存储单元、存储单元的控制方法以及存储芯片技术

本发明专利技术提供了一种存储单元，包括第一电极、加热器、相变材料层以及第二电极，加热器包括多个子加热器。其中：相变材料层位于第二电极和第一电极之间，且与第二电极电连接，每个子加热器的一端均电连接于第一电极，每个子加热器的另一端与相变材料层的不同区域电连接，且多个子加热器中至少有两个子加热器在相同的时间内输出给相变材料层的热量不同，而使该存储单元可以呈现出至少三种不同的阻态，而存储单元的每一种阻态可以分别代表一个二进制数据，从而实现了在不改变存储单元的尺寸大小的前提下，实现多值存储，增加了存储单元的存储密度。

【技术实现步骤摘要】
存储单元、存储单元的控制方法以及存储芯片
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种存储单元、存储单元的控制方法以及存储芯片。
技术介绍
相变存储器(phasechangememory，PCM)是一种非易失存储设备，它利用材料的可逆转的相变来存储信息。相变存储器的基本存储原理是在器件单元上施加不同宽度和高度的电压或电流脉冲信号，使相变材料发生物理相态的变化，即晶态(低阻态)和非晶态(高阻态)之间发生可逆相变互相转换，从而实现信息的写入(“1”)和擦除(“0”)操作。但是，现有技术下，往往会牺牲相变存储单元的尺寸来使其拥有更大的存储容量，但这无疑会限制相变存储器往更小的尺寸进行发展的步伐。
技术实现思路
本专利技术提供了一种存储单元、存储单元的控制方法以及存储芯片，实现了在不增加存储单元尺寸的情况下，提高存储单元的存储容量。为了解决上述问题，本专利技术提供了一种存储单元，所述存储单元包括第一电极、加热器、相变材料层以及第二电极，所述加热器包括多个子加热器，其中：所述相变材料层位于所述第二电极和所述第一电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储单元，其特征在于，所述存储单元包括第一电极、加热器、相变材料层以及第二电极，所述加热器包括多个子加热器，其中：/n所述相变材料层位于所述第二电极和所述第一电极之间，且与所述第二电极电连接；/n每个所述子加热器的一端均电连接于所述第一电极，每个所述子加热器的另一端与所述相变材料层的不同区域电连接，且多个所述子加热器中至少有两个所述子加热器在相同的时间内输出给所述相变材料层的热量不同。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储单元，其特征在于，所述存储单元包括第一电极、加热器、相变材料层以及第二电极，所述加热器包括多个子加热器，其中：
所述相变材料层位于所述第二电极和所述第一电极之间，且与所述第二电极电连接；
每个所述子加热器的一端均电连接于所述第一电极，每个所述子加热器的另一端与所述相变材料层的不同区域电连接，且多个所述子加热器中至少有两个所述子加热器在相同的时间内输出给所述相变材料层的热量不同。


2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，多个所述子加热器中至少有两个所述子加热器具有不同的电阻。


3.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，多个所述子加热器中至少有两个所述子加热器的热传导率互不相同。


4.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，多个所述子加热器包含第一子加热器和第二子加热器，所述第一子加热器和所述第二子加热器在所述相变材料层分别对应第一相变区域和第二相变区域，在相同的时间内，所述第一子加热器输出给所述第一相变区域的热量与所述第二子加热器输出给所述第二相变区域的热量不同，所述相变材料层包含第一阻态、第二阻态、第三阻态和第四阻态，其中：
所述第一阻态下，所述第一相变区域以及所述第二相变区域均呈晶态；
所述第二阻态下，所述第一相变区域呈晶态、且所述第二相变区域呈非晶态；
所述第三阻态下，所述第一相变区域呈非晶态、且所述第二相变区域呈晶态；
所述第四阻态下，所述第一相变区域以及所述第二相变区域均呈非晶态。


5.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，多个所述子加热器之间相互隔开一特定距离，或者，多个所述子加热器互相接触。


6.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，多个所述子加热器包括第三子加热器以及第四子加热器，且所述第四子加热器环绕所述第三子加...

【专利技术属性】
技术研发人员：喻丹，杨芳，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42