可减少难编程的存储单元编程干扰的编程方法技术

一种可减少难编程的存储单元编程干扰的编程方法，包括以下步骤：步骤S1、采用编程电压，对NAND FLASH的存储区域的存储单元进行编程操作；步骤S2、采用第一校验电压，对被编程的存储单元进行第一校验操作，若校验成功，则进入步骤S3；若校验失败，则回到步骤S1；步骤S3、采用第二校验电压，对被编程的存储单元进行第二校验操作，若校验成功，则结束；若校验失败，则进入步骤S4；其中，第一校验电压小于第二校验电压；步骤S4、对所述循环次数加1计数，如所述循环次数计数达到预设次数阈值则结束；若否，则执行步骤S5；步骤S5、提高编程电压，然后回到步骤S1。本发明专利技术的编程方法设计新颖，可有效减少编程干扰。

【技术实现步骤摘要】
可减少难编程的存储单元编程干扰的编程方法
本专利技术涉及存储器领域，尤其涉及一种可减少难编程的存储单元编程干扰的NANDFLASH的编程方法，其中，难编程的存储单元就是在同一编程条件下，大部分储存单元都编程成功了，但是个别的存储单元一直都校验失败，定义这些为难编程的存储单元。
技术介绍
在NANDFLASH的应用中，存储单元是采用浮栅结构(floatinggate)，将电子放置在浮栅结构中被认为是编程/写入操作，而去除电子被认为是擦除操作。擦除操作和编程操作的原理均为F-N遂穿原理。擦除操作具体为：对栅极施加0V，而对衬底施加高压(以18V为例)，使得被擦除的存储单元的阈值电压为负值；编程操作具体为：对栅极施加高压，而对衬底施加0V，使得被编程的存储单元的阈值电压为正值。具体来说，如图1所示，在对存储单元100进行编程时，对其栅极施加18V的电压Vpgm，对衬底施加0V的电压。在此情况下，该单元所在的行上所有的存储单元均会受到编程干扰(pgmdisturb)，即存储单元200的栅极的电压均为18V，因此需要对其他列施加一个电压通常是对漏本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可减少难编程的存储单元编程干扰的编程方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤S0、对NAND FLASH的存储区域进行初始化读操作，设置循环次数为0；/n步骤S1、采用编程电压，对NAND FLASH的存储区域的存储单元进行编程操作；/n步骤S2、采用第一校验电压，对被编程的存储单元进行第一校验操作，若校验成功，则进入步骤S3；若校验失败，则回到步骤S1；/n步骤S3、采用第二校验电压，对被编程的存储单元进行第二校验操作，若校验成功，则结束；若校验失败，则进入步骤S4；其中，第一校验电压小于第二校验电压；/n步骤S4、对所述循环次数加1计数，如所述循环次数计数达到预设次数阈值则结束；若...

【技术特征摘要】
1.一种可减少难编程的存储单元编程干扰的编程方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S0、对NANDFLASH的存储区域进行初始化读操作，设置循环次数为0；
步骤S1、采用编程电压，对NANDFLASH的存储区域的存储单元进行编程操作；
步骤S2、采用第一校验电压，对被编程的存储单元进行第一校验操作，若校验成功，则进入步骤S3；若校验失败，则回到步骤S1；
步骤S3、采用第二校验电压，对被编程的存储单元进行第二校验操作，若校验成功，则结束；若校验失败，则进入步骤S4；其中，第一校验电压小于第二校验电压；
步骤S4、对所述循环次数加1计数，如所述循环次数计数达到预设次数阈值则结束；若否，则执行步骤S5；
步骤S5、提高编程电压，然后回到步骤S1。


2.根据权利要求1所述的编程方法，其特征在于，步骤S1还包括：对存储区域中与被编程的存储单元不同行的存储单元施加传输电压。


3...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐明揆，刘梦，
申请(专利权)人：深圳市芯天下技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44