存储器系统以及操作存储器系统的方法技术方案

本技术涉及一种存储器系统以及操作存储器系统的方法。该存储器系统包括：存储器装置，其包括多个半导体存储器；以及控制器，其用于在操作期间控制存储器装置对所述多个半导体存储器中的每一个执行测试编程操作和阈值电压分布监测操作。控制器基于作为阈值电压分布监测操作的结果获得的监测信息来设定各个半导体存储器的操作性能参数。

【技术实现步骤摘要】
存储器系统以及操作存储器系统的方法
本公开涉及电子装置，更具体地，涉及一种存储器系统以及操作该存储器系统的方法。
技术介绍
最近，计算机环境的范式已转变为普适计算，其使得计算机系统能够随时随地使用。因此，诸如移动电话、数字相机和笔记本计算机的便携式电子装置的使用快速增加。这种便携式电子装置通常使用存储器系统，该存储器系统使用存储器装置(即，数据存储装置)。数据存储装置用作便携式电子装置的主存储装置或辅助存储装置。使用存储器装置的数据存储装置具有这样的优点：由于不存在机械驱动器，所以稳定性和耐久性优异，信息的存取速度非常快，并且功耗低。作为具有这些优点的存储器系统的示例，数据存储装置包括通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡、固态驱动器(SSD)等。存储器装置被大致分成易失性存储器装置和非易失性存储器装置。非易失性存储器装置的写入速度和读取速度相对低，然而，非易失性存储器装置即使电源被切断也维持存储数据。因此，非易失性存储器装置用于存储不管电源如何均要维持的数据。非易失性存储器装置包括只读存储器(ROM)、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器系统，该存储器系统包括：/n存储器装置，该存储器装置包括多个半导体存储器；以及/n控制器，该控制器用于在操作期间控制所述存储器装置对所述多个半导体存储器中的每一个执行测试编程操作和第一阈值电压分布监测操作，/n其中，所述控制器基于作为所述第一阈值电压分布监测操作的结果获得的第一监测信息来设定各个所述半导体存储器的操作性能参数。/n

【技术特征摘要】
20190702 KR 10-2019-00797091.一种存储器系统，该存储器系统包括：
存储器装置，该存储器装置包括多个半导体存储器；以及
控制器，该控制器用于在操作期间控制所述存储器装置对所述多个半导体存储器中的每一个执行测试编程操作和第一阈值电压分布监测操作，
其中，所述控制器基于作为所述第一阈值电压分布监测操作的结果获得的第一监测信息来设定各个所述半导体存储器的操作性能参数。


2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述控制器在所述操作期间控制所述存储器装置在执行所述第一阈值电压分布监测操作之后对所述多个半导体存储器中的每一个执行测试擦除操作和第二阈值电压分布监测操作，并且基于作为所述第二阈值电压分布监测操作的结果获得的第二监测信息和所述第一监测信息来设定所述操作性能参数。


3.根据权利要求2所述的存储器系统，其中，所述多个半导体存储器中的每一个包括多个存储块，并且
所述多个半导体存储器中的每一个在所述测试编程操作期间将所述多个存储块编程为固态编程状态。


4.根据权利要求3所述的存储器系统，其中，所述固态编程状态是多个编程状态之一。


5.根据权利要求3所述的存储器系统，其中，所述多个半导体存储器中的每一个在所述第一阈值电压分布监测操作期间检测所述多个存储块中所包括的存储器单元当中的具有高于所述固态编程状态的正常阈值电压范围的阈值电压的第一存储器单元的数量。


6.根据权利要求5所述的存储器系统，其中，所述多个半导体存储器中的每一个对所述多个存储块中的每一个执行所述第一阈值电压分布监测操作，在所述第一阈值电压分布监测操作期间测量具有高于第一监测读电压的阈值电压的所述第一存储器单元的数量以及具有高于第二监测读电压的阈值电压的第二存储器单元的数量，并且基于所述第一存储器单元的数量和所述第二存储器单元的数量来计算所述存储器单元的最大阈值电压值，所述第一监测读电压等于所述正常阈值电压范围的最高阈值电压，并且
所述第二监测读电压高于所述第一监测读电压。


7.根据权利要求6所述的存储器系统，其中，所述多个半导体存储器中的每一个将包括所述多个存储块中的每一个的所述最大阈值电压值和所述第一存储器单元的数量的所述第一监测信息发送到所述控制器。


8.根据权利要求3所述的存储器系统，其中，所述多个半导体存储器中的每一个在所述测试擦除操作期间将编程为所述固态编程状态的所述多个存储块擦除为软擦除状态。


9.根据权利要求8所述的存储器系统，其中，所述软擦除状态具有高于0V的阈值电压分布，其中，0V为0伏特，并且
所述多个半导体存储器中的每一个在所述测试擦除操作期间使用电位电平低于正常擦除操作的正常擦除电压的擦除电压来执行所述测试擦除操作。


10.根据权利要求8所述的存储器系统，其中，所述多个半导体存储器中的每一个在所述第二阈值电压分布监测操作期间检测所述多个存储块中所包括的存储器单元当中的具有低于所述软擦除状态的正常阈值电压范围的阈值电压的第三存储器单元的数量。


11.根据权利要求10所述的存储器系统，其中，所述多个半导体存储器中的每一个对所述多个存储块中的每一个执行所述第二阈值电压分布监测操作，在所述第二阈值电压分布监测操作期间测量具有低于第三监测读电压的阈值电压的所述第三存储器单元的数量以及具有低于第四监测读电压的阈值电压的第四存储器单元的数量，并且基于所述第三存储器单元的数量和所述第四存储器单元的数量来计算所述存储器单元的最小阈值电压值，所述第三监测读电压等于所述正常阈值电压范围的最低阈值电压，并且
所述第四监测读电压低于所述第三监测读电压。


12.根据权利要求11所述的存储器系统，其中，所述多个半导体存储器中的每一个将包括所述多个存储块中的每一个的所述最小阈值电压值和所述第三存储器单元的数量的所述第二监测信息发送到所述控制器。


13.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述操作性能参数包括所述多个半导体存储器中的每一个中所包括的多个存储块中的每一个的垃圾收集操作循环、最大擦除计数规范、读回收循环、在读重试操作期间使用的读电压的数量以及多个编程状态中的每一个的阈值电压分布位置中的至少一个。


14.一种存储器系统，该存储器系统包括：
存储器装置，该存储器装置包括多个半导体存储器，各个半导体存储器包括多个存储块；以及
控制器，该控制器被配置为控制所述存储器装置在通电操作期间执行内容可寻址存储器cam数据读操作，并且基于从所述存储器装置接收的cam数据来设定各个所述半导体存储器的操作性能参数，
其中，所述多个半导体存储器中的每一个依次执行测试编程操作、第一阈值电压分布监测操作、测试擦除操作和第二阈值电压分布监测操作，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金钟旭，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR