【技术实现步骤摘要】
基座及反应腔室
本技术涉及半导体设备领域,具体涉及一种基座及包括该基座的反应腔室。
技术介绍
目前集成电路制造中通常使用硅基材料,干法去除SiO2时,通常需要经过管路将无水甲醇、HF气体、NH3等气体通至腔室内,气体在腔室内混合反应,并在晶圆表面进行刻蚀。晶圆刻蚀均匀性与基座或者加热器能否与晶圆进行良好的热传递有关。目前,与晶圆下表面接触的基座或者加热器的表面通常不是平面结构,而是采取凸球接触的方式以减小与晶圆的接触面积,并使晶圆与基座之间保持一定的距离以便进行良好的传热。图1a和图1b分别显示一种现有基座的主视图和俯视图。参考图1a和图1b所示,基座1001使用水循环加热或者加热丝加热,在基座1001的上表面设有金属凸点1002,金属凸点1002上用于放置晶圆1003。通过控制金属凸点1002的高度将基座1001的热量传递给晶圆1003。这种基座的问题是制成之后很难更改金属凸点的高度,并且金属凸点磨损后需要将整个基座进行维修或者报废,增加了维护成本。公开于本技术
技术介绍
部分的信息仅仅旨在加深对本技术 ...
【技术保护点】
1.一种基座,其特征在于,包括:/n基座本体,所述基座本体的上表面开设有多个安装槽;以及/n多个支撑件,每个所述支撑件可拆卸地设置于一个所述安装槽内且所述支撑件的端部凸出于所述基座本体的上表面。/n
【技术特征摘要】
1.一种基座,其特征在于,包括:
基座本体,所述基座本体的上表面开设有多个安装槽;以及
多个支撑件,每个所述支撑件可拆卸地设置于一个所述安装槽内且所述支撑件的端部凸出于所述基座本体的上表面。
2.根据权利要求1所述的基座,其特征在于,所述安装槽为柱形槽,所述支撑件为柱体,所述柱体的凸出于所述基座本体的上表面的一端部设有球头。
3.根据权利要求2所述的基座,其特征在于,还包括:
多个螺孔,所述多个螺孔设于所述基座本体的上表面,所述螺孔与所述安装槽对应设置;
多个紧固螺钉,所述紧固螺钉与所述螺孔对应设置,每个所述紧固螺钉设于一个所述螺孔内,且所述紧固螺钉的头部与所述球头的一侧接触,以便将所述支撑件压紧于所述基座本体上。
4.根据权利要求3所述的基座,其特征在于,所述紧固螺钉的头部不高于所述基座本体的上表面位置。<...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐刚,
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司,
类型:新型
国别省市:北京;11
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