本发明专利技术提供一种近红外线吸收性组合物、使用其的近红外线截止滤波器及其制造方法、照相机模块及其制造方法、以及固体摄影元件，所述近红外线吸收性组合物可形成可维持高的近红外线遮蔽性且耐热性优异的硬化膜。本发明专利技术的近红外线吸收性组合物含有：近红外线吸收性化合物(A1)，其是由含有两个以上的对金属成分的配位部位、或含有对金属成分的配位部位与交联性基且分子量为1800以下的低分子化合物或其盐与金属成分的反应所得；以及近红外线吸收性化合物(B)，其是由含有下述式(II)所表示的重复单元的高分子化合物或其盐与金属成分的反应所得。下述式(II)中，R2表示有机基，Y1表示单键或二价连结基，X2表示对金属成分的配位部位。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种近红外线吸收性组合物、使用其的近红外线截止滤波器及其制造 方法、照相机模块及其制造方法以及固体摄影元件。
技术介绍
在摄影机（video camera)、数字静态照相机（digital still camera)、 带有照相功能的移动电话等中，一直使用作为彩色图像的固体摄影元件的电荷耦 合元件（Charge-Coupled Device，CCD)或互补金属氧化物半导体（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS)图像传感器。固体摄影元件在其受光部中使用对近红 外线具有感度的娃光电二极管（silicon photodiode)，故必须进行视感度修正，大多情况 下使用近红外线截止滤波器（以下也称为红外线（Infrared，IR)截止滤波器）。 作为近红外线截止滤波器的材料，在专利文献1中揭示有一种含有红外线阻断性 树脂的红外线阻断性膜，所述红外线阻断性树脂是在（甲基）丙烯酰胺与磷酸的反应物或 其水解物、与具有乙烯性不饱和键的化合物的共聚物中，添加金属化合物而成。 日本专利特开2010-134457号公报
技术实现思路
此处，对所述专利文献1中揭示的红外线阻断性树脂进行了研究，结果得知，近红 外线遮蔽性不充分，另外耐热性也不充分。 本专利技术的目的在于解决所述课题，且提供一种维持高的近红外线遮蔽性、且耐热 性优异的硬化膜。 本专利技术人等人发现，通过在近红外线吸收性组合物中调配后述的近红外线吸收 性化合物（Al)及近红外线吸收性化合物（B)、以和/或者后述的近红外线吸收性化合物 (A2)，可解决所述课题。 具体而言，通过以下的手段〈1>、优选为手段〈2>~手段〈18>解决了所述课题。 〈1> 一种近红外线吸收性组合物，含有： 近红外线吸收性化合物（Al)，其是由含有两个以上的对金属成分的配位部位、或 含有对金属成分的配位部位与交联性基且分子量为1800以下的低分子化合物或其盐与金 属成分的反应所得；以及 近红外线吸收性化合物（B)，其是由含有下述式（II)所表示的重复单元的高分子 化合物或其盐与金属成分的反应所得； 式（II)中，R2表示有机基，Y 1表示单键或二价连结基，X 2表示对金属成分的配位 部位。 〈2> -种近红外线吸收性组合物，含有近红外线吸收性化合物，所述近红外线吸收 性化合物是由含有两个以上的对金属成分的配位部位或含有对金属成分的配位部位与交 联性基且分子量为1800以下的低分子化合物或其盐、含有下述式（II)所表示的重复单元 的高分子化合物或其盐、以及金属成分的反应所得； 式（II)中，R2表示有机基，Y 1表示单键或二价连结基，X 2表示对金属成分的配位 部位。 〈3>根据〈1>或〈2>所记载的近红外线吸收性组合物，其中低分子化合物为下述式 (I)所表示的化合物； 式（I)中，R1表示nl价的基团，X 1表示对金属成分的配位部位，nl表示2~6的 整数。 〈4>根据〈1>或〈2>所记载的近红外线吸收性组合物，其中低分子化合物为下述式 (aΙ-i)所表示的化合物； R100-L100-(X100)n... (al-i) 式（al-i)中，Xim表示对金属成分的配位部位，η表示1~6的整数，L ?表示单 键或连结基，R?表示交联性基。 〈5>根据〈1>至〈4>中任一项所记载的近红外线吸收性组合物，其中含有式（II) 所表示的重复单元的高分子化合物或其盐的重量平均分子量为2, 000~2, 000, 000。 