【技术实现步骤摘要】
对相变存储器设备编程的方法、存储器设备和电子系统相关申请的交叉引用本申请要求于2019年06月28日提交的意大利专利申请号102019000010419的权益，该申请通过引用并入本文。
本专利技术涉及一种用于对差分类型的相变存储器设备进行编程的方法、一种相变存储器设备、以及一种包括该相变存储器设备的电子系统。
技术介绍
非易失性相变存储器(phase-change-memory，PCM)是本领域已知的，其中为了存储信息，具有如下性质的材料的特性被利用：在具有不同电特性的相之间切换的性质。例如，这些材料可以在无序非晶相和有序的结晶或多晶相之间切换，并且该两个相与明显不同值的电阻率相关联，并且因此与所存储的数据的不同值相关联。例如，元素周期表的第VI族的元素(例如碲(Te)、硒(Se)或锑(Sb)，被称为硫族化合物或硫族材料)可以有利地用于提供相变存储器单元。相变通过如下来获得：通过被布置成与硫族材料的相应区域接触的电阻性电极(通常被称为加热器)，来局部升高硫族材料的单元的温度。选择设备(例如，MOSFET)连接...
【技术保护点】
1.一种用于对相变存储器设备进行编程的方法，所述相变存储器设备包括存储器阵列，所述存储器阵列包括多个第一部分，每个第一部分被提供有第一局部位线，所述第一局部位线被连接到第一存储器单元，所述第一存储器单元适于存储相应的第一逻辑数据，所述第一逻辑数据包括与所述第一存储器单元的第一电阻状态相关联的第一逻辑位、以及与所述第一存储器单元的第二电阻状态相关联的第二逻辑位，所述存储器阵列还包括相应的多个第二部分，每个第二部分被提供有第二局部位线，所述第二局部位线被连接到第二存储器单元，所述第二存储器单元适于存储与所述第一逻辑数据互补的相应的第二逻辑数据；所述相变存储器设备还包括：用于将所...
【技术特征摘要】
20190628 IT 1020190000104191.一种用于对相变存储器设备进行编程的方法，所述相变存储器设备包括存储器阵列，所述存储器阵列包括多个第一部分，每个第一部分被提供有第一局部位线，所述第一局部位线被连接到第一存储器单元，所述第一存储器单元适于存储相应的第一逻辑数据，所述第一逻辑数据包括与所述第一存储器单元的第一电阻状态相关联的第一逻辑位、以及与所述第一存储器单元的第二电阻状态相关联的第二逻辑位，所述存储器阵列还包括相应的多个第二部分，每个第二部分被提供有第二局部位线，所述第二局部位线被连接到第二存储器单元，所述第二存储器单元适于存储与所述第一逻辑数据互补的相应的第二逻辑数据；所述相变存储器设备还包括：用于将所述逻辑数据写入在所述第一存储器单元和所述第二存储器单元中的写入级，所述写入级具有多个第一编程驱动器、以及相应的多个第二编程驱动器；在相应的第一编程驱动器与相应的第一部分的所述第一局部位线之间延伸的多个第一主位线；以及在相应的第二编程驱动器与相应的第二部分的所述第二局部位线之间延伸的多个第二主位线，所述方法包括：
在第一编程模式中，通过所述多个第一编程驱动器和所述多个第二编程驱动器并且在第一时间间隔期间，将相同的第一编程电流供应给将要利用所述第一编程电流进行编程的所有所述第一存储器单元和所述第二存储器单元，所述第一编程电流是在置位电流和复位电流之间被选取的一类型；以及
在第二编程模式中，通过所述多个第一编程驱动器和所述多个第二编程驱动器并且在第二时间间隔期间，将相同的第二编程电流供应给将要利用所述第二编程电流进行编程的所有所述第一存储器单元和所述第二存储器单元，所述第二编程电流是在所述置位电流和所述复位电流之间被选取的另一类型，由此完成逻辑字在所述存储器阵列中的写入。
2.根据权利要求1所述的方法，其中：
在所述第一编程模式期间：
与将要通过所述第一编程电流进行编程的第一存储器单元耦合的所有所述第一编程驱动器由相应的第一激活信号而被激活，所述第一激活信号从所述第一逻辑位开始被生成；以及
所有所述第二编程驱动器由相应的第二激活信号而被激活，所述第二激活信号从所述第二逻辑位开始被生成；并且
在所述第二编程模式期间：
与将要通过所述第二编程电流进行编程的第一存储器单元耦合的所有所述第一编程驱动器由相应的第三激活信号而被激活，所述第三激活信号从所述第二逻辑位开始被生成；以及
与第二存储器单元耦合的所有所述第二编程驱动器由相应的第四激活信号而被激活，所述第四激活信号从所述第一逻辑位开始被生成。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述多个第一编程驱动器中的每个第一编程驱动器包括相应的第一电流镜电路，所述第一电流镜电路被配置成在相应的所述第一编程模式和所述第二编程模式期间，接收所述第一编程电流和所述第二编程电流，所述方法还包括：
在相应的所述第一编程模式和所述第二编程模式期间，通过相应的所述第一电流镜电路将所述第一编程电流和所述第二编程电流供应给所述第一主位线；以及
根据第一值，将所述第一主位线与相应的所述第一电流镜电路电连接或断开连接，所述第一值通过所述第一激活信号和所述第三激活信号而被激活。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述多个第二编程驱动器中的每个第二编程驱动器包括相应的第二电流镜电路，所述第二电流镜电路被配置成在相应的所述第一编程模式和所述第二编程模式期间，接收所述第一编程电流和所述第二编程电流，所述方法还包括：
在相应的所述第一编程模式和所述第二编程模式期间，通过相应的所述第二电流镜电路将所述第一编程电流和所述第二编程电流供应给所述第二主位线；以及
根据第二值，将所述第二主位线与相应的所述第二电流镜电路电连接或断开连接，所述第二值通过所述第二激活信号和所述第四激活信号而被激活。
5.根据权利要求1所述的方法，其中：
在所述第一编程模式中并且在所述第一时间间隔期间，供应所述第一编程电流和所述第二编程电流包括：
通过所述多个第一编程驱动器，将所述第一编程电流供应给将要利用所述第一逻辑位进行编程的所有所述第一存储器单元；以及
通过所述多个第二编程驱动器，将所述第二编程电流供应给与将要利用所述第一逻辑位进行编程的所述第一存储器单元互补的所有所述第二存储器单元；并且
在所述第二编程模式中并且在所述第二时间间隔期间，供应所述第一编程电流和所述第二编程电流包括：
通过所述多个第二编程驱动器，将所述第二编程电流供应给将要利用所述第二逻辑位进行编程的所有所述第一存储器单元；以及
通过所述多个第二编程驱动器，将所述第一编程电流供应给与将要利用所述第二逻辑位进行编程的所述第一存储器单元互补的所有所述第二存储器单元。
6.根据权利要求5所述的方法，其中：
在所述第一编程模式期间：
与将要由所述第一编程电流进行编程的第一存储器单元耦合的所有所述第一编程驱动器由相应的第一激活信号而被激活，所述第一激活信号从所述第一逻辑位开始被生成；以及
所有所述第二编程驱动器由相应的第二激活信号而被激活，所述第二激活信号从所述第二逻辑位开始被生成；并且
在所述第二编程模式期间：
与将要由所述第二编程电流进行编程的第一存储器单元耦合的所有所述第一编程驱动器由相应的第三激活信号而被激活，所述第三激活信号从所述第二逻辑位开始被生成；以及
被耦合到第二存储器单元的所有所述第二编程驱动器由相应的第四激活信号而被激活，所述第四激活信号从所述第一逻辑位开始被生成。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述多个第一编程驱动器中的每个第一编程驱动器包括相应的第一电流镜电路，所述第一电流镜电路被配置成在相应的所述第一编程模式和所述第二编程模式期间，接收所述第一编程电流和所述第二编程电流，所述方法还包括：
在相应的所述第一编程模式和所述第二编程模式期间，通过相应的所述第一电流镜电路将所述第一编程电流和所述第二编程电流供应给所述第一主位线；以及
根据第一值，将所述第一主位线与相应的所述第一电流镜电路电连接或断开连接，所述第一值通过所述第一激活信号和所述第三激活信号而被激活。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述多个第二编程驱动器中的每个第二编程驱动器包括相应的第二电流镜电路，所述第二电流镜电路被配置成在相应的所述第一编程模式和所述第二编程模式期间，接收所述第一编程电流和所述第二编程电流，所述方法还包括：
在相应的所述第一编程模式和所述第二编程模式期间，通过相应的所述第二电流镜电路将所述第一编程电流和所述第二编程电流供应给所述第二主位线；以及
根据第二值，将所述第二主位线与相应的所述第二电流镜电路电连接或断开连接，所述第二值通过所述第二激活信号和所述第四激活信号而被激活。
9.一种相变存储器设备，包括：
存储器阵列，包括：
多个第一部分，每个第一部分被提供有第一局部位线，所述第一局部位线被连接到第一存储器单元，所述第一存储器单元适于存储相应的第一逻辑数据，所述第一逻辑数据包括与所述第一存储器单元的第一电阻状态相关联的第一逻辑位、以及与所述第一存储器单元的第二电阻状态相关联的第二逻辑位；以及
相应的多个第二部分，每个第二部分被提供有第二局部位线，所述第二局部位线被连接到第二存储器单元，所述第二存储器单元适于存储与所述第一逻辑数据互补的相应的第二逻辑数据；
用于将所述逻辑数据写入在所述第一存储器单元和所述第二存储器单元中的写入级，包括多个第一编程驱动器和相应的多个第二编程驱动器；
多个第一主位线，所述多个第一主位线在相应的第一编程驱动器与相应的第一部分的所述第一局部位线之间延伸；以及
多个第二主位线，所述多个第二主位线在相应的第二编程驱动器与相应的第二部分的所述第二局部位线之间延伸，
其中所述相变存储器设备被配置成：
在第一编程模式中，通过所述多个第一编程驱动器和所述多个第二编程驱动器并且在第一时间间隔期间，将相同的第一编程电流供应给将要利用所述第一编程电流进行编程的所有所述第一存储器单元和所述第二存储器单元，所述第一编程电流是在置位电流和复位电流之间被选取的一类型；以及
在第二编程模式中，通过所述多个第一编程驱动器和所述多个第二编程驱动器并且在第二时间间隔期间，将相同的第二编程电流供应给将要利用所述第二编程电流进行编程的所有所述第一存储器单元和所述第二存储器单元，所述第二编程电流是在所述置位电流和所述复位电流之间选择的另一类型，由此完成逻辑字在所述存储器阵列中的写入。
10.根据权利要求9所述的相变存储器设备，其中：
在所述第一编程模式期间：
与将要经由所述第一编程电流进行编程的第一存储器单元耦合的所有所述第一编程驱动器由相应的第一激活信号而被激活，所述第一激活信号从所述第一逻辑位开始被生成；以及
所有所述第二编程驱动器由相应的第二激活信号而被激活，所述第二激活信号从所述第二逻辑位开始被生成；并...
【专利技术属性】
技术研发人员：F·E·C·迪塞格尼，F·戈勒尔，C·托尔蒂，M·卡里希米，E·卡尔维蒂，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：意大利;IT
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