一种CMP后清洗生产线制造技术

本实用新型专利技术涉及一种CMP后清洗生产线，包括搬运机器人；设置在搬运机器人四周的若干个CMP加工设备和CMP后清洗装置；位于CMP加工设备后端的预清洗机构，用于对CMP加工设备加工出来的wafer进行预清洗，并将预清洗后的多个wafer存放在硅片容置架中；搬运机器人用于将预清洗机构中装载有多个wafer的硅片容置架搬运至CMP后清洗装置中进行清洗；CPM加工设备和搬运机器人之间还设有暂存清洗槽，用于对预清洗后的装载有wafer的硅片容置架进行暂存，本实用新型专利技术由一台CMP后清洗装置对应多台CMP加工设备对wafer进行CMP后清洗，wafer的传输效率高，保证了CMP后清洗装置的清洗速率，避免CMP后清洗装置处于空闲状态，提升了wafer的生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种CMP后清洗生产线
本技术属于硅片清洗的
，尤其涉及一种CMP后清洗生产线。
技术介绍
目前现有半导体制造工艺中，为了更好地满足光刻对平坦化的高要求，化学机械抛光工艺，即CMP已广泛应用在深亚微米技术中，硅片在CMP生产加工中，首先需要对硅片进行CMP加工，然后需要再对硅片进行后序的清洗加工，这样才能保证硅片的高精度要求。但是现有的硅片CMP的生产加工中，要么采用的是硅片的单片通过机械手进行搬运，这样的话产能低，无法满足实际的生产加工需求；要么采用的是人工进行硅片一盒盒的搬运，虽然此时硅片一直处于臭氧水中，能够保证硅片处于潮湿状态，但其采用人工进行搬运的方式，导致工人强度高，生产效率无法进一步的提高，所以硅片的生产效率已经成为硅片加工的一个重要因素。
技术实现思路
本技术目的是为了克服现有技术的不足而提供一种能够最大速率的对wafer进行传输，从而使得CMP后清洗装置能配合多台CMP加工设备对加工后的wafer进行清洗，保证CMP后清洗装置的清洗速率最高，提升wafer生产效率的CMP后清洗生产线。为达到上述目本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CMP后清洗生产线，其特征在于：包括/n搬运机器人；/n设置在所述搬运机器人四周的若干个CMP加工设备和CMP后清洗装置；/n位于所述CMP加工设备后端的预清洗机构，用于对CMP加工设备加工出来的wafer进行预清洗，并将预清洗后的多个wafer存放在硅片容置架中；/n所述搬运机器人用于将预清洗机构中装载有多个wafer的硅片容置架搬运至CMP后清洗装置中进行清洗；/n在所述CMP加工设备和搬运机器人之间还设有暂存清洗槽，用于对预清洗后的装载有wafer的硅片容置架进行暂存。/n

【技术特征摘要】
1.一种CMP后清洗生产线，其特征在于：包括
搬运机器人；
设置在所述搬运机器人四周的若干个CMP加工设备和CMP后清洗装置；
位于所述CMP加工设备后端的预清洗机构，用于对CMP加工设备加工出来的wafer进行预清洗，并将预清洗后的多个wafer存放在硅片容置架中；
所述搬运机器人用于将预清洗机构中装载有多个wafer的硅片容置架搬运至CMP后清洗装置中进行清洗；
在所述CMP加工设备和搬运机器人之间还设有暂存清洗槽，用于对预清洗后的装载有wafer的硅片容置架进行暂存。


2.根据权利要求1所述的CMP后清洗生产线，其特征在于：所述搬运机器人的四周还设有空闲放置架。


3.根据权利要求1所述的CMP后清洗生产线，其特征在于：所述CMP加工设备的数量为四台。


4.根据权利要求1所述的CMP后清洗生产线,其特征在于：所述搬运机器人包括多轴机器人，在所述多轴机器人的控制端上设有承载块，所述承载块的前端设有若干个插杆。


5.根据权利要求1所述的CMP后清洗生产线,其特征在于：所述预清洗机构包括依次设置的第一清洗槽和第二清洗槽，在所述第一清洗槽和第二清洗槽内分别浸满了臭氧水和纯水，第一清洗槽内的臭氧水经由超声...

【专利技术属性】
技术研发人员：余涛，唐杰，朴灵绪，张霞，郭巍，
申请(专利权)人：若名芯半导体科技苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32