〈6> -种近红外线吸收性组合物，含有近红外线吸收性化合物（A2)，所述近红外 线吸收性化合物（A2)是由下述式（III)所表示的分子量为1800以下的低分子化合物或其 盐与金属成分的反应所得； 式（III)中，R3表示n2价的基团，X 1表示对金属成分的配位部位，n2表示3~6 的整数。 〈7>根据〈1>至〈6>中任一项所记载的近红外线吸收性组合物，其中金属成分为铜 成分。 〈8>根据〈1>至〈7>中任一项所记载的近红外线吸收性组合物，其中对金属成分的 配位部位为酸基。 〈9>根据〈1>至〈5>中任一项所记载的近红外线吸收性组合物，含有具有下述式 (IV)所表示的部分结构的近红外线吸收性化合物（C); 式（IV)中，R4表示有机基，R5表示二价基团，Y 2表示单键或二价连结基，X 3及X 4 分别独立地表示与铜形成配位键的部位，Cu表示铜离子。 〈10>根据〈9>所记载的近红外线吸收性组合物，其中与铜形成配位键的部位为来 源于酸基的酸基离子部位。 〈11>根据〈1>至〈10>中任一项所记载的近红外线吸收性组合物，其中相对于近红 外线吸收性组合物的总固体成分量，近红外线吸收性组合物中的铜的含量为2质量％~50 质量％。 〈12>根据〈1>至〈11>中任一项所记载的近红外线吸收性组合物，还含有有机溶 剂。 〈13>-种近红外线截止滤波器，其是使用根据〈1>至〈12>中任一项所记载的近红 外线吸收性组合物所得。 〈14>根据〈13>所记载的近红外线截止滤波器，其中在200°C下加热5分钟前后的 波长400nm的吸光度的变化率、及波长800nm的吸光度的变化率均为7%以下。 〈15> -种近红外线截止滤波器的制造方法，包括以下步骤：在固体摄影元件的受 光侧，涂布根据〈1>至〈12>中任一项所记载的近红外线吸收性组合物，由此形成近红外线 截止滤波器。 〈16> -种固体摄影元件，具有使用根据〈1>至〈12>中任一项所记载的近红外线吸 收性组合物所得的近红外线截止滤波器。 〈17> -种照相机模块，具有固体摄影元件、及配置于固体摄影元件的受光侧的近 红外线截止滤波器，且使用根据〈14>所记载的近红外线截止滤波器。 〈18> -种照相机模块的制造方法，制造具有固体摄影元件、及配置于固体摄影元 件的受光侧的近红外线截止滤波器的照相机模块，并且所述照相机模块的制造方法包括以 下步骤：在固体摄影元件的受光侧涂布根据〈1>至〈12>中任一项所记载的近红外线吸收性 组合物，由此形成近红外线截止滤波器。 根据本专利技术，可提供一种维持高的近红外线遮蔽性、且耐热性优异的硬化膜。【附图说明】 图1为表示本专利技术的近红外线吸收性化合物的一例的图像图。 图2为表示本专利技术的近红外线吸收性化合物的其他例的图像图。 图3为表示具备本专利技术的实施形态的固体摄影元件的照相机模块的构成的概略 剖面图。 图4为本专利技术的实施形态的固体摄影元件的概略剖面图。 图5为表示照相机模块中的近红外线截止滤波器周边部分的一例的概略剖面图。 图6为表示照相机模块中的近红外线截止滤波器周边部分的一例的概略剖面图。 图7为表示照相机模块中的近红外线截止滤波器周边部分的一例的概略剖面图。 图8为表示近红外线吸收性化合物的一例的图像图。 图9为表示近红外线吸收性化合物的一例的图像图。【具本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种近红外线吸收性组合物，含有：近红外线吸收性化合物(A1)，其是由含有两个以上的对金属成分的配位部位、或含有对金属成分的配位部位与交联性基且分子量为1800以下的低分子化合物或其盐与金属成分的反应所得；以及近红外线吸收性化合物(B)，其是由含有下述式(II)所表示的重复单元的高分子化合物或其盐与金属成分的反应所得；式(II)中，R2表示有机基，Y1表示单键或二价连结基，X2表示对金属成分的配位部位。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：高桥秀知，川岛敬史，稲崎毅，人见诚一，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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