半导体装置及制造半导体装置的方法制造方法及图纸

半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体装置包括：衬底，所述衬底包括电介质、第一导体以及第二导体，所述第一导体位于所述电介质的顶侧上，所述第二导体位于所述电介质的底侧上，其中所述电介质具有孔口，并且所述第一导体包括部分通孔，所述部分通孔通过所述孔口接触所述第二导体的衬垫；电子装置，所述电子装置具有电耦合到所述第一导体的互连件；以及包封件，所述包封件位于所述衬底的顶侧上，所述包封件接触所述电子装置的侧面。本文还公开了其它实例和相关方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及制造半导体装置的方法
本公开总体上涉及电子装置，并且更具体地涉及半导体装置和用于制造半导体装置的方法。
技术介绍
现有半导体封装和用于形成半导体封装的方法存在不足之处，例如造成成本过多、可靠性降低、性能相对较低或封装尺寸太大。对于本领域的技术人员来说，通过将常规和传统方法与本公开进行比较并且参考附图，此类方法的另外的局限性和缺点将变得明显。
技术实现思路
在一个实例中，一种半导体装置包括：衬底，所述衬底包括电介质、第一导体以及第二导体，所述第一导体位于所述电介质的顶侧上，所述第二导体位于所述电介质的底侧上，其中所述电介质具有孔口，并且所述第一导体包括部分通孔，所述部分通孔通过所述孔口接触所述第二导体的衬垫；电子装置，所述电子装置具有电耦合到所述第一导体的互连件；以及包封件，所述包封件位于所述衬底的顶侧上，所述包封件接触所述电子装置的侧面。在所述实例中的所述半导体装置中，所述衬底包括第三导体和第四导体，所述第三导体位于所述电介质的所述顶侧上，所述第四导体位于所述电介质的所述底侧上，其中所述电介质具有另外的孔口，并且所述第三导体包括部分通孔，所述部分通孔通过所述另外的孔口接触所述第四导体的衬垫。所述实例中的所述半导体装置进一步包括迹线，所述迹线位于所述电介质上、所述第一导体的所述部分通孔与所述第三导体的所述部分通孔之间。在所述实例中的所述半导体装置中，所述第一导体的所述部分通孔的端部和所述第三导体的所述部分通孔的端部间隔开30微米或更少。在所述实例中的所述半导体装置中，所述第一导体包括第一迹线，所述第一迹线位于所述电介质的所述顶侧上并且与所述部分通孔相连续；并且所述第一迹线和所述部分通孔的宽度相同。在所述实例中的所述半导体装置中，所述部分通孔的端部接触所述第二导体的所述衬垫；并且与所述部分通孔的所述端部相邻的迹线与所述第二导体的所述衬垫的未被所述部分通孔覆盖的一部分重叠。在所述实例中的所述半导体装置中，所述迹线与位于所述第二导体的所述衬垫与相邻衬垫之间的间隙的一部分重叠。在所述实例中的所述半导体装置中，所述部分通孔包括线性形状。在所述实例中的所述半导体装置中，所述部分通孔包括半圆形形状。在所述实例中的所述半导体装置中，所述部分通孔覆盖所述衬垫的由所述孔口暴露的基底部分的一半或少于一半。在所述实例中的所述半导体装置中，所述部分通孔的端部位于所述第二导体的所述衬垫的中心处。在所述实例中的所述半导体装置中，所述部分通孔覆盖所述孔口的侧壁的一半或少于一半。在另一个实例中，一种用于制造半导体装置的方法包括：在电介质的顶侧上提供第一导体；在所述电介质的底侧上提供第二导体；在所述电介质中提供孔口，其中所述第一导体包括部分通孔，所述部分通孔通过所述孔口接触所述第二导体的衬垫；提供电子装置，所述电子装置具有接触所述第一导体的互连件；以及提供包封件，所述包封件位于所述电介质的顶侧上并且接触所述电子装置的侧面。所述另一个实例中的所述方法进一步包括：在所述电介质的所述顶侧上提供第三导体；在所述电介质的所述底侧上提供第四导体；以及在所述电介质中提供另外的孔口，其中所述第三导体包括部分通孔，所述部分通孔通过所述另外的孔口接触所述第四导体的衬垫。在所述另一个实例中的所述方法中，与穿过同一电介质的全通孔之间的距离相比，所述第一导体的所述部分通孔和所述第三导体的所述部分通孔在所述电介质中间隔开的距离减小。在所述另一个实例中的所述方法中，与用于穿过同一电介质的全通孔的衬垫的大小相比，所述第二导体的用于所述部分通孔的所述衬垫的大小减小。在又另一个实例中，一种半导体结构包括重新分布层(RDL)衬底，所述RDL衬底包括：第一介电层，所述第一介电层具有第一孔口；第一导电层，所述第一导电层位于所述第一介电层上，其中所述第一导电层具有所述第一孔口中的全通孔(fullvia)；第二介电层，所述第二介电层具有第二孔口，其中所述第二介电层位于所述第一介电层的顶表面上；以及第二导电层，所述第二导电层位于所述第二介电层的顶表面上，其中所述第二导电层具有所述第二孔口中的部分通孔，所述部分通孔通过所述第二孔口接触所述第一导电层。所述半导体结构还包括：电子装置，所述电子装置位于所述RDL衬底的顶侧上，其中所述电子装置包括与所述第二导电层电耦合的互连件；以及包封件，所述包封件位于所述RDL衬底的所述顶侧上，所述包封件接触所述电子装置的侧面。在所述又另一个实例中的所述半导体结构中，所述第一介电层具有第三孔口并且所述第一导电层具有所述第三孔口中的全通孔，并且其中所述第二介电层具有第四孔口并且所述第二导电层具有所述第四孔口中的部分通孔，其中所述第一导电层的所述全通孔接触暴露在所述第一介电层的底表面处的下部衬垫，并且所述第二导电层的所述部分通孔接触所述第一导电层的衬垫，其中所述第一导电层的所述衬垫的大小小于所述下部衬垫的大小。在所述又另一个实例中的所述半导体结构中，所述部分通孔的端部接触所述第一导电层的衬垫；并且与所述部分通孔的所述端部相邻的迹线与所述第一导电层的所述衬垫的未被所述部分通孔覆盖的一部分重叠。在所述又另一个实例中的所述半导体结构中，所述部分通孔覆盖暴露在所述孔口的底部处的所述第一导电层的一半或少于一半。附图说明图1示出了示例半导体装置的横截面视图。图2A到2M示出了用于制造示例半导体装置的示例方法的横截面视图。图3A到3F示出了图2B到2G所示的半导体装置的横截面视图中的局部放大平面视图。具体实施方式以下讨论提供了半导体装置及制造半导体装置的方法的各种实例。此类实例是非限制性的，并且所附权利要求的范围不应限于所公开的特定实例。在以下讨论中，术语“实例”和“例如”是非限制性的。图展示了一般的构造方式，并且可以省略对公知的特征和技术的描述和细节，以避免不必要地模糊本公开。另外，附图中的元件不一定按比例绘制。例如，图中元件中的一些元件的尺寸可能相对于其它元件而被放大以有助于改善对本公开中所讨论的实例的理解。不同附图中的相同附图标记指示相同的元件。术语“或”意味着由“或”连接的列表中的项目的任何一个或多个项目。作为实例，“x或y”意味着三元素集合{(x),(y),(x,y)}中的任何元素。作为另一个实例，“x、y或z”意味着七元素集合{(x),(y),(z),(x,y),(x,z),(y,z),(x,y,z)}。术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包含(includes)”或“包含(including)”是“开放式”术语并且指定存在所陈述的特征，但不排除存在或增加一个或多个其它特征。在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，并且这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件与另一个元件进行区分。因此，例如，在不脱离本公开的教导的情况下，本公开中所讨论的第一元件可以被称为第二元件。除非另外指明，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其包括：/n衬底，所述衬底包括电介质、第一导体以及第二导体，所述第一导体位于所述电介质的顶侧上，所述第二导体位于所述电介质的底侧上，其中所述电介质具有孔口，并且所述第一导体包括部分通孔，所述部分通孔通过所述孔口接触所述第二导体的衬垫；/n电子装置，所述电子装置具有电耦合到所述第一导体的互连件；以及/n包封件，所述包封件位于所述衬底的顶侧上，所述包封件接触所述电子装置的侧面。/n

【技术特征摘要】
20190710 US 16/507,3651.一种半导体装置，其包括：
衬底，所述衬底包括电介质、第一导体以及第二导体，所述第一导体位于所述电介质的顶侧上，所述第二导体位于所述电介质的底侧上，其中所述电介质具有孔口，并且所述第一导体包括部分通孔，所述部分通孔通过所述孔口接触所述第二导体的衬垫；
电子装置，所述电子装置具有电耦合到所述第一导体的互连件；以及
包封件，所述包封件位于所述衬底的顶侧上，所述包封件接触所述电子装置的侧面。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述衬底包括第三导体和第四导体，所述第三导体位于所述电介质的所述顶侧上，所述第四导体位于所述电介质的所述底侧上，其中所述电介质具有另外的孔口，并且所述第三导体包括部分通孔，所述部分通孔通过所述另外的孔口接触所述第四导体的衬垫。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，其进一步包括迹线，所述迹线位于所述电介质上、所述第一导体的所述部分通孔与所述第三导体的所述部分通孔之间。


4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第一导体的所述部分通孔的端部和所述第三导体的所述部分通孔的端部间隔开30微米或更少。


5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中：
所述第一导体包括第一迹线，所述第一迹线位于所述电介质的所述顶侧上并且与所述部分通孔相连续；并且
所述第一迹线和所述部分通孔的宽度相同。


6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
所述部分通孔的端部接触所述第二导体的所述衬垫；并且
与所述部分通孔的所述端部相邻的迹线与所述第二导体的所述衬垫的未被所述部分通孔覆盖的一部分重叠。


7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述迹线与位于所述第二导体的所述衬垫与相邻衬垫之间的间隙的一部分重叠。


8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述部分通孔包括线性形状。


9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述部分通孔包括半圆形形状。


10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述部分通孔覆盖所述衬垫的由所述孔口暴露的基底部分的一半或少于一半。


11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述部分通孔的端部位于所述第二导体的所述衬垫的中心处。


12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述部分通孔覆盖所述孔口的侧壁的一半或少于一半。


13.一种用于制造半导体装置的方法，所述方法包括：
在电介质的顶侧上提供第一导体；
在所述电介质的底侧上提供第二导体；
在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳智妍，新及补，
申请(专利权)人：安靠科技新加坡控股私人有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡;SG