卧式半导体工艺炉的反应腔室及卧式半导体工艺炉制造技术

本实用新型专利技术提供一种卧式半导体工艺炉的反应腔室及包含该反应腔室的卧式半导体工艺炉。卧式半导体工艺炉的反应腔室包括进气口和抽气口，还包括匀流板组件，匀流板组件设置于反应腔室的后炉门上，且遮挡位于后炉门上的抽气口；匀流板组件包括一个、或者至少两个匀流板，匀流板上开设有多个匀流小孔。匀流板组件能够延长工艺气体在反应腔室内的停留时间，改变工艺气体的流动方向，使工艺气体与硅片充分接触和反应，提高反应腔室内工艺气体的均匀性，使得硅片上各点膜厚更加均匀。

【技术实现步骤摘要】
卧式半导体工艺炉的反应腔室及卧式半导体工艺炉
本技术涉及半导体设备领域，具体涉及一种卧式半导体工艺炉的反应腔室及包含该反应腔室的卧式半导体工艺炉。
技术介绍
随着光伏行业的发展，对太阳能电池性能的要求日益提高。制备太阳能电池片时，需要将硅片放置于反应腔室内，在高温环境(400℃-1000℃)下进行多个工艺进程。进行工艺之前，装载硅片的石英舟通过悬臂推拉舟自动进入反应腔室内，然后将反应腔室抽真空，回温后通入热氧，再次对反应腔室抽真空后进行调压，工艺气体的原子或分子高温沉积在硅片表面形成薄膜。待工艺进程结束后，从反应腔室内通过悬臂推拉舟自动取出石英舟，由工人或者自动导片机抓取石英舟内的硅片。当硅片在反应腔室内与工艺气体反应时，工艺气体与硅片的接触面积、反应速率影响着最后的工艺结果。太阳能电池片的制备通常采用卧式LPCVD反应腔室。图1显示一种传统卧式LPCVD反应腔室的结构示意图，其包括腔体1、石英舟2、弥散管3、抽气口4、进气法兰5。当硅片在反应腔室内进行反应时，工艺气体通过进气法兰5和弥散管3进入腔体1内部，工艺气体高温沉积在硅片表面形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种卧式半导体工艺炉的反应腔室，包括进气口和抽气口，其特征在于，还包括匀流板组件，所述匀流板组件设置于所述反应腔室的后炉门上，且遮挡位于所述后炉门上的所述抽气口；所述匀流板组件包括一个、或者至少两个匀流板，所述匀流板上开设有多个匀流小孔。/n

【技术特征摘要】
1.一种卧式半导体工艺炉的反应腔室，包括进气口和抽气口，其特征在于，还包括匀流板组件，所述匀流板组件设置于所述反应腔室的后炉门上，且遮挡位于所述后炉门上的所述抽气口；所述匀流板组件包括一个、或者至少两个匀流板，所述匀流板上开设有多个匀流小孔。


2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述匀流板上还开设有匀流大孔，所述匀流大孔的孔径大于所述匀流小孔的孔径；且所述匀流大孔的面积与所述多个匀流小孔的面积之和，大于所述抽气口的面积。


3.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，还包括弥散管，所述弥散管设置于所述反应腔室的下部，用于向所述反应腔室内通工艺气体。


4.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述匀流板的底部开设有允许所述弥散管通过的避让槽。


5.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述至少两个匀流板之间相互平行且间隔设置。


6.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，还包括用...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵庆峰，王晓飞，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11