包括温度补偿电路的非易失性存储器装置制造方法及图纸

提供了一种包括温度补偿电路的非易失性存储器装置。所述非易失性存储器装置包括：差分电流驱动器，接收基于温度的第一差分信号和第二差分信号，并且生成与第一差分信号和第二差分信号之间的差值对应的第一补偿电流和第二补偿电流；电流镜电路，复制作为参考电流与第一补偿电流之和的第一电流，以生成具有与第一电流的值相同的值的第二电流，并且根据第二电流与第二补偿电流的差值来调节参考电流；修调电路，基于调节的参考电流来生成编程电流或读取电流。

【技术实现步骤摘要】
包括温度补偿电路的非易失性存储器装置本申请要求于2019年7月4日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0080879号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
在此描述的公开的实施例涉及半导体存储器，更具体地，涉及一种包括温度补偿电路的非易失性存储器装置。
技术介绍
半导体存储器包括非易失性存储器(诸如，相变存储器、铁电存储器、磁存储器、电阻式存储器和闪存)。具体地，在非易失性存储器之中，相变存储器可通过电流改变存储器单元的电阻值来执行编程操作，或者可通过电流读取存储在存储器单元中的数据。当对相变存储器单元执行编程操作或读取操作时，用于编程操作或读取操作的电流可根据相变存储器的温度而变化。也就是说，必须考虑相变存储器的温度来调节(或调整)用于编程操作或读取操作的电流。
技术实现思路
公开的实施例提供了一种能够根据非易失性存储器装置的温度来调节非易失性存储器装置的操作的电流的非易失性存储器装置。根据示例性实施例，一种非易失性存储器装置包括：差分电流驱动器，接收基于温度的第一差分信号本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非易失性存储器装置，包括：/n差分电流驱动器，被配置为：接收基于温度的第一差分信号和第二差分信号，并且生成与第一差分信号和第二差分信号之间的差值对应的第一补偿电流和第二补偿电流；/n电流镜电路，被配置为：复制作为参考电流与第一补偿电流之和的第一电流，以生成具有与第一电流的值相同的值的第二电流，并且根据第二电流与第二补偿电流的差值来调节参考电流；和/n修调电路，被配置为基于调节的参考电流来生成编程电流或读取电流。/n

【技术特征摘要】
20190704 KR 10-2019-00808791.一种非易失性存储器装置，包括：
差分电流驱动器，被配置为：接收基于温度的第一差分信号和第二差分信号，并且生成与第一差分信号和第二差分信号之间的差值对应的第一补偿电流和第二补偿电流；
电流镜电路，被配置为：复制作为参考电流与第一补偿电流之和的第一电流，以生成具有与第一电流的值相同的值的第二电流，并且根据第二电流与第二补偿电流的差值来调节参考电流；和
修调电路，被配置为基于调节的参考电流来生成编程电流或读取电流。


2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，还包括：控制逻辑电路，被配置为生成温度补偿大小信号，温度补偿大小信号用于调节作为第一补偿电流与第二补偿电流之和的最大补偿电流值。


3.根据权利要求2所述的非易失性存储器装置，其中：
响应于温度补偿大小信号在预定温度下对应于第一值，电流镜电路生成第一电流电平的调节的参考电流，和
响应于温度补偿大小信号在所述预定温度下对应于第二值，电流镜电路生成与第一电流电平不同的第二电流电平的调节的参考电流。


4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，还包括：控制逻辑电路，被配置为生成温度补偿符号信号，温度补偿符号信号用于选择性地交换将被输入到差分电流驱动器的第一差分信号和第二差分信号。


5.根据权利要求4所述的非易失性存储器装置，其中：
响应于温度补偿符号信号在预定温度下对应于第一值，电流镜电路生成大于参考电流的调节的参考电流，和
响应于温度补偿符号信号在所述预定温度下对应于第二值，电流镜电路生成小于参考电流的调节的参考电流。


6.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，还包括：
存储器单元阵列，包括多个存储器单元；和
写入驱动器，被配置为：在编程操作中基于编程电流来驱动连接到所述多个存储器单元的位线或字线，并且在读取操作中基于读取电流来驱动位线或字线。


7.根据权利要求6所述的非易失性存储器装置，其中，所述多个存储器单元中的每个存储器单元包括相变材料。


8.根据权利要求6所述的非易失性存储器装置，其中，所述多个存储器单元中的每个存储器单元设置在沿第一方向延伸的字线与沿垂直于第一方向的第二方向延伸的位线之间。


9.根据权利要求6所述的非易失性存储器装置，其中：
包括差分电流驱动器、电流镜电路以及修调电路的外围电路设置在第一基底上，
存储器单元阵列设置在第二基底上，和
第二基底设置在外围电路上。


10.根据权利要求6所述的非易失性存储器装置，其中：
所述多个存储器单元包括设置在第一层中的第一存储器单元和设置在第一层上的第二层中的第二存储器单元，并且
写入驱动器基于第一编程电流或第一读取电流来驱动连接到第一存储器单元的第一位线或第一字线，并且基于与第一编程电流不同的第二编程电流或与第一读取电流不同的第二读取电流来驱动连接到第二存储器单元的第二位线或第二字线。


11.根据权利要求6所述的非易失性存储器装置，其中：
所述多个存储器单元包括连接到第一字线和第一位线的第一存储器单元以及连接到第二字线和第二位线的第二存储器单元，
写入驱动器基于第一编程电流或第一读取电流来驱动第一字线或第一位线，并且基于与第一编程电流不同的第二编程电流或与第一读取电流不同的第二读取电流来驱动第二字线或第二位线，并且
电流通过第一存储器单元从第一字线流到第一位线的第一电流路径的长度不同于电流通过第二存储器单元从第二字线流到第二位线的第二电流路径的长度。


12.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，第一差分信号与第二差分信号之间的差值随着温度变得高于参考温度而沿正方向增大，并且随...

【专利技术属性】
技术研发人员：林智薰，比拉·阿哈默德·詹久阿，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR