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一种可减少难编程的存储单元编程干扰的编程方法，包括以下步骤：步骤S1、采用编程电压，对NAND FLASH的存储区域的存储单元进行编程操作；步骤S2、采用第一校验电压，对被编程的存储单元进行第一校验操作，若校验成功，则进入步骤S3；若校验失...
该专利属于深圳市芯天下技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市芯天下技术有限公司授权不得商用。

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