)。因此，通常通过将近红外线吸收膜、电磁干扰屏蔽膜和抗反射膜层压在作为支承基材的玻璃或冲击吸收片材上而制备用于等离子体显示器的滤光器。可以通过安置在PDP的前表面侧或者通过使用粘合剂或压敏性粘合剂直接粘结而使用这类用于等离子体显示器的滤光器。
技术实现思路
然而，代表基于二亚铵的染料的近红外线吸收染料有时可能耐久性差，并且近红外线吸收能力的劣化或着色可能在显示器或光学半导体元件应用中导致严重的问题。该劣化被认为由染料的劣化而引起，染料劣化由多种因素例如热、湿气和光造成。因此，传统上已经挑战近红外线吸收染料的耐久性的各种改进，然而效果仍然不充分。另外，由于难以提高近红外线吸收材料中基于磷酸铜的化合物的含量，因此难以获得近红外线吸收能力优良的薄膜材料。 因此，本专利技术的一个目的是提供可有利地用于近红外线吸收材料(染料)中以提高近红外线吸收染料的耐久性，特别是耐热性和耐湿性的硼酸盐。 本专利技术的另一个目的是提供在可见光区域中的透明性以及耐久性优良的近红外线吸收材料。 本专利技术的又一个目的是提供用于等离子体显示器的滤光器、用于光学半导体元件的滤光器，以及使用近红外线吸收材料的等离子体显示器和光学半导体元件。 本专利技术人深入研究了提高近红外线吸收染料，特别是用于滤光器中的近红外线吸收材料的耐久性的方式，发现具有含有吸电子基团的连接在硼原子上的芳基的硼酸盐能够提高近红外线吸收染料的耐久性，特别是耐热性和耐湿性，并且加入该硼酸盐的近红外线吸收材料在可见光区域中的透明性以及耐久性(特别是耐热性和耐湿性)优良。另外，本专利技术人发现通过使用该近红外线吸收材料，可以获得耐久性以及可见光区域中的透明性优良的用于等离子体显示器的滤光器和用于光学半导体元件的滤光器。基于这些发现，完成了本专利技术。 即，可以通过这样一种用于近红外线吸收材料的硼酸盐实现该目的，该硼酸盐具有由下式(1)表示的阴离子 - (1) 其中R1表示具有吸电子基团的芳基；R2表示有机基团、卤素基团或羟基；m为1至4的整数。 另外，可以通过包含本专利技术的硼酸盐和近红外线吸收染料的近红外线吸收材料实现另一个目的。 可以通过使用本专利技术的近红外线吸收材料的用于等离子体显示器的滤光器和用于光学半导体元件的滤光器以及使用这些滤光器的等离子体显示器和光学半导体元件实现又一个目的。 由于本专利技术的硼酸盐提高了近红外线吸收染料的耐久性，特别是耐热性和耐湿性，并且另外不会削弱在可见光区域中的透明性，因此其可以有利地用于各种近红外线吸收材料(染料)，包括传统上有耐久性问题的基于二亚铵的染料中。 另外，通过将使用含有本专利技术的硼酸盐的近红外线吸收材料的滤光器用于等离子体显示器或光学半导体元件，由于长时间保持了近红外线吸收能力和可见光区域中的透明性，因此可以改善显示器或光学半导体元件的外观。 通过解释下面的优选实施方案和附图，本专利技术的以上和其他的目的、实施方案和其他优点将变得明显。 附图说明 图1是在实施例3-1中得到的二亚铵TEPB盐的可见-近红外吸收光谱。 图2是在实施例3-1中得到的二亚铵TEPB盐的IR光谱。 图3是用于比较例2-1中的二亚铵SbF6盐的可见-近红外吸收光谱。 图4是用于比较例2-1中的二亚铵SbF6盐的IR光谱。 图5是用于比较例3-1中的二亚铵BPh4盐的可见-近红外吸收光谱。 图6是用于比较例3-1中的二亚铵BPh4盐的IR光谱。 图7是在实施例6-3中制备的近红外线吸收材料A6的可见-近红外吸收光谱。 图8是在比较例5-2中制备的近红外线吸收材料B5的可见-近红外吸收光谱。 图9是在比较例6-2中制备的近红外线吸收材料B6的可见-近红外吸收光谱。 图10是在实施例12-1中制备的吲哚鎓TEPB盐的可见-近红外吸收光谱。 图11是在实施例12-1中制备的吲哚鎓TEPB盐的IR光谱。 图12是用于实施例12-1中的TEPBNa的可见-近红外吸收光谱。 图13是用于实施例12-1中的TEPBNa的IR光谱。 图14是用于实施例12-1中的吲哚鎓PF6的可见-近红外吸收光谱。 图15是用于实施例12-1中的吲哚鎓PF6的IR光谱。 具体实施例方式 下面将详细解释本专利技术。 本专利技术的第一方面涉及用于近红外线吸收材料的硼酸盐，其具有由下式(1)表示的阴离子 -(1) 其中R1表示具有吸电子基团的芳基；R2表示有机基团、卤素基团或羟基；m为1至4的整数。 (1)式(1)的阴离子 用于本专利技术中的阴离子是由式(1)表示的硼酸盐阴离子，并且通过将具有吸电子基团的芳基键合在硼原子上，可以提高近红外线吸收染料的耐久性。 式(1)中的R1表示具有吸电子基团的芳基，并且没有特别限制。优选其上连接有吸电子基团的具有6至12个碳原子的芳基，并且包括例如其上连接有吸电子基团的苯基、萘基和联苯基。在上述芳基当中，其上连接有吸电子基团的苯基(即R1是其上连接有吸电子基团的苯基)在经济上是优选的。 尽管式(1)中的R1中的吸电子基团没有特别限制，但其特别优选是至少一种选自由-CpF2P+1(p为自然数)、-NO2、-CN、-F、-Cl和-Br组成的组中的取代基，并且其更优选是至少一种选自由-CF3、-C2F5和-F组成的组中的取代基，并且特别优选是-F。当芳基中含有多个吸电子基团时，每一个吸电子基团可以相同或不同。在本专利技术中，特别地，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于近红外线吸收材料的硼酸盐，其具有由下式（１）表示的阴离子：［ＢＲ↑［１］↓［ｍ］Ｒ↑［２］↓［４－ｍ］］↑［－］（１）其中Ｒ↑［１］表示具有吸电子基团的芳基；Ｒ↑［２］表示有机基团、卤素基团或羟基；ｍ为１至４的整 数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤彰男，石田知史，饭田俊哉，石井尊子，小林信弘，
申请(专利权)人：株式会社日本触媒，
类型：发明
国别省市：JP[日本]